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[发明专利]等离子体处理装置-CN202310861258.X在审
发明人：中谷理子;久松亨;石川慎也;熊仓翔;本田昌伸;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理系统-CN202310255655.2在审
发明人：户村幕树;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理系统，提高相对于掩模的选择比。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包括：工序(a)，向腔室内提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，在腔室内，从处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻，所述处理气体包含PClaFb气体或PCcHdFe气体、以及HF气体，其中，a和b分别为1以上的整数，c为0以上的整数，d和e分别为1以上的整数。
蚀刻方法等离子体处理系统

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理系统-CN202310255900.X在审
发明人：向山广记;户村幕树;木原嘉英;高桥笃史;大类贵俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。
等离子体处理方法系统

[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理系统-CN202310058506.7在审
发明人：新关智彦;户村幕树;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法以及等离子体处理系统。该方法具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板的工序，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜；(b)在腔室内，由处理气体生成等离子体的工序，所述处理气体包含：含氧气体；和含有Si或W、以及卤素的气体。(b)包含(b1)在掩膜的至少含碳膜上形成保护膜的工序和(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜的工序。
等离子体处理方法以及系统

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201910665735.9有效
发明人：中谷理子;久松亨;石川慎也;熊仓翔;本田昌伸;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
等离子体处理方法装置

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201810971378.4有效
发明人：田端雅弘;久松亨;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜的第一工序和各向同性地对膜进行蚀刻的第二工序。第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，膜含有硅。
处理方法

[发明专利]对被处理物进行处理的方法-CN201780020009.0有效
发明人： 木原嘉英;久松亨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式中晶片(W)具备被蚀刻层(EL)和设置在被蚀刻层(EL)上的掩膜(MK4)，一实施方式的方法(MT)通过重复执行序列(SQ3)，并对每个原子层除去被蚀刻层(EL)来对被蚀刻层(EL)进行蚀刻，该序列(SQ3)包括：工序(ST9a)，通过产生等离子体并对平行平板电极的上部电极(30)施加直流电压来照射二次电子、并且用氧化硅化合物覆盖掩膜(MK4)；工序(ST9b)，生成氟碳系气体的等离子体并在被蚀刻层(EL)的表面的原子层形成含有自由基的混合层(MX2)；及(ST9d)，生成Ar气体的等离子体并施加偏置电压来除去混合层(MX2)。
处理进行方法

[发明专利]对被处理物进行处理的方法-CN201780020010.3有效
发明人： 木原嘉英;久松亨;大石智之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式中，晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)、防反射膜(AL)及掩膜(MK1)，一实施方式的方法MT具备如下工序：在收容有该晶片(W)的等离子体处理装置(10)的处理容器(12)内，通过在处理容器(12)内产生的等离子体并使用掩膜(MK1)对防反射膜(AL)进行蚀刻处理，该工序具备：在掩膜(MK1)的表面保形地形成保护膜(SX)的工序(ST3a)～工序(ST4)；及通过使用形成有保护膜(SX)的掩膜(MK1)按原子层去除防反射膜(AL)而对防反射膜(AL)进行蚀刻的工序(ST6a)～工序(ST7)。
处理进行方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201780068805.1有效
发明人：田端雅弘;久松亨;木原嘉英;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。
处理方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN202310384766.3在审
发明人： 木原嘉英;久松亨;田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。
处理方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理系统-CN202211487516.4在审
发明人：户村幕树;高桥圭惠;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。用于抑制蚀刻的形状异常。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有含硅膜和含硅膜上的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部上；工序(b)，向腔室内供给包含含钨气体和氟化氢气体的处理气体，氟化氢气体以比含钨气体的流量多的流量供给到腔室内；以及工序(c)，从处理气体生成等离子体，来对含硅膜进行蚀刻。
等离子体处理方法系统

[发明专利]蚀刻方法-CN202310013829.4在审
发明人：横山乔大;户村幕树;木原嘉英;须田隆太郎;大类贵俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
蚀刻方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201780047928.7有效
发明人：小川秀平;豊田启吾;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式的方法包括：(a)第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及(b)第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻。
处理方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理系统-CN202211310944.X在审
发明人：大内田聪;向山广记;齐藤昴;木原嘉英;户村幕树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。提供一种使蚀刻率提高的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有层叠膜的基板，该层叠膜包括硅氧化膜和氮化硅膜；以及工序(b)，从包含CxFy气体(x和y是1以上的整数)与含磷气体中的至少任一种气体以及HF气体的处理气体生成等离子体来对层叠膜进行蚀刻，其中在工序(b)中，基板支承部被控制为温度在0℃以上且70℃以下，并且被供给10kW以上的偏压RF信号或4kV以上的偏压DC信号。
等离子体处理方法系统

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理系统-CN202280005781.6在审
发明人：须田隆太郎;户村幕树;木原嘉英;三浦太树;朴宰永;福永裕介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的基板支撑部上的工序；和(b)将含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含下述的工序：(b‑1)使用由第一处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第一处理气体含有氟化氢气体和控制氟化氢与含硅膜的反应的反应控制气体，第一处理气体中，作为反应控制气体，含有促进反应的反应促进气体和抑制反应的反应抑制气体中的至少一者；和(b‑2)使用由含有氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，第二处理气体中，以比第一处理气体中的反应促进气体小的分压含有促进反应的反应促进气体、和/或以比第一处理气体中的反应抑制气体高的分压含有抑制反应的反应抑制气体、或不含有反应控制气体。
蚀刻方法等离子体处理系统

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