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[发明专利]一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法-CN201510043941.8无效
发明人：胡明;魏玉龙;闫文君;马文锋;张玮祎 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法，采用水热法将多孔硅与一维氧化钨纳米线复合形成新的复合结构气敏材料，其具有巨大的比表面积和较大的表面活性，可提供大量的吸附位置和扩散通道，从而有利于克服基于一维氧化钨纳米结构气敏材料工作温度较高的缺陷，提供一种结构新颖、制作工艺简单的多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法，并研究水热反应时间对复合结构微观形貌的影响。
一种多孔氧化钨纳米复合结构制备方法

[发明专利]耐热型非硅系碳纤维油剂及其制备与应用-CN202111553276.9在审
发明人：石海洋;王斐;胡海霞;王迪;刘昆阳 -专利权人：开封大学;兰州蓝星纤维有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： D01F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐热型非硅系碳纤维油剂及其制备与应用，旨在解决现有技术中非硅系碳纤维油剂耐高温性能差的技术问题。本发明中以具有酯基、醚官能团的物质A为基础，加之表面活性剂、抗静电剂等，制成耐热型非硅系碳纤维油剂，具有较高的耐热性，润滑及水溶性，该化合物在300℃以下为液体，在350℃时为柔性膜，在碳纤维预氧化阶段及低温碳化能很好的对碳纤维起到保护作用，解决了现有碳纤维用油剂产品易结胶、粘辊及毛丝多且难以兼顾耐高温的问题。
耐热型非硅系碳纤维及其制备应用

[实用新型]一种分层分光膜的膜系结构-CN201721802036.7有效
发明人：李延凯 -专利权人：浙江蓝特光学股份有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：一种分层分光膜的膜系结构，其包括一个透明基片，以及分别设置在所述透明基片两侧的第一分光膜和第二分光膜。所述第一分光膜由硅与二氧化硅的混合物形成的一层厚度为5776.05纳米的薄膜。所述第二分光膜由硅与二氧化硅的混合物形成的一层厚度为5657.75纳米的薄膜。当入射光的波长在1300多纳米至1700多纳米之间，其透光率基本上要以达到100％，因此本实用新型所提供的分层分光膜的膜系结构是一种具有高分光效率的膜系结构，从而可以提供使用该膜系结构的光学器件的性能。
分光膜膜系结构分层混合物形成二氧化硅透明基片层厚度薄膜本实用新型分光效率光学器件入射光透光率波长

[发明专利]一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法-CN201510628815.9在审
发明人：贾小氢;付凤凤;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：靶材选取，选取高纯硅和钨作为靶材，将靶材放入磁控共溅射室；衬底处理，对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将处理后的衬底送入磁控共溅射室，置于样品台上；制备钨硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10^-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。
一种利用磁控共溅射法制超薄薄膜方法

[发明专利]一种铝锡锆铌钼钨硅中间合金及其制备方法-CN201810079469.7在审
发明人：王志军;刘建丰;乔敏;刘强;刘志彬 -专利权人：承德天大钒业有限责任公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铝锡锆铌钼钨硅中间合金及其制备方法。本发明提供的铝锡锆铌钼钨硅中间合金，按质量含量计，包括16.0～18.0％的Sn，16.0～18.0％的Zr，11.0～13.0％的Nb，11.0～13.0％的Mo，4.0～6.0％的W，1.5～2.5本发明通过设计合金成分，使铝锡锆铌钼钨硅中间合金具有较小的成分偏析，代替二元合金熔炼TC31钛合金时，有助于合金成分均匀化，防止成分偏析，简化TC31钛合金熔炼时的配料工序。实验结果表明，本发明提供的铝锡锆铌钼钨硅中间合金成分均匀稳定，偏析较小。本发明提供的制备方法简单，易于控制，适用于大规模工业生产。
中间合金铝锡钼钨锆铌制备成分偏析合金钛合金熔炼二元合金配料工序均匀化钛合金熔炼偏析

[发明专利]磺化聚醚醚酮、硅钨酸和离子液体掺杂改性聚氯乙烯基质子交换膜的制备方法-CN202211389392.6在审
发明人：鲁伊恒;訾雨晴;胡佳盈;唐婕;王梓轩;王中楠 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01M8/1048 文献下载
摘要：本发明公开了一种磺化聚醚醚酮、硅钨酸和离子液体掺杂改性聚氯乙烯基质子交换膜的制备方法，将包括磺化聚醚醚酮、硅钨酸、离子液体中的一种或几种作为掺杂溶质，与聚氯乙烯树脂溶解于有机溶剂中，加热回流，搅拌至磺化聚醚醚酮完全溶解，反应结束后，将混合液倒入平底玻璃容器中，流延成膜，室温干燥，真空脱溶，得SPEEK/PVC/硅钨酸/离子液体掺杂复合膜。本发明将SPEEK、硅钨酸和咪唑基离子液体掺杂改性聚氯乙烯树脂，制备了PVC基杂化质子交换膜，并测定了其耐热性和阻抗电导率。制备的产品电导率与Nafion膜相近，成本显著降低，具有潜在的应用前景。
磺化聚醚醚酮硅钨酸离子液体掺杂改性聚氯乙烯基质交换制备方法

[发明专利]一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件的制备方法-CN201310497062.3有效
发明人：胡明;闫文君;曾鹏;马双云;李明达 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件的制备方法，采用p型单晶硅作为基底，以金属铂作为靶材，在硅基片的抛光表面溅射形成铂叉指电极；再采用溶胶凝胶旋涂法在溅射有铂叉指电极的硅基片抛光表面沉积三氧化钨薄膜，所用前驱物为六氯化钨与无水乙醇按质量比0.8～1：10配制溶胶；再将制品置于马弗炉中进行热处理。本发明提供了一种可在室温下探测低浓度（0.1ppm）二氧化氮气体，且具有高灵敏度、快速响应/恢复、选择性好、重复性好的低功耗易集成硅基三氧化钨薄膜气敏传感器元件的制备方法。
一种基于氧化钨薄膜室温气体传感器元件制备方法

[发明专利]一种制备乳酸薄荷醇酯的硅钨杂多酸负载型催化剂的制法及应用-CN201010210779.1无效
发明人：金建忠;哈成勇;徐路加;周静伟;董雯雯 -专利权人：浙江树人大学
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B01J31/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于乳酸与薄荷醇之间酯化反应的硅钨杂多酸负载型催化剂，包括如下组成部分：Keggin结构硅钨酸H3SiW12O40.xH2O，其含量占催化剂总量的5-50％质量分数；催化剂载体为凹凸棒土。采用浸渍法制备负载于凹凸棒土上的硅钨杂多酸催化剂，可以用于催化合成乳酸薄荷醇酯。在优化条件下，乳酸薄荷醇酯产率可达80％以上。本发明的硅钨杂多酸负载型催化剂具有活性高、易于分离、可以重复使用等优点。
一种制备乳酸薄荷醇杂多负载催化剂制法应用

[发明专利]一种钨铜合金材料及其制备方法、应用-CN202010626454.5有效
发明人：陈明喜 -专利权人：昆山家锐电子科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于5G领域发射400G信号的光通讯模块的钨铜合金材料，包括以下重量份的组分：钨78.6‑81.2份；铜18.6‑21.10份；银0.02‑0.25份；硅0.15‑0.23份。本发明还提供一种上述的钨铜合金材料的制备方法，包括以下步骤：将钨、铜、银、硅与蜡基型粘结剂混合，通过密炼制成粒子、近终形注射成型、萃取法脱粘、烧结后即得到所述的钨铜合金材料。本发明还提供一种上述的钨铜合金材料的应用。本发明通过不断调整钨铜合金的成分，使钨铜合金与可伐合金(4J29)实现良好互焊，且热导率和热膨胀系数满足光通讯模块对材料的需求。
一种铜合金材料及其制备方法应用

[发明专利]一种从矽卡岩型锡尾矿综合回收钨锡铋硅的选矿方法-CN202111257268.X有效
发明人：汪泰;邹坚坚;陈明波;刘殿文;胡真;李汉文;王成行;姚艳清;李沛伦;付华;李强;杨凯志 -专利权人：广东省科学院资源利用与稀土开发研究所;昆明理工大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种从矽卡岩型锡尾矿综合回收钨锡铋硅的选矿方法。该方法首先将矽卡岩型锡尾矿脱泥、重选预富集后，经过一次粗选、两次扫选、两次空白精选得到铋硫精矿和浮硫尾矿，再进行重选二次富集得到钨锡混合精矿和摇床尾矿，经过一次粗选、两次扫选、两次空白精选得到钨精矿和锡精矿，最后经强磁选分离得到硅砂混合料和含铁杂质。该选矿方法实现了矽卡岩型锡尾矿中有价元素钨、锡、铋、硅的综合回收，获得了高品位和高回收率的钨精矿和锡精矿，实现了矽卡岩型锡尾矿的综合资源化利用。
一种矽卡岩型锡尾矿综合回收钨锡铋硅选矿方法

[发明专利]从钨废料熔炼渣中回收硫酸钴的方法-CN201910981959.0在审
发明人：王存锦;王世良;周孔臣;胡庆民 -专利权人：厦门钨业股份有限公司;厦门嘉鹭金属工业有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C22B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从钨废料熔炼渣中回收硫酸钴的方法，包括：(1)将钨废料熔炼渣进行酸浸处理，以便得到粗制硫酸钴溶液；(2)将所述粗制硫酸钴溶液与除硅剂混合进行反应，以便得到反应浆料；(3)将所述反应浆料进行固液分离处理，以便得到硫酸钴溶液和硅渣沉淀。由此，该方法可以有效回收钨废料熔炼渣中的硫酸钴，并且可以有效去除硫酸钴溶液中的硅元素，除硅率高达95％以上，能够满足高品质钴产品生产需求，操作简单，投入成本低，适合工业化生产。
硫酸钴溶液熔炼渣钨废料反应浆料硫酸钴粗制固液分离处理产品生产酸浸处理有效回收除硅剂高品质硅元素硅率硅渣去除沉淀回收

[发明专利]多官能度聚硅氧烷偶联剂及其制备方法-CN200810027710.8无效
发明人：章永化;张运生;黄华鹏;石耀刚;王建华 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明公开了多官能度聚硅氧烷偶联剂及其制备方法。该方法是在弱极性溶剂的体系中，铂系催化剂作用下，聚硅氧烷在50～120℃范围内通过侧基或端基官能团与三烷氧基硅烷之间的硅氢加成反应，合成多官能度聚硅氧烷偶联剂；聚硅氧烷中的碳碳双键或硅氢键的摩尔数与三烷氧基硅烷中的硅氢键或碳碳双键的摩尔数之比为本发明制备的多官能度聚硅氧烷每个链节含有三个烷氧基或端基含有三个烷氧基，其对无机粉末填料的表面处理效果较每个链节只有一个烷氧基的多官能度聚硅氧烷对无机粉末填料的表面处理效果要好，且所得的多官能度聚硅氧烷的耐热性优于现有的长链聚醚型硅烷偶联剂
官能度聚硅氧烷偶联剂及其制备方法

[其他]一种钨系水处理剂的配方-CN85100471无效
发明人：陆柱;周国光;陈中兴 -专利权人：华东化工学院
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1986-07-30 - 主分类号： C02F5/10 文献下载
摘要：一种水处理剂的配方，系由钨酸钠、葡萄糖酸钠、聚丙烯酸钠、羧酸酰铵、锌盐等组成，能克服已有技术中铬系水处理剂的毒性和碳系水处理剂的富营养化问题，是一种低钨含量的无公害的缓蚀阻垢水处理剂。
一种水处理配方

[发明专利]晶体硅系太阳能电池及其制造方法-CN201780039785.5有效
发明人：足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种晶体硅系太阳能电池，在晶体硅基板(1)的一个主面从晶体硅基板侧起依次具备本征硅系薄膜(21)和导电型硅系薄膜(22)。晶体硅基板在表面具有金字塔状的凹凸结构。设置于凹凸的顶部上的硅系薄膜的膜厚小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。优选设置于凹凸的谷部上的硅系薄膜的膜厚也小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。
晶体太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种高纯低氧钨硅合金靶材的制备方法-CN202110295606.2有效
发明人：李利利;丁照崇;曲鹏;李勇军;曹晓萌;贾倩;滕海涛;张晓娜;杜文路 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯低氧钨硅合金靶材及其制备方法，所述制备方法以高纯度的钨粉和高纯度的硅粉为原料，通过在填充惰性气体的手套箱内进行粉末配料、混粉罐装粉、混合后粉末装包套的方式进行，保证粉末全过程不暴露于大气环境，获得高纯低氧混合粉末，然后采用热等静压烧结成型，制备了微观组织均匀、相对密度≥99％、纯度≥5N、氧含量≤400ppm的钨硅靶材。本发明的方法不仅可以制备钨硅合金靶材，还可以制备其他如钽硅靶、铝钪靶等易氧化材料的靶材。
一种高纯低氧合金制备方法