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[发明专利]一种砷化镓晶片的抛光方法-CN201510791454.X有效
发明人：周铁军;刘锋;肖进龙;刘留 -专利权人：广东先导半导体材料有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明属于砷化镓领域，尤其涉及一种砷化镓晶片的抛光方法。本发明提供的方法包括：依次使用氧化剂和还原剂作为抛光液对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光，得到抛光后砷化镓晶片。本发明提供的抛光方法将氧化性抛光液与还原性抛光液配合使用，减少了砷化镓晶片表面抛光液的残留，提高砷化镓晶片的成品率。实验结果表明，相比于单纯使用氧化性抛光液，采用本发明提供的抛光方法对砷化镓晶片进行抛光可以有效降低晶片表面的抛光液残留。
一种砷化镓晶片抛光方法

[发明专利]一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用-CN201810324711.2有效
发明人：张建军;王霆;张结印 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种锗‑硅基砷化镓材料及其制备方法和应用，所述锗‑硅基砷化镓材料包括表面具有周期性凹槽结构的硅衬底、附着在所述硅衬底表面的锗中间层、以及附着在所述锗中间层表面的砷化镓层。本发明利用锗(113)晶面对砷化镓反相畴的抑制作用以及锗与砷化镓晶格匹配的特点消除硅与砷化镓由于晶格失配所产生的应力，从而在III‑V族分子束外延设备上实现高质量单晶且超薄的砷化镓在硅(100)衬底上的外延生长
一种硅基砷化镓材料及其制备方法应用

[实用新型]半绝缘双面抛光微波晶片-CN201520752951.4有效
发明人：戚林 -专利权人：江苏中科晶元信息材料有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体，所述晶片本体的正面设置有上抛光层，所述晶片本体的背面设置有下抛光层，所述晶片本体的材质为砷化镓。砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场合。
绝缘双面抛光微波晶片

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN201780087442.6在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm^‑2以上且10000个·cm^‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×10^{15砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm^‑2以上且10000个·cm^‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×10¹⁵}
砷化镓晶体基板晶体的蚀坑

[发明专利]一种砷化镓晶片及其制备方法-CN202110885972.3在审
发明人：任殿胜;刘宇;朱颂义 -专利权人：保定通美晶体制造有限责任公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶片，该砷化镓晶片的一个表面具有氮化镓钝化层，并且所述具有氮化镓钝化层一侧的砷化镓晶片表面的均方根粗糙度不高于0.22nm，接触角不大于4°，所述砷化镓晶片表面的均方根粗糙度使用原子力显微镜测定本发明还涉及所述砷化镓晶片的制备方法：通过氮气和氢气混合气体在远程射频源作用下形成的氮、氢混合等离子体处理初始砷化镓晶片的表面并形成氮化镓钝化层。本发明的砷化镓晶片具有良好的可控性和稳定性，其表面粗糙度小、缺陷较少且具有超亲水性，并且本发明的砷化镓晶片的性能有大幅度提升，能够为后续的工艺应用提供优质的衬底。
一种砷化镓晶片及其制备方法

[实用新型]高磷组分砷磷化镓光电阴极-CN201621414767.X有效
发明人：王晓晖;刘佩;陈宇;张业民 -专利权人：天津中环新光科技有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种高磷组分砷磷化镓光电阴极，设有砷化镓(GaAs)衬底、砷化镓(GaAs)衬底上设置有砷化镓(GaAs)缓冲层，砷化镓(GaAs)缓冲层上设置有组分渐变缓冲层，组分渐变缓冲层上设置有变In组分的磷化铝镓铟的应力调制层，应力调制层上设置有P型目标砷磷化镓(GaAsxP1‑x)光子发射层,目标P型砷磷化镓(GaAsxP1‑x)光子发射层上设置有P型砷化镓(GaAs)盖帽层。本实用新型不仅降低了生长目标砷磷化镓(GaAsP)光子发射层时存在的较大应力，解决了高磷组分生长厚度较厚时出现裂纹现象的问题，而且，有效地提高了高磷组分外延层的生长厚度和晶体的质量，有利于后续光电阴极器件的制备过程
组分磷化光电阴极

[发明专利]一种砷化镓晶片切割方法-CN201910225988.4在审
发明人：程进;陈龙 -专利权人：苏州芯海半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓晶片切割方法，包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓晶片。本发明具有可靠性高且能提高砷化镓晶片成品率的优点。
切割晶圆片砷化镓砷化镓晶片刀片晶片切割机进给成品率

[发明专利]单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法-CN201911352260.4在审
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法。所述电路包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本发明将砷化镓单片放大电路的输入匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法

[发明专利]砷化镓芯片开封方法-CN202111405410.0在审
发明人：赵东艳;王于波;陈鹏;陈燕宁;董广智;钟明琛;宋彦斌;单书珊;林国栋;李智诚 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
砷化镓芯片开封方法

[发明专利]砷化镓功率放大器的匹配电路结构及射频功率放大器-CN202210999266.6在审
发明人：程仁豪 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种砷化镓功率放大器的匹配电路结构和射频功率放大器，其中，砷化镓功率放大器的匹配电路结构包括砷化镓功率放大器以及连接在砷化镓功率放大器的输入端的输入基波匹配网络和输入谐波匹配网络；输入基波匹配网络用于对输入砷化镓功率放大器的信号进行基波的共轭阻抗匹配；输入谐波匹配网络连接于输入基波匹配网络的输出端和砷化镓功率放大器的输入端之间，用于对输入砷化镓功率放大器的信号进行谐波的阻抗匹配；如此，通过设置输入谐波匹配网络，对输入砷化镓功率放大器的信号进行谐波的阻抗匹配，从而有效地提升了砷化镓功率放大器的效率和功率。
砷化镓功率放大器匹配电路结构射频

[发明专利]砷化镓晶片的激光加工方法-CN200710181938.8有效
发明人：古田健次 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓晶片的激光加工方法，在通过沿着砷化镓(GaAs)晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓(GaAs)晶片时，能够使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。所述加工方法是沿着在砷化镓基板的表面上形成为格子状的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，其包括：晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在砷化镓基板上从碎屑屏蔽膜侧，沿着间隔道照射激光光线，形成不到达背面的激光加工槽；以及切断工序，在砷化镓基板上沿着激光加工槽照射激光光线，形成到达背面的切断槽。
砷化镓晶片激光加工方法

[实用新型]单片可重构砷化镓低噪声放大器-CN201922355120.4有效
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本实用新型将砷化镓单片放大电路的输入端匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入端匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器

[实用新型]一种砷化镓晶片存储盒-CN202223456137.7有效
发明人：许子俊;陈伟;马曾增 -专利权人：江苏中科晶元信息材料有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及砷化镓晶片成品存储技术领域，尤其为一种砷化镓晶片存储盒，包括绝缘存储盒体，所述绝缘存储盒体的内部中端位置安置有砷化镓晶片本体，且砷化镓晶片本体的一侧位置设有左限位块，所述砷化镓晶片本体的另一侧位置设有右限位块所述绝缘存储盒体的内部中下方位置滑动连接有托座，通过设置的绝缘存储盒体、托座、套框、显示块、左限位块和右限位块，在连接托座显示块伸出套框的内部后，操作员可通过观察显示块是否伸出套框的内部，来断定单片成品砷化镓晶片是否实现安装到位，在后期成品砷化镓晶片得到压紧处理后，可防止该砷化镓晶片存储盒在运输过程中，成品砷化镓晶片因安装不到位，造成晶片上下晃动现象的发生。
一种砷化镓晶片存储

[发明专利]一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法-CN201110449935.4有效
发明人：林泉;马英俊;张洁;李超;郑安生 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法，本方法包括：备料、装炉；抽真空、充气；升温化料；降温引晶；等径控制；收尾；出料等工序。本发明的优点是：由于本发明采用高压液封直拉法拉制出砷化镓晶体，极大地改善了砷化镓晶体残料的化学配比。同时，由于镓的氧化物密度小于砷化镓密度，在晶体生长过程中，镓的氧化物均分布在砷化镓晶体表面且呈突起状，因此通过简单的砂轮机打磨即可去除，可去除99％的氧化物。采用本发明处理砷化镓晶体残料，一个周期只需20小时，且不存在重复处理的问题，效率高操作简单。使得以前通常弃之不用的砷化镓残料重新投入拉晶，使砷化镓晶体残料的利用率达到95％以上。
一种砷化镓晶体再利用方法

[实用新型]一种砷化镓电池风冷喷淋散热装置-CN202221315869.1有效
发明人：史玉成 -专利权人：史玉成
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H02S40/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种砷化镓电池风冷喷淋散热装置，包括砷化镓电池、聚光镜和散热器，所述砷化镓电池贴在所述散热器的上端面上，所述聚光镜设置在所述砷化镓电池的上方，所述散热器的下方设有散热风扇。本实用新型的有益效果是：采用一体结构的翅片型散热器，配合风冷降温和水雾降温，使砷化镓电池在进行太阳能发电的过程中具备良好的散热功能，保证砷化镓电池的正常工作，散热装置的结构简单，有利于砷化镓电池太阳能发电的实际应用
一种砷化镓电池风冷喷淋散热装置