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[发明专利]硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构及其制备方法和在探测二氧化氮中的应用-CN201710608019.8在审
发明人：秦玉香;王泽峰;刘雕;王克行 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构及其制备方法和在探测二氧化氮中的应用，使用金属辅助化学刻蚀法刻蚀单晶硅以形成硅纳米线阵列，再进行稀疏粗糙化处理后进行沉积钨薄膜材料层，升温以生长一维氧化钨纳米线本发明的硅纳米线/氧化钨纳米线复合异质多级结构气敏敏感元件在室温下工作，且对二氧化氮具有很好的响应，在气体传感器与集成电路工艺兼容，延长传感器寿命，节约能耗，以及危险气体检测方面具有很重要的研究价值。
氧化钨纳米线多级结构二氧化氮硅纳米线制备刷状探测硅纳米线阵列集成电路工艺危险气体检测单晶硅传感器寿命粗糙化处理化学刻蚀法气体传感器金属辅助敏感元件铂电极材料层钨薄膜刻蚀稀疏异质沉积应用能耗兼容复合节约生长响应研究

[发明专利]一种测定K25铬基高温合金中钛钒钨锰硅的分析方法-CN201310512088.0有效
发明人：冯艳秋;叶晓英;孙涛;杨春晟 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明属于新材料合金元素分析技术，涉及一种测定K25铬基高温合金中钛钒钨锰硅的分析方法。分析步骤如下：称取试样；制备试样溶液；制备校准溶液；测量试样溶液中钛钒钨锰硅的浓度；计算测量结果，得到钛钒钨锰硅的含量。本发明提出了一种分析灵敏高、操作简便、分析周期短、效率高的测定K25铬基高温合金中钛钒钨锰硅含量的ICP-AES方法，应用前景广泛，可以满足高温合金的工程化应用，满足科研和生产对材料质量控制的要求，减低产品报废率
一种测定 k25 高温合金中钛钒钨锰硅分析方法

[发明专利]一种刻蚀钨栅的工艺方法-CN200810101804.5无效
发明人：王娜 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀钨栅的工艺方法，属于半导体加工制造领域。所述方法包括：将半导体硅片移动到反应腔室内部，并将半导体硅片加热到高温；将第一反应气体通入反应腔室内部，并待第一反应气体气流稳定后向反应腔室施加射频功率；第一反应气体对半导体硅片的硅化钨层/钨层进行刻蚀，并在刻蚀完成后，停止向反应腔室输入第一反应气体及施加射频功率；将第二反应气体通入反应腔室内部，并待第二反应气体气流稳定后向反应腔室施加射频功率；第二反应气体对半导体硅片的多晶硅层进行刻蚀，并在刻蚀完成后本发明提高了钨栅刻蚀工艺中硅化钨/钨层对多晶硅层的选择比。
一种刻蚀工艺方法

[发明专利]一种硅凝胶灌封腔体-CN202110525921.X有效
发明人：杨昊;李学宝;赵志斌;崔新奇;王浩洋;徐治 -专利权人：华北电力大学;国网上海市电力公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体，所述硅凝胶灌封腔体包括：绝缘腔体、钨针和低压端金属电极；所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端；所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上；在进行测试时，待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面；向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体，待硅凝胶液体固化后，所述钨针输入正极性重复方波，所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面，不会在腔体上发生放电，而且本发明设置了钨针，以为沿面放电界面构建极不均匀电场，本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置
一种凝胶灌封腔体

[发明专利]一种钨冶炼废渣基的建筑陶粒及其制备方法-CN201710027066.3有效
发明人：黄晓东;靖青秀 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2017-01-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C04B18/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨冶炼废渣基的建筑陶粒及其制备方法，涉及冶炼渣资源化利用及无害化处理技术领域。本发明制备陶粒所用的原料由钨冶炼废渣、含硅废弃物、烧结剂组成；陶粒的制备方法为：将钨冶炼废渣、含硅废弃物、烧结剂烘干磨碎成干粉；按配比称取钨冶炼废渣粉料、含硅废弃物粉料及烧结剂粉料，混合搅拌均匀送至成球制粒机中造粒成型本发明的陶粒质轻、环保，用途广泛；本发明的制备方法将钨冶炼废渣资源化利用，具有良好的经济效益和社会效益。
一种冶炼废渣建筑陶粒及其制备方法

[发明专利]一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构及检测方法-CN201711140573.4有效
发明人：范荣伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构，应用于半导体检测阶段，包括一半导体衬底，半导体衬底包括有源区，在有源区上间隔形成多个多晶硅图形，多个多晶硅图形之间设有空隙区域；接触孔，接触孔形成于多晶硅图形之间的空隙区域，接触孔填充钨栓，以形成接触孔钨栓结构。本发明的技术方案有益效果在于：公开一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构及检测方法，有效地监控接触孔底部的钨栓缺陷问题，改善半导体工艺在制作过程中的良率，缩短半导体工艺制作的研发周期。
一种接触底部缺陷检测结构方法

[发明专利]硅钨酸壳包覆和核嵌入沸石咪唑骨架的制备方法及应用-CN201911286609.9有效
发明人：程军;杨卫娟;刘建忠;岑可法;周俊虎;王智化;张彦威;何勇;周志军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-12-14 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明涉及生物质能利用技术，旨在提供一种硅钨酸壳包覆和核嵌入沸石咪唑骨架的制备方法及应用。包括：取硅钨酸溶于硝酸钴甲醇溶液后，加入到二甲基咪唑甲醇溶液中，室温下持续搅拌，待充分络合反应后离心处理；将固体产物滤出、清洗、干燥，得到硅钨酸核嵌入式沸石咪唑骨架；加入到硅钨酸水溶液中，超声处理后，室温下持续搅拌实现了硅钨酸在较高负载量时的均匀分布，催化剂循环使用具有很好的稳定性，催化剂再生后使用转化效率高，催化剂循环使用寿命长。
硅钨酸壳包覆嵌入咪唑骨架制备方法应用

[发明专利]一种NAND存储器及其制备方法-CN201711097892.1在审
发明人：胡禺石;陶谦;吕震宇;姚兰;肖莉红;陈俊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND存储器，包括硅基板，形成在硅基板上的等级层堆栈，以及垂直贯穿等级层堆栈的NAND串和共源触点，所述共源触点通过硅基板电性连接一个或多个NAND串；所述共源触点由金属硅化物形成，或者由金属硅化物和硅材料形成，或者由金属硅化物和金属钨形成，或者由金属硅化物、硅材料和金属钨形成；所述金属硅化物的应力低于金属钨，能在避免共源触点应力导致的晶圆弯曲变形的同时，维持合适的共源触点电阻。
一种 nand 存储器及其制备方法

[发明专利]干蚀刻方法-CN02808384.9有效
发明人：高明辉;三浦利仁;深泽孝之;清水昭贵;栉引理人;山下朝夫;樋口文彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-02-27 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：使用Cl₂+O₂气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层(104)进行蚀刻。在硅化钨层(104)的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Cl₂+O₂+NF₃，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层(104)下侧形成的多晶硅层由此，与以往相比，可以使多晶硅层(103)的残膜量均匀，从而可以稳定地制造优质的半导体装置。
蚀刻方法

[发明专利]一种具备硅涂层的钨合金的制备方法-CN201810185133.9在审
发明人：戴爱娟 -专利权人：戴爱娟
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备硅涂层的钨合金的制备方法，该方法显著改善和控制了材料的组织结构，使得制备的钨合金；本发明对铝硅铜合金材料表面进行PVA／SiO2复合溶胶表面改性处理，使得钨合金的表面均匀致密、膜基结合强度高
钨合金制备硅涂层表面改性处理铝硅铜合金复合溶胶均匀致密力学性能组织结构膜基

[发明专利]一种钨晶地坪原料组合物-CN201210007330.4有效
发明人：严平 -专利权人：严平
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钨晶地坪原料组合物。该地坪原料组合物按重量份数计：钨合金骨料50～60份、水泥30～40份、色粉0.5～1.5份、减水剂3～5份、硅灰0.3～1份。其中钨合金骨料为冶炼钨过程中的废渣，废渣通过粉碎，可得到粒径级配的钨合金骨料；减水剂为聚羧酸盐减水剂；硅灰主要成分为玻璃态二氧化硅，颗粒粒径在800～1250目。该钨晶地坪原料组合物通过两次撒播施工，所形成的钨晶地坪厚度在5～8㎜，具有良好的耐磨性能和抗冲击性能。
一种地坪原料组合

[发明专利]具有栅极结构的半导体器件及其制造方法-CN200710143804.7无效
发明人：成敏圭;梁洪善;赵兴在;金龙水;林宽容 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及具有栅极结构的半导体器件及其制造方法，其中所述半导体器件的栅极结构包含中间结构，所述中间结构包含钛层和硅化钨层。所述方法包括形成多晶硅基电极。在所述多晶硅基电极之上形成包含钛层和硅化钨层的中间结构。金属电极形成在所述中间结构之上。
具有栅极结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化处理方法和碳化钨系超硬合金-CN202180019393.9在审
发明人：原民夫;原安宽 -专利权人：株式会社等离子体综合研究所
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明的碳化钨系超硬合金由碳化钨和添加剂构成，表面被氮化，具有氮和碳化钨共存的域。根据本发明，实施了氮化处理的超硬合金的硬度提高。
氮化处理方法碳化钨系超硬合金

[发明专利]一种具有扩散阻障层的栅极结构及其制作方法-CN200310108325.3无效
发明人：莘海维 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是有关一种具扩散阻障层的栅极结构与制作方法，先利用硅离子注入法形成一个扩散阻障层于多晶硅层与硅化钨金属层间，来避免进行栅极再次氧化工艺时，多晶硅层与硅化钨金属层间因化学位能差异，所产生的硅原子扩散现象
一种具有扩散阻障栅极结构及其制作方法

[发明专利]一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法-CN202010053717.8有效
发明人：张跃;杜君莉;张铮;柳柏杉;高丽;于慧慧;温嘉玲;汤文辉;张先坤;洪孟雨;肖建坤 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p‑n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。
一种二维水平同质驱动逻辑光电开关及其制备方法