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[发明专利]硅化钌处理方法-CN02806653.7无效
发明人：迈克尔·T·安德列亚斯;保罗·A·摩根 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2002-03-11 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明包括处理硅化钌的方法。在一个执行过程中，硅化钌处理方法依次包括在半导体基片的前侧和后侧形成硅化钌。将背面的硅化钌暴露于含氯和氟的水溶液中，该溶液能有效地从背面清除至少一些硅化钌。然后，将基片背面暴露于氧化钌蚀刻剂水溶液中。再将基片背面暴露在含氢氟酸的水溶液中。
硅化钌处理方法

[发明专利]利用Ru/Si二极管的交叉点存储器-CN201180034046.X有效
发明人：尼马尔·拉马斯瓦米;柯尔克·D·普拉尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：所述二极管包括钌材料及硅材料。所述二极管进一步包括在所述硅材料上的钌或硅化钌的界面。硅化钌界面可为多晶硅化钌。
利用 ru si 二极管交叉点存储器

[发明专利]硅化钌湿法蚀刻-CN02805914.X无效
发明人：布伦达·D·克劳斯;米歇尔·T·安德烈亚斯 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2002-02-22 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种从基片表面除去硅化钌的方法，该方法包括将硅化钌表面暴露在含有氯和氟的化学品溶液中。具体而言，所述的溶液是用于与所述的硅化钌膜进行反应，以便形成水溶性的反应产物。
硅化钌湿法蚀刻

[发明专利]一种疏水性手性有机金属钌功能化的介孔硅球的制备方法-CN201610143522.6在审
发明人：刘国华;刘晓晨;程探宇;苏彦超;张根伟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种疏水性手性有机金属钌功能化的介孔硅球的制备方法。通过四乙氧基硅烷、十六烷基三甲基溴化铵、二苯基二氯硅烷和(R,R)‑4‑(三甲氧基甲基硅烷)乙基苯基磺酰基‑1,2‑二苯基二胺在70℃碱性水溶液中进行共聚，然后在100℃条件下进行沉化，最后在无水二氯甲烷中金属钌与疏水性介孔硅球载体配位，从而合成疏水性手性有机金属钌功能化的介孔硅球。本发明的介孔硅球能够很好的分散在有机溶剂中，并能快速吸附油性底物，能够起到加快反应速率的作用，所以和普通介孔材料相比，苯基修饰的手性有机金属钌功能化的介孔硅球作为多相催化剂，能够提高催化反应的反应速率。
一种疏水手性有机金属功能介孔硅球制备方法

[发明专利]一种手性乙二胺钌配合物修饰的聚乙二醇功能化的介孔硅纳米球及其制备方法-CN201510848321.1在审
发明人：刘国华;张坤;程探宇;王紫云;韩冰;张根伟;郑冬松 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种手性乙二胺钌配合物修饰的聚乙二醇功能化的介孔硅纳米球制备方法，包括以下步骤：首先选用的是正硅酸乙酯TEOS作为硅源，在钛酸四乙酯催化下自聚成低聚合度的硅源；聚乙二醇单醚在钛酸四乙酯的催化下取代PEOS部分有机基团形成聚乙二醇功能化的低聚合度的硅源；再与手性乙二胺功能硅源碱性条件下水解共聚得到手性乙二胺修饰的聚乙二醇功能化的介孔硅纳米球；最后通过与有机金属钌配位，制备出手性乙二胺钌配合物修饰的聚乙二醇功能化的介孔硅纳米球
一种手性乙二胺钌配合修饰聚乙二醇功能介孔硅纳米及其制备方法

[发明专利]1,2－二取代二茂钌面手性配体及其合成方法-CN200710046459.5无效
发明人：张万斌;谢芳;刘德龙 -专利权人：上海交通大学;日本化学工业株式会社
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： C07F17/02 文献下载
摘要：一种化工技术领域的1，2－取代二茂钌面手性配体及其合成方法。本发明包括六步反应：二茂钌经过傅克酰基化反应后再水解得1－羧基二茂钌；1－羧基二茂钌与草酰氯反应得1－氯羰基二茂钌；1－氯羰基二茂钌与β－氨基醇反应得到酰胺类化合物，然后与甲烷基磺酰氯反应得到1－噁唑啉基二茂钌；1－噁唑啉基二茂钌与仲丁基锂反应后再与二苯基氯化磷反应得(S，Sp)－1，2－取代二茂钌P，N－配体；1－噁唑啉基二茂钌与仲丁基锂反应后再与三甲基氯硅烷反应得(S，Sp)－1－噁唑啉基－2－三甲基硅基二茂钌，然后加入正丁基锂锂化再与二苯基氯化膦反应得1，2，3－三取代二茂钌，再脱去三甲基硅基即得到(S，Rp)－1，2－二取代二茂钌P，N－配体，其结构式如下：式中：R：a＝异丙基，b＝叔丁基。
取代二茂钌面手性及其合成方法

[发明专利]一种负载钌配合物介孔硅纳米颗粒及其制备和应用-CN201610887125.X有效
发明人：吕高超;林建国;邱玲;李珂;刘桂青;刘清竹 -专利权人：江苏省原子医学研究所
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： A61K9/51 文献下载
摘要：本发明涉及医药技术领域，提供了一种负载钌配合物介孔硅纳米颗粒RuNPs，包括：纳米介孔硅球MSNs，负载在所述纳米介孔硅球MSNs上的钌配合物RuNHC，以及包覆所述负载有钌配合物的纳米介孔硅球MSNs的生物素化壳聚糖CTS‑Biotin。
一种负载配合物介孔硅纳米颗粒及其制备应用

[发明专利]一种目标物介导的荧光比率型传感器检测赭曲霉素A的检测方法-CN201910147148.0有效
发明人：许惠凤;朱希;余丽双;王丽丽;张诗琪 -专利权人：福建中医药大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种目标物介导的荧光比率型传感器检测赭曲霉素A的检测方法，该方法利用目标物赭曲霉素A诱导介孔硅球释放钌联吡啶以及荧光硅量子点与钌联吡啶之间具有荧光能量转移的特点，构建荧光比率型传感器对赭曲霉素A进行检测；其中，所述介孔硅球为适配体封闭钌联吡啶填充的氨基功能化的介孔硅球，所述适配体的序列为：5’‑GATCGGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAG CATCGGACA‑3'。
一种目标物介导荧光比率传感器检测曲霉方法

[发明专利]一种嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料及其制备方法-CN201711380239.6有效
发明人：王欣;唐电;刘雪华;周迎朝;张腾;邹翔达;李国荣;王启凡;唐中帜;周杨杰 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料及其制备方法。所述的活性材料的嵌入体为钌硅复合氧化物，平均颗粒尺度为12 nm，其中Si∶Si+Ru摩尔比为0.18～0.22∶1。所述的嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料的制备方法，采用复合电镀方法，将镍和钌硅复合氧化物同时沉积，获得嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料。
一种嵌入复合氧化物活性电极材料及其制备方法

[发明专利]一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法-CN201310343200.2有效
发明人：李伟;余锋;廖家科;郭安然;王冲;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①对多孔硅进行金属修饰前处理；②使用氯化钌的酸溶液修饰多孔硅；③对金属钌修饰后的多孔硅进行干燥处理；④在金属钌修饰后的多孔硅表面沉积金属电极；⑤快速退火；光刻形成指定电极形状。本发明利用贵金属修饰的原理，经过氧化处理，在多孔硅表面形成一层金属钌颗粒和氧化硅的过渡层，再蒸镀金属电极，可提高多孔硅与金属电极间的电接触质量，降低多孔硅与金属电极的接触电阻。本发明可用于基于多孔硅的光电探测器和太阳能电池，能有效提高器件的响应速度和光电转换效率，且制备工艺简单、成本较低。
一种基于金属修饰多孔表面金属电极制备方法

[发明专利]使用PVD钌的方法与装置-CN201780061629.9有效
发明人：乔斯林甘·罗摩林甘;罗斯·马歇尔;雷建新;唐先民 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-10-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。
使用 pvd 方法装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200310116474.4无效
发明人：松沼健司 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：该方法的具体步骤如下：在衬底(11)上形成栅氧化膜(12)，在栅氧化膜上形成多晶硅膜(13)，在多晶硅膜上形成作为掩模材的钌膜(14)，在钌膜上形成光刻胶图案(15)；以光刻胶图案(15)为掩模使钌膜(14)形成图案后，使形成了图案的钌膜(14a)收缩；以收缩了的钌膜(14b)为掩模使多晶硅膜(13)形成图案后，将钌膜(14b)除去。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种调控非晶硅薄膜光学带隙的方法-CN201510399197.5有效
发明人：李伟;郭安然;卢满辉;盛浩;宋钦剑;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控非晶硅薄膜光学带隙的方法，通过在非晶硅薄膜里加入钌元素实现对非晶硅薄膜光学带隙的调控。本发明通过在非晶网络中引入贵金属钌，在较低钌含量的情况下即可大幅度调控非晶硅薄膜的光学带隙。本发明可用于硅基薄膜叠层太阳能电池和红外探测器件等领域。
一种调控非晶硅薄膜光学方法

[发明专利]一种联吡啶钌功能化的发射红色荧光的硅纳米粒子复合物的制备方法-CN201811143825.3在审
发明人：李文友;窦亚坤;何锡文;张玉奎 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：一种联吡啶钌功能化的发射红色荧光的硅纳米粒子复合物的制备方法，包括：以柠檬酸钠为还原剂，3‑[2‑氨基乙基氨基]丙基三甲氧基硅烷为硅源，丙三醇为溶剂，采用常压微波辅助合成方法合成硅纳米粒子储备液；将三(4,4‑二羧基联吡啶)氯化钌溶液用1‑(3‑二甲基氨丙基)‑3‑乙基碳二亚胺盐酸盐和N‑羟基琥珀酰亚胺活化；将硅纳米粒子储备液加入到活化后的三(4,4‑二羧基联吡啶)氯化钌溶液中，反应得到红色荧光发射的硅纳米粒子复合物溶液本发明在温和的条件下合成能够发射红色荧光的硅纳米粒子复合物。合成的硅纳米粒子复合物具有较低的毒性及良好的生物相容性，且能够在双光子激发下发生荧光共振能量转移，实现细胞的红色荧光成像。
硅纳米粒子复合物发射红色荧光氯化钌溶液红色荧光联吡啶钌储备液二羧基功能化联吡啶活化制备乙基碳二亚胺盐酸盐丙基三甲氧基硅烷荧光共振能量转移合成羟基琥珀酰亚胺微波辅助合成复合物溶液合成硅纳米生物相容性双光子激发二甲基氨柠檬酸钠丙三醇还原剂基氨基溶剂丙基常压硅源成像粒子细胞发射

[发明专利]一种硅表面镀层及其制备工艺和用途-CN201910146987.0有效
发明人：刘守法;豆素勤;赵金国 -专利权人：西京学院
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅表面镀层及其制备工艺和用途，该工艺包含：(1)将单晶硅试样放入SnCl2/HCl溶液中敏化；(2)将敏化试样浸泡在PdCl2/HCl/HF溶液中活化；(3)将活化试样浸泡在无电镀镍溶液中镀镍；(4)将镀镍试样在H2/Ar环境中热处理，形成镍硅化合物；(5)将试样粘在铜片上，电镀负极接试样上的铜片，在钴钌溶液中电镀，钴钌合金镀层的厚度至少为0.090μm；(6)将电镀正极接试样上的铜片，将试样放入电镀铜溶液中电镀，待电镀结束后将试样放入H2/Ar环境中在进行退火处理，退火处理根据步骤(5)中钴钌合金镀层的厚度控制，完成镀层制备。
一种表面镀层及其制备工艺用途

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