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[发明专利]一种超高频光学频率梳量子点锁模激光器及其制备方法-CN202111064239.1有效
发明人：潘淑洁;唐明初;陈思铭 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种超高频光学频率梳量子点锁模激光器及其制备方法。所述锁模激光器包括衬底、蒸镀在衬底下侧面的负电极，以及自下而上依次生长在衬底上侧面的N型接触层、N型熔覆层、InAs量子点有源区、P型熔覆层、P型接触层和正电极，通过分子束外延生长腔在衬底上依次生长N型接触层、N型熔覆层、InAs量子点有源区、P型熔覆层和P型接触层，并利用电隔离刻蚀将P型接触层分成长度比为1:4‑1:6的可饱和吸收体和增益区，使得可饱和吸收体占锁模激光器总腔长的14％‑20％，从而能够达到无电压条件稳定的亚皮秒锁模状态，有效降低了成本和消耗，并在操作上提供了极大的便利。具有低能耗、高效率、低成本、操作便捷和可规模生产的特点。
一种超高频光学频率量子点锁模激光器及其制备方法

[发明专利]一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法-CN202110440480.3有效
发明人：陈星佑;陈思铭;唐明初 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法。所述的一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构包括依次层叠设置的InPOI衬底、含铝砷化物阻挡层和下接触层、InGaAs吸收层及含铝砷化物窗口层和上接触层，所述InPOI衬底为从InP衬底上剥离下来后，转移至CMOS兼容的SOI衬底上的InP单晶薄膜，所述含铝砷化物阻挡层和下接触层以及所述含铝砷化物窗口层和上接触层的材料均为含铝砷化物，所述InGaAs吸收层的材料为InGaAs。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InP基InGaAs短波红外探测器，适合于低成本、大规模红外焦平面阵列制备，具有广泛的应用前景。
一种基于 inpoi 衬底 ingaas 探测器结构制备方法

[发明专利]基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法-CN202110482973.3有效
发明人：贾慧;唐明初;陈星佑;陈思铭 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/34 文献下载
摘要：本发明提供了基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法。所述的基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件包括Si衬底、n型缓冲层、n型下覆层、有源层、p型上覆层及SiN应力膜和n型、p型金属电极，所述有源层为掺杂的GeSn或SiGeSn有源层，所述掺杂的GeSn或SiGeSn有源层的掺杂类型为n型掺杂或p型掺杂，所述n型掺杂可为P(磷)掺杂或Sb(锑)掺杂，所述p型掺杂可为B(硼)掺杂。本发明能大幅提升器件发光效率，提升器件工作温度，降低阈值电流或能耗。
基于掺杂 si gesn 有源 cmos 技术兼容光源器件及其制备方法

[发明专利]一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法-CN202110704500.3在审
发明人：陈星佑;陈思铭;唐明初 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法，所述探测器包括自下而上依次设置的InP(001)衬底、n型InP缓冲层和下接触层、i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层，以及p型InP帽层和上接触层。其中，所述i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层中的Sb组分含量为0.001～0.01，其厚度范围为1500～3000nm，其掺杂浓度为1×1014～1×1016cm‑3。本发明中的所述InGaAsSb探测器能够有效改善材料结晶质量，提升探测器的性能。
一种 pin ingaassb 探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法-CN202110463249.6在审
发明人：陈星佑;陈思铭;唐明初 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法。所述的一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构包括依次层叠设置的GaAsOI衬底、GaAs缓冲层和下接触层、AlGaAs下阻挡层、InAs量子点有源区、AlGaAs上阻挡层及GaAs上接触层，所述GaAsOI衬底为从GaAs衬底上剥离并转移至CMOS兼容的SOI衬底上，并经处理后得到的GaAs单晶薄膜。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InAs量子点激光器，适合于硅基光电集成缺少核心光源的研制，具有广泛的应用前景。
一种基于 gaasoi 衬底 inas 量子激光器结构制备方法

[发明专利]基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法-CN202011286959.8在审
发明人：陈思铭;唐明初;廖梦雅 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入MBE腔中去除其表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层第一外延层并退火；S3、通过步骤S2的退火后进行砷化铟纳米点生长；S4、通过步骤S3的砷化铟纳米点生长后再生长一层第二外延层并再次退火；S5、通过步骤S4的再次退火后并生长一层砷化镓缓冲层，从而获得基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓衬底。本发明通过采用纳米尺寸的空洞极大降低了硅衬底上穿透型位错密度，能够有效避免硅衬底在后续砷化镓生长中因使用过多层数超晶格位错过滤层而导致的微裂缝问题，从而提高了硅基砷化镓衬底上器件的性能。
基于纳米空洞穿透密度硅基砷化镓层生长方法