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[发明专利]砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法-CN201510659597.5在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
砷化镓多晶磁场生长以及方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备-CN201310510132.4有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺及其设备

[实用新型]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备-CN201320662632.5有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长设备

[发明专利]红外探测器及其制备方法-CN202010358791.0有效
发明人：杨为家;何畏;林士修;吴质朴 -专利权人：深圳市奥伦德元器件有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，其中，红外探测器包括：金属电极，以及自下而上依次设置的衬底、砷化镓基层和石墨烯层；衬底上设置有与砷化镓基层相平行的长条阵列式凹槽，砷化镓基层设置于长条阵列式凹槽上，砷化镓基层表面具有砷化铟量子点，金属电极设置在所述砷化镓基层两端。本发明中，通过在砷化镓基层表面设置砷化铟量子点，同时能够使得砷化镓基层相对该长条阵列式凹槽进行横向生长，从而可提高砷化镓基层的光响应能力，缩短红外探测器的响应时间，通过石墨烯层、砷化镓基层以及金属电极之间的配合
红外探测器及其制备方法

[发明专利]砷化镓晶圆的划切方法-CN202310075103.3在审
发明人：张兴华 -专利权人：深圳西斯特科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提出一种砷化镓晶圆的划切方法，包括：将砷化镓晶圆的背面贴上胶膜；标记贴有胶膜的砷化镓晶圆的晶体方向，并基于砷化镓晶圆的晶体方向确定CH1方向和CH2方向，砷化镓晶圆的晶向为CH1方向和CH2方向的直角平分线；将贴有胶膜的砷化镓晶圆固定在划片机的工作盘上；使划片机上的划片刀以第一划切参数对砷化镓晶圆进行CH1方向的划切，划片刀的划切深度与砷化镓晶圆的厚度相等；使划片机上的划片刀以第二划切参数对砷化镓晶圆进行CH2方向的划切，其中划片刀的划切深度大于砷化镓晶圆的厚度，且小于砷化镓晶圆和胶膜的厚度之和；获取划切后的砷化镓晶圆。上述的划切方法能够在保证砷化镓晶圆正面、背面、侧面划切质量的前提下，提高划切效率。
砷化镓晶圆方法

[发明专利]一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510977322.6有效
发明人：秦国刚;李磊;侯瑞祥;姚利;徐万劲 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
一种室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]一种砷化镓单晶晶体及其制备方法-CN202210403538.1在审
发明人：高佑君 -专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓单晶晶体及其制备方法。一种砷化镓单晶晶体，载流子浓度为1×1018～4×1018/cm3，迁移率为1700～2600cm2/v•s；在同等Si载流子浓度下，所述以SixAsy化合物为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度比以单质Si为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度至少低20%；所述砷化镓单晶晶体的B含量≤5×1018/cm3。本申请的砷化镓单晶晶体的制备方法是在砷化镓单晶生长前，使SixAsy化合物分布于砷化镓多晶中。此制备方法能够减轻砷化镓单晶的“B污染”，从而提高砷化镓单晶晶体的性能。
一种砷化镓单晶晶体及其制备方法

[发明专利]变形异质接面双极性晶体管-CN00124312.8无效
发明人：赵鹏盛;吴展兴;林燕津 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2000-09-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。
变形异质接面双极性晶体管

[发明专利]一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法-CN202310518567.7在审
发明人：田庆华;刘左伟;许志鹏;郭学益 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法，包括以下步骤：(1)向砷化镓废料中加入碱和氧化剂选择性浸出砷化镓废料中和砷和镓，浸出完成后分离得到浸出渣和浸出液，浸出液经过多次循环浸出后得到循环浸出母液；(2)将循环浸出母液先加热，随后低温静置冷却结晶，待沉淀完全后分离结晶，得到砷酸钠晶体和一次富镓母液；(3)向一次富镓母液中加入沉砷剂二次沉砷，分离得到沉砷渣和二次富镓母液；(4)将二次富镓母液通过旋流电积回收其中的镓离子，得到金属镓。本发明的分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法，该方法可得到高浓度的镓砷富集液，镓砷分离后，富镓母液中砷浓度低，有利于镓的电积回收。
一种分离回收砷化镓废料中镓砷方法

[发明专利]砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管-CN201110041984.4无效
发明人：梁德春;李新坤;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管和啁啾结构砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管。
砷化镓基短波长量子辐射发光二极管

[发明专利]一种硅基-砷化镓太阳电池及其制备方法-CN202111152281.9在审
发明人：张璐;张无迪;王赫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基‑砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域，包括：一、制备硅太阳电池；二、制备砷化镓太阳电池；三、在硅太阳电池与砷化镓太阳电池上蒸镀半透明金属电极；四、利用金属键合技术将硅太阳电池与砷化镓太阳电池键合；五、采用化学腐蚀的方法将砷化镓太阳电池中的牺牲层腐蚀，砷化镓衬底被剥离得到硅基‑砷化镓叠层太阳电池；六、利用PVD的方法分别在上层砷化镓太阳电池的表面制作硅基‑砷化镓叠层太阳电池的上电极，在硅太阳电池的背面制作硅基‑砷化镓叠层太阳电池的下电极；七、利用PVD的方法在硅基‑砷化镓叠层太阳电池的上表面制备电池减反射膜；八、切割，得到所需尺寸的硅基‑砷化镓叠层太阳电池。
一种砷化镓太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种单晶砷化镓薄膜制备技术-CN201310036262.9无效
发明人：向勇;闫宗楷;刘振鹏;臧亮 -专利权人：向勇
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种单晶砷化镓薄膜制备技术，属于半导体制造技术领域，该技术可以有效缓解生产难度，提高生产效率，其步骤包括：a.提供可供预处理的砷化镓基底；b.清洗；c.将清洗好的砷化镓基底送入真空的腔体中；d.在砷化镓基底上表面生长一层砷化铝；e.在砷化铝上生长砷化镓；f.刻蚀；g.抛光。本技术中砷化铝有效将砷化镓和砷化镓衬底分隔开，为后续工艺的剥离做准备，提高了效率，而且该技术利用了不同物质的腐蚀速率不同进行了砷化镓的分离，非常方便有效，它降低了制作成本和操作难度，具有很好的推广利用价值
一种单晶砷化镓薄膜制备技术

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110362301.9在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于
砷化镓晶体

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110359932.5在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于
砷化镓晶体

[发明专利]一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺-CN201910056401.1在审
发明人：朱东迪;郑骎;程明芳;陈德鑫;王志宇 -专利权人：浙江铖昌科技有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺，其中结构包括：砷化镓芯片作为射频部分，砷化镓芯片的逻辑和控制线连接至砷化镓芯片焊盘，通过Bumping工艺在砷化镓芯片焊盘上生长起砷化镓凸起金属柱作为对外电气连接的接口；CMOS芯片作为逻辑控制和电源管理部分，CMOS芯片的所有连接线连接至CMOS芯片焊盘，通过Bumping工艺在CMOS芯片焊盘上生长CMOS芯片凸起金属柱作为对外电气连接的接口；砷化镓芯片和CMOS芯片通过砷化镓芯片凸起金属柱和CMOS芯片凸起金属柱堆叠连接进行三维封装，砷化镓芯片凸起金属柱和CMOS芯片凸起金属柱通过焊料固定连接。
砷化镓凸起金属芯片三维封装结构电气连接芯片焊盘制作工艺焊盘焊料连接线电源管理堆叠连接逻辑控制三维封装生长控制线射频