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[发明专利]一种园林道路-CN202111187573.6有效
发明人：胡祥斌;胡祥晓;谢胜林;郑安生;瞿福强 -专利权人：胡祥斌
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： E01C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及园林技术领域，具体涉及一种园林道路，包括沿着道路通长方向设置的底座板和挡水板，平行底座板设置，并且一端与底座板转动连接，底座板宽度方向的两侧各转动连接有一块，锁定件，用于锁定挡水板垂直于底座板的状态，所述挡水板与底座板转动连接的轴线与道路的通长方向一致，并且挡水板与底座板连接处的内侧或外侧至少一侧设置有阻水层。本申请具有减少园林道路受积水影响导致的通行不便的效果。
一种园林道路

[发明专利]一种低成本镁铝尖晶石粉体改性处理方法-CN202211140202.7在审
发明人：郭立;赵永田;曹波;石红春;马远飞;薛丽青;郑安生;尚鹏;林泉;刘晓华 -专利权人：有研科技集团有限公司;有研新材料股份有限公司;有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本镁铝尖晶石粉体改性处理方法。使用烧结助剂、分散剂和粘结剂，以高纯镁铝尖晶石粉体(纯度≥99.9％)为原料，工艺路线：(1)首先将称量好的烧结助剂和镁铝尖晶石粉体依次放入装有分散剂的有机容器中，球磨8‑10h；(2)其次将一定量的粘结剂放入装有烧结助剂、镁铝尖晶石粉体、分散剂形成的浆料中球磨12h‑24h；(3)最后将球磨完毕的浆料进行干燥、球磨、过筛。本发明工艺流程简单、生产成本低、原材料利用率高、粉体烧结活性好及易于批量化制备。通过选择合适的分散剂，可以有效地增加高纯粉体流变性，易于素坯成型，有利于提升素坯致密度；通过添加适量的粘结剂，可以实现对改性粉体尺寸控制。
一种低成本尖晶石体改处理方法

[发明专利]水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法-CN201711440730.3有效
发明人：马英俊;郑安生;马远飞;林泉;易见伟;龙彪;张洁;邢爱君 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法，包括：将封装好砷化镓多晶料的石英管装入水平单晶炉加热体，接种籽晶；当晶体由高温区生长至距界面区第一固定距离时，以0.5‑3.0℃/h的降温速率降低界面区温度，并以特定速率移动水平单晶炉加热体；当晶体的生长界面距界面区第二固定距离时，停止移动水平单晶炉加热体；继续以1‑8℃/h的降温速率对界面区继续降温，将晶体生长界面回调至距界面区的第一固定距离处；循环重复上述步骤，直至晶体生长长度达到标准长度。本发明的放肩方法可有效降低放肩时晶体生长出现孪晶、夹晶和花晶情况几率，提高单晶生长放肩成功率，从而大幅提高单晶生长成品率和生产效率。
水平法砷化镓单晶拉制过程中的方法

[发明专利]一种带水运营隧道管道连接钢构件服役寿命预测方法-CN201910048522.1在审
发明人：程梦鹏;黄留群;邱萍;刘涛;张文伟;于耀国;张海斌;姜宇澄;郑安生;郭娟丽;唐培连;刘刚;韩桂武 -专利权人：中国石油天然气集团公司;中国石油管道局工程有限公司;中国石油管道局工程有限公司设计分公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明公开了一种带水运营隧道管道连接钢构件服役寿命预测方法，该方法包括以下步骤：确定基本试验条件，包括现场采集水样并进行水样分析和获取钢构连接件的设计参数；制定试验方案并搭建符合现场管道工程运营温度和结构应力状态的试验平台；准备试验材料，包括制作若干组预测样本和配置试验溶液；将若干组预测样本置于试验溶液中进行腐蚀实验，每组预测样本设置不同的试验周期，得到若干腐蚀样品；使用寿命预测方法对若干腐蚀样品分别进行寿命预测试验；根据试验结果预测管道连接钢构件的使用寿命。本发明的有益效果为：能够相对准确地提出设计服役年限，科学地指导工程设计、施工、运营和维护，减少运营维护成本，提高管道运营安全可靠性。
预测管道连接钢构件服役寿命试验溶液运营隧道腐蚀样本使用寿命预测钢构连接件运营和维护工程设计工程运营结构应力设计参数使用寿命试验材料试验平台试验条件试验周期寿命预测水样分析现场采集现场管道样本设置运营安全运营维护试验水样配置施工制作制定

[外观设计]全自动化蛋壳分离机-CN201730544700.1有效
发明人：郑益;郑安生 -专利权人：郑益
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： 31-00 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称全自动化蛋壳分离机。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于分离蛋清和蛋壳。3．本外观设计产品的设计要点产品的形状、图案及其结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。5．省略视图仰视图无设计要点，故省略。
自动化蛋壳分离

[实用新型]香肠切花机-CN201720819915.4有效
发明人：郑益;郑安生 -专利权人：郑益
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： B26D1/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及食品机械设备技术领域，尤其涉及一种香肠切花机,包括机箱，机箱顶设有输送槽，输送槽的两端设有主动转辊和从动转辊，所述主动转辊和从动转辊上设置有输送带Ⅰ；机箱上设有固定架，固定架上设有主动刀辊和从动刀辊，固定架上设有输送带Ⅱ，主动刀辊的下端设有上切刀，从动刀辊的上端设有下切刀，上切刀与下切刀交错设置，固定架的出料端设有挡料板，挡料板倾斜向下；机箱下端设有电控箱，电控箱内设有延时继电器。该切花机通过伺服电机带动输送带和切刀转动，输送带在转辊上定位，防止输送带倾斜而导致间隙过大，香肠在两层输送带之间传送并被切刀进行切花，效率较高，切花均匀，减少人工成本，且出料和收料方便，实用性强。
香肠切花

[外观设计]香肠切花机-CN201730296884.4有效
发明人：郑益;郑安生 -专利权人：郑益
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： 31-00 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称香肠切花机。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于对香肠切花。3．本外观设计产品的设计要点产品的图案、形状及其结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。5．省略视图仰视图无设计要点且为不常见视图，故省略。
香肠切花

[实用新型]垂直法单晶生长用坩锅-CN201521067866.0有效
发明人： 郑安生;于洪国;刘春雷;马英俊;林泉;刘晓慧 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直法单晶生长用坩锅，该坩锅自上向下依次为等径部分、放肩部分和籽晶腔部分，籽晶腔部分的下端封闭；等径部分和籽晶腔部分为圆柱形，放肩部分为锥形。所述籽晶腔部分长度为60±2mm，内径为16+0.1mm，壁厚为3±0.2mm；放肩部分长度为50±2mm，壁厚为3±0.2mm；等径部分长度为200±2mm，内径为106±2mm，壁厚为3±0.2mm。本实用新型在传统坩锅基础上进行了尺寸和结构形状的改进优化，可生长4英寸的单晶，有效降低了单晶的位错密度，提高了单晶质量，增加了单晶的有效利用率和合格率，降低了生产成本。
垂直法单晶生长用坩锅

[发明专利]一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法-CN201110449935.4有效
发明人：林泉;马英俊;张洁;李超;郑安生 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法，本方法包括：备料、装炉；抽真空、充气；升温化料；降温引晶；等径控制；收尾；出料等工序。本发明的优点是：由于本发明采用高压液封直拉法拉制出砷化镓晶体，极大地改善了砷化镓晶体残料的化学配比。同时，由于镓的氧化物密度小于砷化镓密度，在晶体生长过程中，镓的氧化物均分布在砷化镓晶体表面且呈突起状，因此通过简单的砂轮机打磨即可去除，可去除99％的氧化物。采用本发明处理砷化镓晶体残料，一个周期只需20小时，且不存在重复处理的问题，效率高操作简单。使得以前通常弃之不用的砷化镓残料重新投入拉晶，使砷化镓晶体残料的利用率达到95％以上。
一种砷化镓晶体再利用方法

[发明专利]一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法-CN201110452091.9有效
发明人：李超;林泉;郑安生;龙彪 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法，包括：(1)使用X射线衍射定向仪对晶体进行定向，定出<100>晶面；(2)使用内圆切片机切取<100>方向小面，将晶体固定在卡具上，调整晶体与刀片成45°夹角，开启切片机切取<100>面，作为固定割边基准面；(3)在晶体表面用丁字尺测绘出与<100>方向小面成90°夹角的<110>面，并用记号笔标记基准线；(4)将晶体固定于金刚石带锯割边机的卡具上，打开激光对刀功能，调整模拟割边路径，使激光对准基准线，启动带锯条调节进给速度，完成割边；(5)割边结束后，观察表面是否平整光滑进行细磨修正。该方法可以有效的保证晶体与石墨件连接处的平整度，提高切片晶向的准确性，同时在加工效率上比较手工磨平有大幅度的提高。
一种砷化镓单晶线切割基准面加工方法

[实用新型]水平单晶切片用夹具-CN201220720552.6有效
发明人：林泉;郑安生;龙彪 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：一种水平单晶切片用夹具，它包括：固定部分、连接部分及夹头，所述的连接部分为一型钢，型钢一端与固定部分焊接，另一端与夹头焊接，所述夹具的夹头呈半圆形，夹头和连接部分的连接平面与连接部分的中心延长线方向夹角为51～57°，固定部分的另一侧中央设有螺孔，通过连接螺钉连接到工作台上。本实用新型的优点是：操作简单快速，在加工化合物半导体水平单晶(100)晶片或(100)面削面时，能有效解决内圆切片机加工转动角度不足的问题，省却石墨粘接步骤，提高加工效率，降低成本。
水平切片夹具

[发明专利]一种锑化镓晶片双面抛光方法-CN201010622620.0无效
发明人：李超;林泉;郑安生;龙彪;马锦伟 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种锑化镓晶片双面抛光方法，它包括以下步骤：晶片测厚分组；晶片初次清洗；粘片；背面抛光；卸片；粘片及正面抛光；晶片二次清洗；将经过双面抛光的晶片放在用清洗液和纯水配制成体积比1∶(3～10)的溶液中用超声波清洗，清洗温度为50～100℃，清洗时间为10～30分钟，而后用纯水冲洗；化学腐蚀：用CH3COOH、H2O、HF以体积比(10～30)∶(5～15)∶1的比例配制成腐蚀液；检验包装。采用本方法可批量加工锑化镓(100)双面抛光片，方法简单实用，可操作性强，抛光成品率达到90％。同时缓解了锑化镓晶片抛光后氧化的问题。通过该方法抛光所得锑化镓抛光晶片翘曲度不大于20μm，晶面平整度不大于4μm，表面粗糙度达到0.1～0.2μm，晶片总厚度变化不大于5μm，抛光片未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。
一种锑化镓晶片双面抛光方法

[发明专利]一种磷化镓单晶的生长方法-CN201010622623.4无效
发明人：林泉;马英俊;郑安生;俞斌才;张洁 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：一种磷化镓单晶的生长方法，它包括以下步骤：备料，装炉，抽真空、充气，升温化料，籽晶熔接、引晶、放肩，浮针一脱，浮针二脱，等径控制，收尾，在备料工序，坩埚中放有磷化镓多晶、浮舟、掺杂剂以及氧化硼，所述的浮舟材料为氮化硅，浮舟的内径φ20～80mm，炉膛充氮气后的压力控制在1.0～5.0MPa(绝对压力)。本发明的优点是：由于本发明采用浮舟控制晶体直径，浮舟密度介于氧化硼和磷化镓之间，可以漂浮于磷化镓熔料面上，温度变化引起浮舟内固液界面上升或下降对直径影响较小，因此通过控制浮舟转速能较好控制晶体直径，生长出1～3英寸磷化镓单晶，提高单晶成品率，单晶结晶质量较高，电学参数如迁移率指标能稳定达到130～140cm2/v.s。
一种磷化镓单晶生长方法

[发明专利]一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法及甩干机-CN200810118475.5有效
发明人：方赵刚;郑安生;张晓 -专利权人：北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种砷化镓晶片的清洗方法，它包括以下步骤：(1)超声波清洗：(2)浓硫酸清洗：抛光片放入70-100℃的浓硫酸(98％)中清洗，然后迅速提出放入常温的浓硫酸(98％)中清洗，清洗完后用去离子水冲洗；(3)碱液清洗：(4)将抛光片甩干；(5)在大于等于8000lux光强的卤光灯下检测抛光片。本发明的优点是：成本低，简单实用，可操作性强，能有效清理晶片表面的蜡点、尘埃、脏点，更能有效的清理抛光残留在晶片表面的镓氧化物、砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属，从而获得高质量的砷化镓(GaAs)表面，达到“开盒即用”的要求。
一种砷化镓晶片抛光清洗方法甩干机

[发明专利]一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法-CN200710122534.1无效
发明人：张晓;郑安生;龙彪;夏海波 -专利权人：北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法，它包括以下步骤：(1)晶片厚度监测、分组；(2)晶片初次清洗；(3)粘片；(4)正面抛光：抛光设置抛光机压力值10-20psi，抛光液流量100-160ml/min；(5)卸片、粘片及背面抛光；(6)晶片二次清洗；(7)检验包装。本发明的优点是：所使用的抛光液为“2360型”抛光剂添加次氯酸钠溶液，在大型抛光机上对晶片双面进行化学机械抛光，以获得高质量的砷化镓晶片表面，通过该方法抛光所得砷化镓抛光晶片总厚度变化不大于5μm，翘曲度不大于20μm，晶面平整度不大于4μm，表面粗糙度Ra达到0.1-0.2μm，在8000lux强光下均未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。
一种绝缘砷化镓晶片双面抛光方法

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