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[发明专利]形成半导体结构的方法-CN200910142924.4有效
发明人：张正宏;许育荣;李陈毅;洪士庭;叶震南;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，该方法包括提供复合基材，其中复合基材包括有主体硅基材与紧邻于主体硅基材之上的硅锗层。对硅锗层执行第一缩合以形成缩合硅锗层，藉以使得缩合硅锗层具有实质均匀的锗浓度。蚀刻缩合硅锗层与主体硅基材的顶端部分以形成复合鳍片，其中复合鳍片包括硅鳍片与位在硅鳍片上的缩合硅锗鳍片。该方法更包括氧化硅鳍片的一部分，以及对缩合硅锗鳍片执行第二缩合。
形成半导体结构方法

[发明专利]具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法-CN201611175654.3在审
发明人：朱德尚·R·侯尔特;乔迪·A·佛罗霍海瑟;诚康国;绍高·莫基祖基;史蒂芬·W·贝代尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法，其一方面包括一种半导体结构，该半导体结构包括位于衬底上的一组鳍片，该组鳍片包括松弛硅锗层；以及位于该组鳍片中的各鳍片之间的介电质；其中，n型场效应晶体管(nFET)区域中的各鳍片还包括位于该nFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅层；其中，p型场效应晶体管(pFET)区域中的各鳍片还包括位于该pFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅锗层。
具有硅锗鳍片半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法-CN202210749712.8在审
发明人：朱德尚·R·侯尔特;乔迪·A·佛罗霍海瑟;诚康国;绍高·莫基祖基;史蒂芬·W·贝代尔 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法，其一方面包括一种半导体结构，该半导体结构包括：位于衬底上的一组鳍片，该组鳍片包括松弛硅锗层；以及位于该组鳍片中的各鳍片之间的介电质；其中，n型场效应晶体管(nFET)区域中的各鳍片还包括位于该nFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅层；其中，p型场效应晶体管(pFET)区域中的各鳍片还包括位于该pFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅锗层
具有硅锗鳍片半导体结构及其制造方法

[发明专利]形成半导体器件的方法及其结构-CN200780024707.4有效
发明人： M·奥罗斯基 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L31/117 文献下载
摘要：一种非平面半导体器件(10)提供硅鳍片(42)。将锗源(例如，24、26、28、30、32)提供给鳍片(42)。一些实施例可以使用沉积提供锗；一些实施例可以使用离子注入(30)提供锗；也可使用其它方法提供锗。然后氧化鳍片(42)以在鳍片(36)中形成硅锗沟道区。在一些实施例中，将整个鳍片(42)从硅转换成硅锗。例如，可以使用一个或多个鳍片(36)以形成非平面半导体器件，例如，FINFET、MIGFET、三栅极晶体管或多栅极晶体管。
形成半导体器件方法及其结构

[发明专利]制作鳍形场效应晶体管的方法-CN201110415437.8有效
发明人：王新鹏;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作鳍形场效应晶体管的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有矩形的凸起和包围所述凸起的牺牲层，所述凸起包括位于所述半导体衬底上的硅鳍片和位于所述硅鳍片上的材料层，所述硅鳍片是由硅形成的，所述材料层的至少与所述晶体管的源漏区对应的部分是由锗硅形成的；b)在所述凸起和所述牺牲层上形成保护层；c)执行锗扩散工艺，以使所述材料层中的锗向其下方的所述硅鳍片中扩散；d)去除所述硅鳍片以上的部分；以及e)去除所述牺牲层，以形成锗硅鳍片。根据本发明的方法可以保证形成的锗硅鳍片尺寸满足要求，避免出现桥连现象。
制作场效应晶体管方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210417435.0在审
发明人：包家豪;杨智铨;林士豪;林建隆;陈稚轩;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供半导体结构的制造方法，包括提供具第一区域及第二区域的基板、形成自基板的第一区域突出的鳍片，其中鳍片包括第一硅锗层及设置于第一硅锗层上的多个硅层与多个第二硅锗层交替的堆叠，且第一硅锗层具有第一锗浓度而多个第二硅锗层中的每一者具大于第一锗浓度的第二锗浓度、掘入鳍片以形成S/D凹槽、掘入S/D凹槽中暴露的第一硅锗层与多个第二硅锗层，其中多个第二硅锗层被掘入的程度多于第一硅锗层、在S/D凹槽中形成S/D特征、移除被掘入的第一硅锗层及多个第二硅锗层以形成多个开口，以及在鳍片上方及多个开口中形成金属栅极结构。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种形成FinFET器件的鳍片的方法-CN201410045930.9有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-08 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种形成FinFET器件的鳍片的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成图案化的锗硅层；在图案化的锗硅层的顶部和侧壁上外延生长硅层；在半导体衬底上形成覆盖图案化的锗硅层的牺牲材料层；回蚀刻牺牲材料层，同时去除图案化的锗硅层顶部的硅层，直至牺牲材料层的顶部与图案化的锗硅层的顶部平齐为止；去除锗硅层；去除牺牲材料层以形成鳍片。根据本发明，通过外延的方式定义鳍片的特征尺寸，不会出现通过图形化的方式定义鳍片的特征尺寸时面临的鳍片的线宽粗糙度和线边缘粗糙度的精度控制问题，提升FinFET器件的性能。
一种形成 finfet 器件方法

[发明专利]源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法-CN202110648672.3在审
发明人：陈鲲;徐敏;张卫;杨静雯;王晨;徐赛生;吴春蕾;尹睿 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法，源漏接触金属的工艺方法，包括：在基底上制作目标鳍片；在所述目标鳍片外外延锗硅材料，形成包围所述目标鳍片的目标锗硅外延层；所述目标锗硅外延层包括位于所述目标鳍片两侧的第一连接角与第二连接角；刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层；所述第一锗硅部分包括所述第一连接角，所述第二锗硅部分包括所述第二连接角；在所述锗硅体层外沉积一层硅化物层；形成所述硅化物层与金属的接触连接
漏接金属工艺方法器件及其制备

[实用新型]一种鳍型半导体器件-CN201922167972.0有效
发明人：李迪 -专利权人：唐世沅
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种鳍型半导体器件。该鳍型半导体器件包括：衬底和第一鳍片部，所述第一鳍片部立设于所述衬底上，所述第一鳍片部具有根部区和硅锗区，所述根部区与所述衬底连接，所述硅锗区位于所述根部区上方，所述硅锗区中含有锗元素；浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构形成在所述衬底上，所述浅沟道隔离结构位于所述第一鳍片部的宽度方向的两侧，位于所述浅沟道隔离结构上方的所述硅锗区的高度范围为45nm‑60nm；栅极结构，所述栅极结构跨设在所述硅锗区的中间区域上，所述栅极结构覆盖在至少一部分所述硅锗区和所述浅沟道隔离结构；所述硅锗区被所述栅极结构覆盖的区域形成沟道区，所述沟道区的锗元素的含量为20％‑35％。
一种半导体器件

[发明专利]具有松弛硅/锗鳍片的集成电路-CN201510070796.2有效
发明人： A·卫;刘金平;S·M·高;A·金德伦 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有松弛硅/锗鳍片的集成电路，提供具有松弛硅和锗鳍片的集成电路以及制造此类集成电路的方法。该方法包括在结晶硅衬底上方形成结晶硅和锗复合层，其中，复合层晶格松弛。在该复合层中形成鳍片，以及在该鳍片上方形成栅极。移除位于该栅极的相对侧上的该鳍片的部分，以形成漏极开口及源极开口，并分别在该源极开口及漏极开口中形成源极及漏极。
具有松弛锗鳍片集成电路

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610886290.3在审
发明人：王启光;赵金柱;翟立君;冯永波;肖志强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硅基鳍片；去除所述硅基鳍片用于形成源漏区的部分，保留用作沟道的部分；在去除用于形成源漏区的部分而露出的所述硅基鳍片的侧面上形成硅锗层；执行第一热处理工艺，以使所述硅锗层中的锗扩散进入所述硅基鳍片用作沟道的部分，从而形成硅锗基沟道。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]半导体结构-CN202010842512.8在审
发明人：陈柏宁;吴旭升;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：其包括半导体基底；鳍片延伸于半导体基底上，其中鳍片包括位于半导体基底上的第一层，以及位于第一层上的第二层，其中第一层包括具有第一锗浓度的硅锗，且其中第二层包括具有第二锗浓度的硅锗，第二锗浓度小于第一锗浓度；以及栅极堆叠设置于鳍片上。
半导体结构

[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置-CN201610362706.1在审
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少形成有第一硅鳍结构和第二硅鳍结构；在所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧形成硅锗层；向第二硅鳍结构两侧的硅锗层注入锗以提高该硅锗层的锗浓度；执行SiGe浓缩工艺以使所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构转变为第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构，其中，所述第二硅锗鳍结构的锗浓度大于所述第一硅锗鳍结构的锗浓度。本发明提出的半导体器件的制作方法，可以在半导体衬底上形成不同锗浓度的硅锗鳍结构，使得鳍结构中电子和空穴迁移能力增强，提高了半导体器件的性能。
半导体器件制作方法电子装置

[发明专利]后栅极硅锗沟道凝结及其制造方法-CN201810861103.5有效
发明人：乔治·罗伯特·姆芬格;莱恩·史波尔;T·J·麦卡德尔;朱德尚·罗伯特·侯尔特 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及后栅极硅锗沟道凝结及其制造方法，其提供通过后栅极热凝结及氧化高锗百分比沟道层而在FinFET或FDSOI装置中形成分级硅锗百分比PFET沟道的方法及所产生的装置。数个具体实施例包括：形成栅极介电层于形成在衬底上方的多个硅鳍片上方；在各鳍片上方形成栅极；形成HM及间隔体层于各栅极的侧壁上方及各栅极的侧壁上；在各鳍片中形成邻近该栅极及间隔体层的u形空腔；在各u形空腔中且沿着各鳍片的数个侧壁外延成长无掺杂高百分比硅锗层；热凝结该高百分比硅锗层，以在该衬底及数个鳍片底下形成无掺杂低百分比硅锗；以及形成一S/D区于在各u形空腔中的该高百分比硅锗层上方，该S/D区的上表面低于该栅极介电层。
栅极沟道凝结及其制造方法

[发明专利]FDSOI上锗硅鳍体的制作方法-CN202010350253.7在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI上锗硅鳍体的制作方法，包括：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶层硅；步骤二、在顶层硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、形成对顶层锗硅层刻蚀后形成的锗硅鳍体；步骤四、对锗硅鳍体进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤41、进行热氧化在所述锗硅鳍体表面形成第一氧化层并在第一氧化层和锗硅鳍体的界面处形成锗凝聚；步骤42、进行热退火将凝聚的锗扩散到整个锗硅鳍体；步骤43、刻蚀去除第一氧化层。本发明能提升锗硅鳍体的锗浓度，还能同时对锗硅鳍体的宽度和高度进行精细调节。
fdsoi 上锗硅鳍体制作方法

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