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[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理系统-CN202211487516.4在审
发明人：户村幕树;高桥圭惠;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：该方法包括以下工序：工序(a)，将具有含硅膜和含硅膜上的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部上；工序(b)，向腔室内供给包含含钨气体和氟化氢气体的处理气体，氟化氢气体以比含钨气体的流量多的流量供给到腔室内；以及工序(c)，从处理气体生成等离子体，来对含硅膜进行蚀刻。
等离子体处理方法系统

[发明专利]CMOS器件的制造方法-CN201310151384.2有效
发明人：郭振强;陈瑜;罗啸;赵阶喜;马斌;陈华伦 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在硅衬底的正面依次生长栅氧化层、多晶硅层并对多晶硅层进行掺杂。依次沉积金属硅化钨层和顶层氮化硅层。采用光刻工艺定义出栅极图形，依次对顶层氮化硅层、金属硅化钨层和多晶硅层进行干法刻蚀工艺形成栅极结构，金属硅化钨层的刻蚀采用干法异向刻蚀加干法同向刻蚀。本发明能够使得刻蚀后的栅极中金属硅化钨会相对于顶层氮化硅层和多晶硅层会向栅极中心凹陷一段距离，能使后续在金属硅化钨处形成的侧墙的厚度增加，能够提高CMOS器件的自对准接触孔和栅极之间的击穿电压，提高器件的性能
cmos 器件制造方法

[发明专利]一种钴铬钼钨硅合金粉末-CN202011638542.3有效
发明人：蔡曾清;蔡嘉;龚卓妍 -专利权人：广州湘龙高新材料科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C22C19/07 文献下载
摘要：本发明提供一种钴铬钼钨硅合金粉末，按重量百分比计，包括钴60％‑66％；铬20％‑30％；钼3％‑7％；钨3％‑7％；硅0.5％‑5％；铁＜0.8％；碳＜0.8％，杂质＜2％，其中，上述各组分重量百分比之和为100％，所述钴铬钼钨硅合金粉末的平均粒径为10‑55微米。本发明提供的钴铬钼钨硅合金粉末制备成牙科产品的金瓷结合性能较好。
一种钴铬钼钨硅合金粉末

[发明专利]金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作方法及多晶硅电阻-CN201710729961.X有效
发明人：周文斌;张磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作工艺及多晶硅电阻。本发明所述制作工艺在衬底材料上先后沉积多晶硅层和二氧化硅膜，再利用高选择性蚀刻工艺，制得金属硅化钨栅极的多晶硅电阻，进而再通过高选择性的蚀刻工艺制作金属硅化钨栅极。本发明克服了金属硅化钨电阻表面电阻率明显偏低的问题，所制得的多晶硅电阻表面电阻率明显提高，这样有利于大大节省芯片面积，提高电阻性能，适合于大批量生产。
一种金属硅栅极制程中多晶电阻制作方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN99102822.8无效
发明人：汤泽治 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-03-08 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：在一种用于制造具有MOSFET和由硅化钨膜制成的低阻电阻元件的混合的半导体器件的方法，在对将作为电阻元件的硅化钨膜进行蚀刻形成预定形状之后，执行热处理以活化MOSFET的扩散层，从而得到低阻值的硅化钨膜
半导体器件制造方法

[发明专利]一种从含钒、钨和硅的碱性溶液中制备钒钨混合钙盐的方法-CN201910989418.2在审
发明人：李会泉;刘晋隆;王兴瑞;陈艳 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从含钒、钨和硅的碱性溶液中制备钒钨混合钙盐的方法，所述方法包括如下步骤：采用硫酸将含钒、钨和硅的碱性溶液pH值调节至弱碱性，进而加入硫酸镁，脱除溶液中的硅；脱硅后，加入石灰粉体，在一定温度下反应一定时间，过滤，得到钒钨混合钙盐。该方法避免了氯离子的引入，降低了设备材质要求；钒及钨的回收率均高于90％，得到的钒钨混合钙盐中，WO3及V2O
一种碱性溶液制备混合方法

[发明专利]用于内燃机的活塞、具有活塞的内燃机以及铁系合金的用途-CN202180061774.3在审
发明人：托马斯·科斯特;罗曼·摩根斯坦;罗伯特·威拉德;马丁·波普;托马斯·赫茨勒;安德烈斯·霍洛夫;菲利普·科奇 -专利权人：菲特尔莫古纽伦堡有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：一种用于内燃机的活塞，特别是用于柴油机的活塞，该活塞由铁系合金构成，该铁系合金包括以重量百分比(wt％)计的以下合金元素：碳(C)：0.07至0.24；铬(Cr)：7.0至12.5；钼(Mo)：0.3至1.2；锰(Mn)：0.3至0.9；硅(Si)：0.5；铜(Cu)：0.3；镍(Ni)：0.8；钒(V)：0.15至0.35；硫(S)：0.015；磷(P)：0.025；铌(Nb)：0.1；氮(N)：0.07；铝(Al)：0.04；钨(W)：2.5且余量为铁(Fe)和不可避免的杂质。本发明还涉及用于内燃机的活塞、特别是用于柴油机的活塞的这种铁系合金的用途。
用于内燃机活塞具有以及合金用途

[发明专利]钨系红外线吸收性颜料分散液、染色液、纤维制品和纤维制品的处理方法-CN202180085902.8在审
发明人：寺田晓;狩野朋未;小林文人 -专利权人：共同印刷株式会社
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09C3/10 文献下载
摘要：形成配混用于保护钨系红外线吸收性颜料的特定的树脂乳液、以由该树脂乳液预先覆盖钨系红外线吸收性颜料的状态分散的分散液。
红外线吸收性颜料分散染色纤维制品处理方法

[发明专利]钨粉、电容器的阳极体和电解电容器-CN201180062302.6有效
发明人：内藤一美 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及钨粉、电容器的阳极体、电解电容器，钨粉的制造方法和电容器的阳极体的制造方法，该钨粉在粒子表面具有硅化钨（W5Si3等），硅含量为0.05～7质量%。钨粉的平均一次粒径为0.1～1μm，硅化钨从该粒子表面到50nm以内局部存在，在表面的一部分具有氮化钨、碳化钨、硼化钨中的至少一种，优选：磷元素的含量为1～500质量ppm，氧含量为0.05～8质量%，将钨、硅、氮、碳、硼、氧和磷的各元素除外的元素的含量为0.1质量%以下，优选：钨造粒粉的平均粒径为50～200μm，比表面积为0.2～20m2/g。根据本发明，可以提供漏电流（LC）性能良好的钨电容器。
钨粉电容器阳极电解电容器

[发明专利]一种废钒钨系SCR催化剂的钒、钨分离和提纯方法-CN201510265077.6有效
发明人：林晓;刘晨明;潘尹银;李志强 -专利权人：中科过程（北京）科技有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种废钒钨系SCR催化剂的钒、钨分离和提纯方法，该方法将废催化剂进行预处理，得到钛渣和钒钨溶液；将钒钨溶液进行萃取分离，得到的富钒萃余液经再处理后，得到五氧化二钒；分离得到的富钨有机相经反萃后，进行二段萃取提钨，再反萃得到钨酸铵溶液，再处理可制取仲钨酸铵；本发明彻底填补了脱硝工业废钒钨系SCR催化剂的钒、钨分离和纯化回收技术匮乏的缺口，不仅钒、钨的回收率均超过95%，而且获得的五氧化二钒和仲钨酸铵产品均达到高纯标准
一种废钒钨系 scr 催化剂分离提纯方法

[实用新型]多股合并旋转绞合切割丝-CN202223240607.6有效
发明人：朱惠冲 -专利权人：朱惠冲
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多股合并旋转绞合切割丝，包括两股或以上的钨切割细丝，多股钨切割细丝之间相互螺旋缠绕绞合形成切割丝，所述切割丝的外表面设有多个环压面。本实用新型将多股钨切割细丝之间相互螺旋缠绕绞合形成切割丝，通过螺旋缠绕绞合后，整体抗拉强度具有较大幅度的提高；在整体相同直径的情况下，螺旋缠绕绞合后的切割丝的抗拉强度大于单股钨切割细丝的抗拉强度。本实用新型在切割丝的外表面设有环压面，螺旋后外表面凸起最高的部分被压缩形成环压面，以降低整体外表面的凹凸程度，减少切割时在硅表面形成的划痕，使切割后的表面更加光滑。
合并旋转切割

[发明专利]一种钕铁硼系烧结磁体的制造方法及其磁体-CN201410318913.8有效
发明人：永田浩;张建洪 -专利权人：厦门钨业股份有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：一种钕铁硼系烧结磁体的制造方法，其特征在于包括混入添加物的工序，添加物为纳米钨或纳米碳化钨或纳米氮化钨或其组合，且其平均分散粒径为10～200nm。本发明的制造方法可有效抑制晶粒异常长大(AGG)的现象，从而提高钕铁硼系烧结磁体的矫顽力，可更大程度地保留主相，从而使钕铁硼系烧结磁体具有优异的剩磁。
一种钕铁硼系烧结磁体制造方法及其

[发明专利]一种控制钨硅靶材中非金属元素含量的方法-CN202010536203.8在审
发明人：李保强;陈金;曾路;刘文迪;黄志民 -专利权人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制钨硅靶材中非金属元素含量的方法，将混合粉体通过冷等静压成形，并进行高温真空脱气处理，再以吸氧性金属箔材隔离毛坯和石墨模具，经真空热压烧结得到钨硅靶材。该方法有助于钨硅靶材中易挥发非金属元素的脱除，有效地控制了钨硅靶材中的非金属元素含量，具有可操作性强、成本低的特点。
一种控制钨硅靶材中非金属元素含量方法

[发明专利]一种高纯钨硅复合粉末及其制备方法-CN202310585318.X在审
发明人：郭圣达;李宇涛;陈颢;李韶雨;鲍瑞 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B22F9/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯钨硅复合粉末及其制备方法。实施例的制备方法包括如下步骤：将高纯氧化钨粉末、提纯后的SiHCl3溶液混合，得到混合物；对该混合物进行氢气加热还原，得到高纯钨硅复合粉末。采用本发明制备的高纯钨硅复合粉末具有元素分布均匀、纯度极高的优点，以该复合粉末为原料可制备出元素分布均匀、内部结构缺陷少的高纯钨硅合金靶材。
一种高纯复合粉末及其制备方法

[发明专利]一种掺硅钨粉的制备工艺-CN201510177517.2在审
发明人：易鉴荣;林荔琍;唐臻;吴坚 -专利权人：柳州豪祥特科技有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺硅钨粉的制备工艺，其包括将Na₂WO₄·5H₂O溶于蒸馏水中,加入正硅酸乙酯；再滴加盐酸溶液，磁力搅拌混合均匀；将混合溶液置于高压反应釜中加热反应；再冷却至室温后过滤，得到沉淀物；洗涤沉淀物，并烘干；将烘干的沉淀物放入马弗炉中灼烧，得到三氧化钨和氧化硅粉体；将三氧化钨和氧化硅粉体置于等离子反应室中，在该反应室内通过电离惰性气体形成高温等离子体，三氧化钨和氧化硅粉体被高温等离子体加热后在还原气氛下还原成钨硅粉本工艺采用钨酸钠、正硅酸乙酯与盐酸制备氧化钨和氧化硅后，通过等离子电弧法制备钨硅粉，由于钨硅粉与冷却介质之间有很大的温度差，在促使形核的同时也有效抑制了晶核的生长，制得的钨硅粉可达到纳米级。
一种掺硅钨粉制备工艺