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[发明专利]一种真空条件下生产金属硅的工艺-CN201210025383.9在审
发明人：王洪举 -专利权人：王洪举;江苏晶和新能源有限公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明属于金属硅生产技术领域，特别是涉及一种在真空条件下生产金属硅的工艺，是由石英砂与碳粉在石墨坩埚中搅拌、混合，主要是在真空状态下，高温反应，从而产生所需的金属硅和一氧化碳的完整工艺。在其运行状态下，产生的一氧化碳被真空机组抽出压缩储存，可以合理的再次利用产生新的经济效益，同时真空状态下减少粉尘、气体的污染和流失量，从而可以达到最高的利用率。
一种真空条件下生产金属硅工艺

[发明专利]反应室处理的方法-CN200310116522.X有效
发明人：刘俊良;张宏隆 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种反应室处理的方法，此方法是适用于处理反应室中的碳残留物与硅残留物。此方法包括于反应室中通入氧气，以于此反应室中进行氧气电浆处理制程，而使碳残留物与硅残留物分别生成二氧化碳气体与氧化硅。由于所生成的二氧化碳气体会排出反应室，且氧化硅会粘着于反应室的壁上，因此可以避免后续蚀刻制程遭受到碳残留物与硅残留物的污染。
反应处理方法

[发明专利]一种纳米聚酰胺硅球-CN201911269245.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：杨阳
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C08L77/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米聚酰胺硅球，原料包括以下重量份的组分：正硅酸甲酯5份～20份，芳香族聚酰胺40份～60份，三元乙丙橡胶20份～40份，二氧化硅5份～10份，聚乳酸2份～8份，四氯化碳50份～100份，二甲基亚砜60份～120份，嵌段聚合物5份～8份；所述纳米聚酰胺硅球为介孔中空纳米聚酰胺硅球，所述硅球的粒径为20nm～200nm。本发明的纳米聚酰胺硅球以芳香族聚酰胺为主要原料，以正硅酸甲酯为硅源，辅以三元乙丙橡胶，二氧化硅，聚乳酸，四氯化碳，二甲基亚砜，得到的硅球材料能够有效阻隔金属离子渗出，提高材料抗氧化的性能。
一种纳米聚酰胺

[发明专利]一种硅异质结太阳电池的制备方法-CN202211428408.X在审
发明人：薛彦斌;王强;王步峰;陈斌;谭闻钧;安艳龙 -专利权人：新疆未来双碳能源有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种硅异质结太阳电池的制备方法，PECVD化学沉积过程中①将二氧化碳形成含氧活性基团能的等离子体，在硅片表面形成钝化硅片表面悬挂键的氧化层；②对已钝化硅片表面悬挂键的硅片在低氢稀释比的气体氛围下继续沉积，为界面钝化提供丰富的氢；③使用氩等离子体对硅片进行轰击，使非晶硅内的硅‑硅或者硅‑氢弱键断裂重组，使自由氢原子向界面扩散与硅片表面的悬挂键结合，降低界面缺陷密度，提高光敏性；④在高氢稀释比的气体氛围下，引入二氧化碳作为氧源继续沉积，增加非晶硅的禁带宽度，降低寄生光吸收，提高太阳电池的光生电流密度，可以有效降低本征非晶硅的寄生光吸收问题，从而解决异质结太阳电池的光生电流降低问题。
一种硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种高硅含油废水的处理方法-CN201610331639.7在审
发明人：景文珩;陈超;沈浩;邢卫红 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硅含油废水的处理方法，其方法包括以下步骤：臭氧曝气、二氧化碳曝气、陶瓷膜过滤三个步骤。其主要原理是利用臭氧氧化分解废水中聚丙烯腈、油等有机物，降低料液的黏度；采用二氧化碳曝气，调节废水pH至3‑7，形成絮状硅酸胶体，降低废水中的硅含量；经上述工艺处理后的废水进入陶瓷超滤膜过滤系统进行过滤本发明具有臭氧和二氧化碳利用率高，可有效抑制膜表面的污染层的形成，提高膜处理单元的过滤通量和浓缩倍数等优点，大幅降低了高硅含油废水的设备总体投资费用和运行成本。
一种含油废水处理方法

[发明专利]一种蛋黄-壳结构负极材料及其制备方法和锂离子电池-CN201811094764.6有效
发明人：何锐;何巍;刘金成;袁中直 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供的负极材料包括硅核和包覆硅核的石墨化碳壳层，所述硅核位于由石墨化碳壳层形成的空腔中并且与石墨化碳壳层之间存在空隙。
一种蛋黄结构负极材料及其制备方法锂离子电池

[实用新型]一种多晶硅生产过程中废气与废液处理系统-CN202223056172.X有效
发明人：曹玲玲;杨明财;鲍守珍;宗冰;王体虎 -专利权人：青海亚洲硅业硅材料有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅生产过程中废气与废液处理系统，属于多晶硅生产技术领域，包括依次首尾连接的反应器、压滤子系统和冷却结晶子系统，反应器内用于使氨水、氯化钙高盐废水、含二氧化碳的烟气进行反应。本实用新型通过反应器使氨水、氯化钙高盐废水、二氧化碳进行反应，得到碳酸钙沉淀、氯化铵溶液的固液混合物，通过压滤子系统对固液混合物进行压滤，冷却结晶子系统进行冷却结晶，得到资源化产品氯化铵，以此降低多晶硅生产过程中产生的二氧化碳
一种多晶生产过程废气废液处理系统

[发明专利]一种含石墨化碳点的纳米空心球的制备方法-CN202010009825.5有效
发明人：储茂泉;孟天恺;付锴;章泽飞 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种含石墨化碳点的纳米空心球的制备方法，本发明先以正硅酸四乙酯、十六烷基三甲基溴化铵、1,2‑二(三乙氧基硅基)乙烷、氨基丙基三乙氧基硅烷、氨水、盐酸为原料，制备含氨基丙基三乙氧基硅烷的硅球，然后将这种硅球分散于无水乙醇中，高温加热，加热过程，形成空心二氧化硅，同时，氨基丙基三乙氧基硅烷和无水乙醇也在加热过程中在硅球中碳化，即，空心二氧化硅纳米粒子和石墨化碳点的形成过程与该两种纳米粒子的复合过程是在高温加热过程中一步完成的本发明提供的制备方法，过程简捷，成本低廉，获得的含石墨化碳点的空心二氧化硅纳米复合粒子，生物相容性好，在光热治疗、药物装载、药物缓释等领域有很好的应用前景。
一种石墨化碳点纳米空心球制备方法

[发明专利]硅碳复合材料及其制备方法、负极片和锂二次电池-CN202211206881.3在审
发明人：王胜彬;王世贤;杨琪;俞会根 -专利权人：北京卫蓝新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请公开一种核壳结构硅碳复合材料，包括：由微米硅形成的内核；包覆在内核表面的无定形碳层，其中无定形碳层中包埋有一维碳材料。还公开一种核壳结构硅碳复合材料的制备方法，包括：将一维碳材料的浆料和无定形碳碳源或将一维碳材料的浆料、无定形碳碳源和固态电解质加入溶剂中，通过搅拌蒸干得到混合材料；使用混合材料对微米硅进行固相包覆，得到包覆材料；对包覆材料进行碳化处理，任选在碳化处理后使用石墨化碳碳源或使用石墨化碳碳源和固态电解质进行包覆和碳化处理，得到核壳结构硅碳复合材料。还公开一种包括上述核壳结构硅碳复合材料的负极片和锂二次电池。本申请的核壳结构硅碳复合材料能有效抑制微米硅体积膨胀，提高材料稳定性。
复合材料及其制备方法负极二次电池

[发明专利]一种压裂用硅氧烷聚合物超临界二氧化碳增稠剂的制备方法-CN201711162131.X有效
发明人：王彦玲;李强;尹子辰;李永飞;汤龙皓 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种压裂用硅氧烷聚合物超临界二氧化碳增稠剂的制备方法。该方法包括：使氨丙基烷氧基硅烷水解产物与四甲基四乙烯基环四硅氧烷及其他环硅氧烷，在碱催化下回流反应，制得氨丙基封端乙烯基侧链改性聚二甲基硅氧烷，再与芳香酰氯进行酰氯反应，得芳香酰胺基封端侧链改性硅氧烷聚合物；滴加氯铂酸的有机溶剂溶液，使芳香酰胺基封端侧链改性硅氧烷聚合物与含氢硅氧烷进行反应得产物。本发明单体合成效率高，硅氧烷聚合物作为压裂用超临界二氧化碳增稠剂产品中的苯基和酰胺基可提高增稠效果，产品用量较低时就具有增稠性能优良，减少对地层地下水和地表水污染。
一种压裂用硅氧烷聚合物临界二氧化碳增稠剂制备方法

[发明专利]从气流中脱除全氟代烃-CN95105244.6无效
发明人：Ｓ·Ｓ·塔姆汉卡;Ｒ·拉马钱德兰;Ｍ·比洛;Ｔ·Ｒ·加里卡 -专利权人：波克股份有限公司
申请日： 1995-05-23 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： B01D53/70 文献下载
摘要：通过将气流在诸如FAU结构的富硅吸附剂、BEA结构的富硅吸附剂、MOR结构的富硅吸附剂的一种或多种能量均匀吸附剂床上进行吸附方法而从气流中回收全氟化碳，吸附方法较好的是变压吸附或变温吸附。$#!
气流脱除全氟代烃

[发明专利]一种改性锂低硅沸石分子筛及其制备方法-CN202110614791.7在审
发明人：管英富;张剑锋;杨云;李旭;李娅玲;梁力友 -专利权人：昊华化工科技集团股份有限公司;西南化工研究设计院有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： B01J20/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于吸附氮气、甲烷、一氧化碳等气体的低硅X型改性沸石分子筛,该分子筛可用于气体吸附分离、催化、离子交换等多种领域，具体为一种改性锂低硅沸石分子筛及其制备方法。该分子筛以低硅X型沸石分子筛原粉为原料，用锂离子交换去除Na‑LXS中钠离子，改性后的沸石分子筛显著提高了氮气、甲烷、一氧化碳等气体吸附容量，可广泛用于催化、离子交换、吸附分离等领域。
一种改性锂低硅沸石分子筛及其制备方法

[发明专利]叠层本征层的晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法-CN201811524083.9在审
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及的一种叠层本征层的晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面设有n面非晶硅本征层第一层、n面非晶硅本征层第二层和n面非晶硅本征层第三层，所述N型晶体硅片的背面设有p面非晶硅本征层；所述n面非晶硅本征层第一层采用纯硅烷沉积，所述n面非晶硅本征层第二层采用硅烷和二氧化碳的混合气体沉积，所述n面非晶硅本征层第三层采用硅烷、二氧化碳和氢气的混合气体沉积；所述n面非晶硅本征层第三层和p面非晶硅本征层的外侧均设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜。本发明既能有效地钝化晶硅表面，又使非晶硅本征层自身的透过率高，提升电池的光电转换效率。
非晶硅本征层第三层沉积异质结太阳能电池电极结构混合气体本征层掺杂层第一层非晶硅二氧化碳叠层硅烷晶硅制备光电转换效率晶硅表面氢气纯硅烷导电膜透过率有效地钝化背面电池

[实用新型]叠层本征层的晶硅异质结太阳能电池电极结构-CN201822091559.6有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种叠层本征层的晶硅异质结太阳能电池电极结构，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面设有n面非晶硅本征层第一层、n面非晶硅本征层第二层和n面非晶硅本征层第三层，所述N型晶体硅片的背面设有p面非晶硅本征层；所述n面非晶硅本征层第一层采用纯硅烷沉积，所述n面非晶硅本征层第二层采用硅烷和二氧化碳的混合气体沉积，所述n面非晶硅本征层第三层采用硅烷、二氧化碳和氢气的混合气体沉积；所述n面非晶硅本征层第三层和p面非晶硅本征层的外侧均设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜。本实用新型既能有效地钝化晶硅表面，又使非晶硅本征层自身的透过率高，提升电池的光电转换效率。
非晶硅本征层第三层沉积异质结太阳能电池本实用新型电极结构混合气体本征层掺杂层第一层非晶硅二氧化碳叠层硅烷晶硅光电转换效率晶硅表面氢气纯硅烷导电膜透过率有效地钝化背面电池

[发明专利]一种胺基动态改性的介孔硅基材料及其制备方法和应用-CN202210453020.9在审
发明人：薛敏;李泳升;孙慧丽 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明提供一种胺基动态改性的介孔硅基材料及其制备方法和应用，该制备方法是在介孔硅基微球的基础上，采用胺基改性材料对其进行动态改性，使介孔硅基微球的表面和孔道内部嫁接更多的氨基基团，更多的氨基基团有利于增加对二氧化碳的吸附效果同时，多余的胺基改性材料在抽滤和洗涤的动态操作下不会残留在介孔硅基微球的表面和孔道内部，使得胺基动态改性的介孔硅基材料保留了部分孔道结构，具有一定的比表面积，有利于增大材料与气体之间的接触面积，有利于物理吸附作用和化学吸附作用的进行，进而进一步提高对于二氧化碳的捕获能力。
一种胺基动态改性介孔硅基材料及制备方法应用