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[实用新型]一种砷化镓单晶的表面清洁装置-CN202222357070.5有效
发明人：何建军;沈桂英;赵有文 -专利权人：南通富电半导体材料科技有限公司;如皋市化合物半导体产业研究所;江苏秦烯新材料有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种表面清洁装置，尤其涉及一种砷化镓单晶的表面清洁装置。要解决的技术问题：提供一种可以自动清洗，减轻人们的负担的砷化镓单晶的表面清洁装置。一种砷化镓单晶的表面清洁装置，包括有支撑架、安装筒、水泵、进水管和连接管等；安装筒底部左右两侧均连接有支撑架，安装筒右侧连接有水泵，水泵右侧连接有进水管，水泵左侧连接有供水流动的连接管，连接管的两端分别密封式贯穿安装筒前后两侧本实用新型的电机可以带动砷化镓单晶转动，水泵可以将水输送到喷头内，水通过喷头喷出，对砷化镓单晶进行清洗，如此能够自动转动砷化镓单晶，自动清洗砷化镓单晶，减轻人们的负担。
一种砷化镓单晶表面清洁装置

[发明专利]具有石墨烯透明电极的柔性太阳能电池及其制作方法-CN201911094127.3在审
发明人：黄欣萍;陆书龙;龙军华;李雪飞;王航 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：所述具有石墨烯透明电极的柔性太阳能电池包括砷化镓太阳能电池外延结构以及分别设置在所述砷化镓太阳能电池外延结构第一面、第二面的第一电极、第二电极，其中，所述第一电极为包含石墨烯层的全透明电极，以及，砷化镓太阳能电池外延结构与石墨烯层之间还设置有高掺杂的砷化镓接触层，石墨烯层经所述砷化镓接触层与所述砷化镓太阳能电池外延结构形成欧姆接触。本发明利用石墨烯层作为砷化镓太阳能电池的第一电极，该第一电极可以有效地提高电极收集电流的能力，减小串联电阻，可以降低遮光损失，有利于砷化镓太阳能电池获得更高的开路电压、短路电流以及光电转换效率。
具有石墨透明电极柔性太阳能电池及其制作方法

[发明专利]倒装式砷化镓聚光光伏芯片-CN202310257705.0在审
发明人：许志荣;王婷桦 -专利权人：盛锜半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了倒装式砷化镓聚光光伏芯片，倒装式砷化镓聚光光伏芯片，砷化镓聚光光伏芯片为太阳能砷化镓电池芯片，其包括芯片正面、以及与芯片正面对应的芯片背面，芯片正面表面上未设置电极点位置，芯片背面上同时设置有多个电极点位置，包括第一电极点位置、第二电极点位置、第三电极点位置，当电极点位置同时设置在同一侧时，砷化镓聚光光伏芯片为倒装式砷化镓聚光光伏芯片，当倒装式砷化镓聚光光伏芯片上电极点位置设置为三个时，如第一电极点位置、第二电极点位置、第三电极点位置，可将其设置为一个正极两个负极，或者两个正极一个负极；而当倒装式砷化镓聚光光伏芯片上电极点位置仅设置为两个时，则只设置一个正极和一个负极。
倒装式砷化镓聚光芯片

[发明专利]多通道砷化镓光电导开关-CN201510000901.5无效
发明人：刘毅;潘海峰;叶茂;夏连胜;谌怡;王卫;张篁;石金水;章林文;刘云龙 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了多通道砷化镓光电导开关。所述的光电导开关中的绝缘基座上设置有平行排列的N个长条形的砷化镓，砷化镓与绝缘基座固定连接，相邻的砷化镓之间的间距相等，并在绝缘基座上构成通道，砷化镓的两端齐平，绝缘介质设置在通道中。在砷化镓两端设置合金电极，砷化镓同一端的合金电极相互连接。本发明在合适的偏置电场和红外激光触发下，N个砷化镓中将产生M个导电通道（1<M≤N）；本发明的导通内阻为单通道光电导开关的1/M，可以明显改善光电导开关的导通特性。
通道砷化镓光电导开关

[实用新型]多通道砷化镓光电导开关-CN201520001528.0有效
发明人：刘毅;潘海峰;叶茂;夏连胜;谌怡;王卫;张篁;石金水;章林文;刘云龙 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了多通道砷化镓光电导开关。所述的光电导开关中的绝缘基座上设置有平行排列的N个长条形的砷化镓，砷化镓与绝缘基座固定连接，相邻的砷化镓之间的间距相等，并在绝缘基座上构成通道，砷化镓的两端齐平，绝缘介质设置在通道中。在砷化镓两端设置合金电极，砷化镓同一端的合金电极相互连接。本实用新型在合适的偏置电场和红外激光触发下，N个砷化镓中将产生M个导电通道（1<M≤N）；本实用新型的导通内阻为单通道光电导开关的1/M，可以明显改善光电导开关的导通特性。
通道砷化镓光电导开关

[实用新型]一种太阳敏感器-CN202020301309.5有效
发明人：金亚方;倪家伟;李友豪;姜丽 -专利权人：苏州馥昶空间技术有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G01C1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及航天技术领域，公开了一种太阳敏感器，包括遮光罩和后盖，遮光罩和后盖相连且内部形成腔体，遮光罩的顶面设置有开口区域，太阳敏感器还包括设置于腔体内的砷化镓电池和印制电路板，砷化镓电池包括受光面和背光面，受光面上设置有与开口区域对应设置的受光区，砷化镓电池的背光面安装于印制电路板上，砷化镓电池包括若干相同的单结砷化镓电池片，各单结砷化镓电池片的受光面引出至少一根电极引线，砷化镓电池的背光面引出至少一根电极引线；印制电路板的位于砷化镓电池相对的两侧设置有多个焊接盘，焊接盘与电极引线一一对应连接。
一种太阳敏感

[实用新型]倒装式砷化镓聚光光伏芯片-CN202320518308.X有效
发明人：许志荣;王婷桦 -专利权人：盛锜半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了倒装式砷化镓聚光光伏芯片，倒装式砷化镓聚光光伏芯片，砷化镓聚光光伏芯片为太阳能砷化镓电池芯片，其包括芯片正面、以及与芯片正面对应的芯片背面，芯片正面表面上未设置电极点位置，芯片背面上同时设置有多个电极点位置，包括第一电极点位置、第二电极点位置、第三电极点位置，当电极点位置同时设置在同一侧时，砷化镓聚光光伏芯片为倒装式砷化镓聚光光伏芯片，当倒装式砷化镓聚光光伏芯片上电极点位置设置为三个时，如第一电极点位置、第二电极点位置、第三电极点位置，可将其设置为一个正极两个负极，或者两个正极一个负极；而当倒装式砷化镓聚光光伏芯片上电极点位置仅设置为两个时，则只设置一个正极和一个负极。
倒装式砷化镓聚光芯片

[发明专利]一种分离回收砂浆中砷化镓的方法-CN202111124383.X有效
发明人：彭杰 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离回收砂浆中砷化镓的方法，涉及晶片制造技术领域。本发明的一种分离回收砂浆中砷化镓的方法，所述方法是将废弃砂浆进行沉淀分离得到切削油和固体混合物，再将混合固体用混合酸液处理分离得到碳化硅和含镓溶液，最后将含镓溶液进行还原得到砷化镓固体。本发明公开了一种分离回收砂浆中砷化镓的方法，利用砷化镓和氮化硅之间物理性质的差异进行分离回收，分离彻底，便于再次生产利用，能够有效降低生产成本。
一种分离回收砂浆中砷化镓方法

[发明专利]一种利用砷化镓废料制备氢氧化镓的方法-CN202210367328.1在审
发明人：解立群;伍美珍;贾元伟;彭巨擘;白海龙;张家涛;陈光云 -专利权人：云南锡业集团（控股）有限责任公司研发中心
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：一种利用砷化镓废料制备氢氧化镓的方法，将砷化镓废料磨至0.15～0.25mm，按液固比3.5～4：1加入质量浓度30～40％的硫酸溶液，再加入质量浓度35％的双氧水，加热至90～100℃浸出，得到酸溶液；向酸溶液中加入氢氧化钙，使酸溶液中的砷形成砷钙渣，以除渣形式除去砷离子，滤液为硫酸镓溶液；或者用树脂吸附除去砷离子，得到硫酸镓溶液；向硫酸镓溶液中加入硫酸铵，得到硫酸镓铵溶液，加热蒸发，得到硫酸镓铵晶体；将硫酸镓铵晶体溶于水中，得到硫酸镓铵溶液，加热硫酸镓铵溶液至70～90℃，加热时间2～4小时，得到沉淀的氢氧化镓。本发明方法可将砷化镓废料中的Ga制备成氢氧化镓，操作简单，成本低，既解决了废料堆存问题，又可以制备出氢氧化镓。所得氢氧化镓可进一步制取镓或者氧化镓。
一种利用砷化镓废料制备氢氧化方法

[发明专利]一种砷化镓废料熔体萃取分离方法-CN202211013421.9在审
发明人：李骕;秦红;林杭;马中旭 -专利权人：中南大学;湖南中大资珑科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓废料熔体萃取分离方法，采用单质铝与所述砷化镓废料共同升温至设定温度进行熔体萃取得到熔融体系，萃取完成后对熔融体系进行分段降温、分步冷凝依次得到砷化铝、铝和镓铝合金。本发明可实现砷化镓中砷铝的高效分离，同时得到高值产品砷化铝、铝、氢气、纯镓产品，无废含砷废水产生，工艺中所用的辅料铝除生成砷铝合金和镓铝合金水解制氢消耗外，无其他消耗，剩余的铝可继续返回铝熔体萃取工艺，
一种砷化镓废料萃取分离方法

[发明专利]一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法-CN202111616596.4有效
发明人：王金灵;周铁军;马金峰;罗小龙 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法。所述高纯砷化镓多晶为Si元素≤15PPB，S元素≤5PPB，其它杂质元素总含量≤80PPB，直径为72～155mm，长度为450～550mm，高度大于50mm的D形砷化镓多晶棒。所述方法包括将砷和镓分别放入石英舟的合成炉，在氢气条件下将As加热至630～670℃使砷升华成砷气体，Ga加热至1250～1280℃反应，同时砷的杂质与氢气反应；通过程序控制温度曲线使合成的砷化镓液体凝固成高纯砷化镓多晶棒
一种高纯砷化镓多晶及其制备装置方法

[发明专利]铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088979.3无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、应变铟镓磷层、铟镓砷层；其中，第九层铟镓砷外延层作为帽层，第八层应变铟镓磷层外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铟铝砷外延层作为增强型的势垒层，第五层铟铝砷外延层作为隔离层，第四层铟镓砷作为沟道层。
铟镓磷增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[实用新型]一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器-CN202221046251.X有效
发明人：吴健;王亚锋;陈耀;吴矗;张周平;蔡慧 -专利权人：深圳市万和科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本实用新型公开一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器，包括设置于PCB板上的两个砷化镓HEMT管芯芯片、两个氮化镓FET管芯芯片、直流偏置及控制补偿模块、射频匹配模块、巴伦，所述PCB板设置有钼铜载体，两个所述砷化镓HEMT管芯芯片和两个所述氮化镓FET管芯芯片设置于于所述钼铜载体上。本实用新型采用钼铜载体作为砷化镓HEMT管芯芯片和氮化镓FET管芯芯片的载体，提高散热能力和接地性能，减少成本，采用砷化镓和氮化镓芯片以替代现有技术中的纯氮化镓技术，由于砷化镓PHEMT管芯芯片的成本远低于氮化镓芯片
一种单片集成氮化功率倍增功率放大器

[发明专利]一种微透镜的制作方法、制作系统及微透镜-CN202311038331.X在审
发明人：刘建;冯英雄;郭春祥;韩远征;汪鑫;任舟逸;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种微透镜的制作方法、制作系统及微透镜，可以提供第一砷化镓层，第一砷化镓层上覆盖图案化的掩膜层，掩膜层覆盖部分第一砷化镓层，可以利用工艺气体对第一砷化镓层和掩膜层进行电感耦合等离子体刻蚀，第一砷化镓层和掩膜层的厚度均减小，直至将掩膜层完全去除，可以得到图案化的第二砷化镓层，其中工艺气体由以脉冲模式输出的射频源电离为等离子体，这样能够获得高速率、缺陷少且平滑的砷化镓微透镜，并且，采用干法刻蚀的方法，可以缩短工艺周期，比湿法刻蚀具有更高的再现性
一种透镜制作方法制作系统

[发明专利]一种砷化镓背侵的去除方法-CN201910831475.8在审
发明人：宋向荣;周铁军;马金峰;严卫东;唐林锋;刘火阳 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓背侵的去除方法，所述方法包括以下步骤：(1)将砷化镓晶片在有机溶剂中浸洗后用去离子水冲洗；(2)将步骤(1)处理后的砷化镓晶片浸没在化学腐蚀液中腐蚀清洗，所述化学腐蚀液包括碱、过氧化氢和水，所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠；(3)将步骤(2)处理后的砷化镓晶片用去离子水冲洗后干燥。本发明方法能够去除研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵，首次解决了研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵问题。
砷化镓晶片去除清洗化学腐蚀液加工工序去离子水研磨抛光砷化镓冲洗过氧化氢氢氧化钾氢氧化钠有机溶剂浸没浸洗腐蚀

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