“硅化碳”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果392496个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种具有支化结构的超临界二氧化碳增稠剂及其制备方法-CN202310969813.0在审
发明人：谢刚;付丽;白杨 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有支化结构的超临界二氧化碳增稠剂及其制备方法，属于油田钻屑处理技术领域，其制备方法包括以下步骤：将含溴羧酸类物质、多羟基类物质、4‑（二甲氨基）吡啶、1‑乙基‑3‑（3′‑二甲氨基丙基）碳二亚胺盐酸盐，依次与镁粉和碘悬浮液、含硅氢键氯代硅烷类物质反应得到硅氢封端的具有支化结构的酯，将2‑丙烯酸‑2‑羟基‑1,3‑丙二酯、二酰氯类物质、4‑（二甲氨基）吡啶反应制得含多个双键的酯类物质，再利用制得的硅氢封端的具有支化结构的酯与含多个双键的酯类物质混合反应，加入含硅氢键双键硅氧烷类物质反应制得增稠剂；本发明的增稠剂能够提升其在超临界二氧化碳中溶解能力，具备良好的链柔性，对超临界二氧化碳具有很好的增稠效果
一种具有结构临界二氧化碳增稠剂及其制备方法

[发明专利]一种去除有机硅废触体和废浆渣中碳的方法-CN202310510378.5在审
发明人：伍继君;蔡昕玥;马文会;魏奎先;陈正杰 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除有机硅废触体和废浆渣中碳的方法，其特征在于，包括以下步骤：将有机硅废触体和废浆渣真空干燥，并用振动磨研磨后过50～150目筛网；研磨后的样品放置于氮气和空气的混合气氛中，在300～500℃下进行氧化焙烧1～8h，得到低碳含量的硅粉。本发明通过焙烧，使有机硅废触体和废浆渣中的有机碳得到充分挥发去除，为了控制金属硅粉的氧化，选择低温氧化焙烧、较短的焙烧时间以及控制氧化气氛，使物料中的无机碳与氧气反应生成一氧化碳或二氧化碳气体逸出，在减少硅氧化的同时提高杂质碳的去除率；通过该工艺所得硅粉的碳含量较低，其性能更优，可作为硅冶炼企业的原料、硅系孕育剂，达到废物再利用的目的。
一种去除有机硅废触体废浆渣中碳方法

[发明专利]一种硅锌掺杂的石墨相氮化碳纳米材料及其在光催化还原中的应用-CN201710572666.8有效
发明人：鲁成旭;王元有;钱琛;龚安华;陈锁金;徐雪娇;尹依雯 -专利权人：扬州工业职业技术学院
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锌掺杂的石墨相氮化碳纳米材料及其在光催化还原中的应用，具体涉及一种硅锌掺杂的石墨相氮化碳纳米材料，其制备方法包括如下步骤：(1)将硫酸锌溶于适量的去离子水中，加入氨水，室温下搅拌反应1‑小时，离心，得沉淀；(3)将步骤(2)得到的沉淀与三聚氰胺，用研钵研磨均匀后，放入马弗炉中，温度设定为510℃，升温速率10℃/min，保温时间120分钟，保温结束后，停止加热自然冷却至室温，得到所述硅锌掺杂的石墨相氮化碳纳米材料
一种掺杂石墨氮化纳米材料及其光催化还原中的应用

[发明专利]一种石墨烯基核壳结构硅碳复合材料及其制备方法-CN201810608228.7在审
发明人：杨晓伟;闫远滔 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯基核壳结构硅碳复合材料及其制备方法，复合材料由硅粉、石墨烯、非石墨化碳组成，以重量百分计，硅粉为35‑70％，石墨烯为20‑50％，非石墨化碳为5‑25％，制备方法为，将硅粉分散到石墨烯空腔中本发明的石墨烯基核壳结构硅碳复合材料具有核壳结构，内层“石墨烯核”可有效缓解硅的体积形变效应，外层“碳壳”可有效阻挡硅与电解液的直接接触，显著提高了界面稳定性，进而有效提高循环性能。
核壳结构石墨烯硅碳复合材料石墨烯基硅粉制备非石墨化碳界面稳定性原材料来源结构稳定绿色环保喷雾干燥体积形变循环性能有效缓解原位聚合制备工艺复合材料保护层电解液空腔内层碳层碳壳造粒阻挡构筑

[发明专利]用拜尔法赤泥制备单质铁、单质铝和单质硅的方法-CN201010615458.X无效
发明人：谢善情 -专利权人：谢善情
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了用拜尔法赤泥制备单质铁、单质铝和单质硅的方法，将拜尔法赤泥粉碎为至80-100目细粉，与水充分混合后，过滤，得到含三氧化二铁，三氧化二铝和二氧化硅的滤渣和滤液；所得的滤渣与炭在200-400℃高温下反应，生成铁、铝和硅的混合物及二氧化碳气体,二氧化碳气体通入所得滤液中吸收；所得铁、铝和硅的混合物经磁选装置磁选分离，得到单质铁产品，以及铝和硅的混合物；所得铝和硅的混合物加热至660.4℃，此时铝熔化为液体，而硅不熔化，待铝完全熔化后，固液分离，得到单质硅和单质铝。
用拜尔法赤泥制备单质方法

[发明专利]用拜尔法赤泥制备单质铁、单质铝和单质硅的方法-CN201010615457.5无效
发明人：谢善情 -专利权人：谢善情
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了用拜尔法赤泥制备单质铁、单质铝和单质硅的方法，将拜尔法赤泥粉碎为至80-100目细粉，与水充分混合后，过滤，得到含三氧化二铁，三氧化二铝和二氧化硅的滤渣和滤液；所得的滤渣与炭在200-400℃高温下反应，生成铁、铝和硅的混合物及二氧化碳气体,二氧化碳气体通入所得滤液中吸收；所得铁、铝和硅的混合物加热至660.4℃，此时铝融化为液态，而铁和硅不熔化，待铝完全融化后，固液分离，得到铝液以及铁和硅的混合物，铝液冷却后即为单质铝产品；所得铁和硅的混合物经磁选装置磁选分离，得到单质铁产品和单质硅产品。
用拜尔法赤泥制备单质方法

[发明专利]一种硅氧烷类超临界二氧化碳增稠剂及其制备方法-CN202310972046.9在审
发明人：谢刚;郝一平;白杨 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08G63/695 文献下载
摘要：本发明涉及油基钻屑无害化处理领域，具体而言，涉及一种硅氧烷类超临界二氧化碳增稠剂及其制备方法，制备原料为氨基的苯二酸类、二碳酸二叔丁酯、4‑乙烯基‑1，3‑环戊烷二甲醇、含碳碳双键的硅氧烷类物质。本发明所提供的超临界二氧化碳增稠剂在超临界二氧化碳中的溶解性好，具有优异的增稠性能，可使超临界二氧化碳黏度扩大到188倍，对油基钻屑中油相的平均萃取率可达99.91％，且成本低廉，原料易得，可实现规模化应用
一种硅氧烷类超临界二氧化碳增稠剂及其制备方法

[发明专利]煤矸石或油母页岩渣生产硅方法-CN201710674803.9在审
发明人：刘胜;王玲;杨程程;田晓翠;朱福英 -专利权人：抚顺市盛达工业产品综合利用有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及煤矸石或油母页岩渣生产硅方法，包括主要有煤矸石、催化剂、硫酸、氢氧化钠、二氧化碳和无水乙醇；采用煤矸石或油页岩渣生产工艺，充分利用煤矸石燃烧性质及煅烧过程中产生净化的二氧化碳，通过硫酸及无水乙醇的严格配方，能生产硅系列产品，废物利用，降低环境污染，生产工艺先进，生产硅产品系列等优点，能投入广泛生产中，造福社会。
煤矸石油母页岩渣无水乙醇二氧化碳生产工艺硫酸生产煤矸石燃烧废物利用氢氧化钠油页岩渣硅产品煅烧催化剂配方净化

[发明专利]三硅胺稀土配合物在催化碳酸酯和硼烷反应中的应用-CN201910647023.4有效
发明人：薛明强;徐晓娟;康子晗;陈素芳;刘倩倩;蔡玲霞 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C07F5/04 文献下载
摘要：本发明公开了三硅胺稀土配合物在催化碳酸酯和硼烷反应中的应用，包括以下步骤，氮气氛围下，在三硅胺稀土配合物存在下，将硼烷和碳酸酯反应，得到硼酸酯。本发明首次以稀土配合物催化碳酸酯和频哪醇硼烷的硼氢化反应，从而开发出一类新型高效的催化硼氢化反应的催化剂，其结构简单，合成容易，不仅拓展了三硅胺稀土配合物的应用，更丰富了碳酸酯与频哪醇硼烷的合成反应的方法
三硅胺稀土配合催化碳酸反应中的应用

[发明专利]一种碱洗硅处理碱性污水处理装置及其使用方法-CN201910844855.5在审
发明人：石坚;李杰;于友;朱棣 -专利权人：山东九思新材料科技有限责任公司
申请日： 2019-09-07 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C02F1/66 文献下载
摘要：一种碱洗硅处理碱性污水处理装置及其使用方法，属于碱洗硅处理技术领域，包括控制箱、底架和固定安装在底架上的反应罐，所述反应罐侧壁底部通过二氧化碳进管安装有二氧化碳液罐，反应罐侧壁上部安装有二氧化碳出管，反应罐的底面左右两侧分别安装有进液管和排液管控制箱接收各个传感器、检测计的信号，实现对各个阀门和循环泵的自动控制，通过二氧化碳进管向反应罐内输送二氧化碳，进液管向反应罐输送碱性污水，在反应罐内二氧化碳与碱性污水反应，生成PH接近中性，无污染、无毒的物质，环保性高，且二氧化碳成本低廉，安全性好。
二氧化碳反应罐碱性污水硅处理进液管控制箱底架碱洗进管排液管出口端二氧化碳液侧壁上部处理装置左右两侧环保性排液管循环泵传感器侧壁出管底面阀门有压无毒检测

[发明专利]一种超临界二氧化碳增稠剂的制备方法及应用-CN202011464634.4有效
发明人：王彦玲;刘斌;李强;梁雷;巩锦程;汤龙皓;张传保 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C08F230/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超临界二氧化碳增稠剂的制备方法及应用。先使乙氧基三甲基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷反应制备乙烯基三(三甲基硅氧烷基)硅烷，然后使乙烯基三(三甲基硅氧烷基)硅烷与乙二醇二甲基丙烯酸酯反应制得聚合物即超临界二氧化碳增稠剂。所制备的聚合物作为超临界二氧化碳增稠剂应用时，0.5％聚合物溶液便有明显的增稠效果。
一种临界二氧化碳增稠剂制备方法应用

[发明专利]一种硅锰矿热炉尾气深度利用近零排放系统-CN202310275542.9在审
发明人：黄卫霞;弋治军 -专利权人：四川川锅锅炉有限责任公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅锰矿热炉余热利用领域，提供了一种硅锰矿热炉尾气深度利用近零排放系统，包括：硅锰矿热炉和燃气内燃机组；尾气净化机构，所述尾气净化机构的入口与所述硅锰矿热炉的尾气出口连通，所述尾气净化机构的出口与所述燃气内燃机组的入口连通；余热发电机构，所述余热发电机构包括的入口与所述燃气内燃机组的出口连通；物料烘干装置，所述物料烘干装置的气体入口与所述余热发电机构的出口连通；以及二氧化碳捕集装置，所述二氧化碳捕集装置的入口与所述物料烘干装置的气体出口连通本系统增加了物料烘干装置和二氧化碳捕集装置，实现余热的充分回收及CO2的捕集，将尾气利用效率由30％左右提升至＞40％，具有显著的经济效益和环保效益。
一种锰矿尾气深度利用排放系统

[发明专利]植生混凝土及其制备方法-CN202211217000.8在审
发明人：李扬;张全贵;万维福 -专利权人：北京建筑材料科学研究总院有限公司;北京金隅混凝土有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C04B28/04 文献下载
摘要：所述制备方法包括以下步骤：(1)将水泥、粉煤灰、矿粉、硅灰、石子、减水剂、降碱剂和水投入搅拌机中，搅拌均匀，得到植生混凝土试块；(2)将所述植生混凝土试块放入二氧化碳养护箱内进行养护。其中，所述水为二氧化碳纳米气泡水，所述降碱剂的制备方法包括：以硅质材料和碱溶液为原料，混合均匀后，烘干得羟基活化的硅质材料；将所述羟基活化的硅质材料和偶联剂混合，在100～160℃下焙烧2～3h。通过该制备方法制得的植生混凝土可以明显降低混凝土的碱度，增加抗压强度，同时大量利用二氧化碳，为实现碳中和目标提供了一种途径。
混凝土及其制备方法

[发明专利]一种链状硅氧烷类超临界二氧化碳增稠剂及其制备方法-CN202310972217.8在审
发明人：谢刚;唐伟舰;郝一平;付丽 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明涉及油基钻屑污染处理领域，具体而言，涉及一种链状硅氧烷类超临界二氧化碳增稠剂及其制备方法，包括如下步骤：二(2‑甲氧基乙基)(Z)‑丁‑2‑烯二酸酯与含氨基醇类物质反应，反应完成后加入溴水，再与多元酸反应，最后与焦硅酸六乙酯与1,2‑双(甲基二乙氧基硅基)乙烯反应所得产物混合反应得所述链状硅氧烷类超临界二氧化碳增稠剂。本发明所提供的一种链状硅氧烷类超临界二氧化碳增稠剂的制备方法，经实验测定平均黏度比最高可达200，且有明显的助溶效果，经实验测定平均萃取率最高可达99.93％，还具有原料易得、成本低廉、制备工艺简单等优点
一种链状硅氧烷类超临界二氧化碳增稠剂及其制备方法

[发明专利]太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法-CN200410020802.5无效
发明人：朱德永 -专利权人：朱德永
申请日： 2004-06-21 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法，为将基体放置在真空溅射室内，以金属或硅为靶材，使吸收层溅射靶溅射出金属或硅，在真空溅射室内通入反应气体，使金属或硅及其与反应气体生成的反应物的混合物沉积在基体表面，形成吸收层，吸收层厚度为100－150nm；以氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、四氟化碳、空气中任意一种或任意二种或任意三种作为反应气体，在真空溅射室内同时通入硅烷，反应气体与硅烷的流量比为2∶1～8∶1倍，以铝或硅或活泼过渡元素金属为靶材，在减反射层溅射靶表面周围形成辉光放电区，在吸收层上沉积减反射层，减反射层厚度为40nm－100nm。
太阳光谱选择性吸收涂层沉积方法