[发明专利]一种磷掺锑化铟薄膜、霍尔传感器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910244225.4 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110010758A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 黄靖云;尤健;冒伟伟;郑律;门楠 | 申请（专利权）人： | 浙江森尼克半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体InPxSb1‑x合金薄膜及其霍尔传感器件的制备方法，其中x优化的取值范围为0.05≤x≤0.35。将所述之InPxSb1‑x薄膜作为半导体霍尔传感器件的工作层，由于半导体InPxSb1‑x薄膜的电子迁移率高于硅和砷化镓，同时可以调控其禁带宽度接近硅或者砷化镓，因此可以在优化温度系数的同时保持其高灵敏度。由半导体InPxSb1‑x合金薄膜制备的霍尔传感器件，工作温度高于锑化铟，达到硅和砷化镓的工作温度，而灵敏度、响应时间等性能优于硅和砷化镓器件。该半导体InPxSb1‑x薄膜的制备方法采用热蒸发技术及合适的退火工艺，采用合适配比的InP和InSb两种蒸发源材料加一定量的Sb以保证化学计量比。霍尔器件制备采用蒸电极、光刻、划片、引线和分装等标准器件工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔传感器件 制备 半导体 砷化镓 薄膜 合金薄膜 电子迁移率 化学计量比 砷化镓器件 蒸发源材料 标准器件 高灵敏度 合适配比 霍尔器件 退火工艺 温度系数 工作层 灵敏度 热蒸发 锑化铟 铟薄膜 电极 掺锑 分装 光刻 划片 禁带 优化 响应 调控 保证 | ||
【主权项】：
1.一种磷掺杂锑化铟薄膜，其特征在于，该薄膜为InPxSb1‑x薄膜，其中x(化学计量百分比)的取值范围为0.05≤x≤0.35。
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- 本发明公开了一种霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括磁性基板，石墨烯功能层，电极和磁芯，其中：石墨烯功能层沉积在磁性基板的上方；电极设置在石墨烯功能层上方的电极区域；磁芯设置在石墨烯功能层上方的功能区域。将石墨烯材料直接制备在磁性基板上，使石墨烯霍尔元件的工艺简单化，性能和良率提升；石墨烯霍尔元件采用两层磁性材料进行聚磁，进一步提升灵敏度，而因为石墨烯材料本身厚度非常薄，而整个工艺过程中，只用到一层胶黏剂层，两层磁性材料的间距小，聚磁效果增加一倍以上。
- 霍尔元件和霍尔传感器-201820402840.4
- 小路智也;高桥徹也 - 旭化成微电子株式会社
- 2018-03-23 - 2018-11-02 - H01L43/06
- 本实用新型提供霍尔元件和霍尔传感器，其能够抑制由电极部与绝缘膜与磁感应部的层叠构造导致的霍尔元件的霍尔输出电压的不均。霍尔元件(100)具有：基板(10)；磁感应部(20)，其形成于基板(10)上；绝缘膜(40)，其形成于磁感应部(20)上；电极部(31～34)，其形成于绝缘膜(40)上；以及接触部(51～54)，其贯穿绝缘膜(40)地使电极部(31～34)与磁感应部(20)电连接，在霍尔元件(100)中，由接触部(51～54)包围的区域整体包含于磁感应部(20)的区域内，将电极部(31～34)的以分别相对应的接触部(51～54)为基点延伸的区域在由接触部(51～54)包围的区域所形成的四边形中所占的比例设为预定值以下。
- 一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法-201510908225.1
- 王浩敏;谢红;王慧山;李蕾;谢晓明;江绵恒 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2015-12-09 - 2018-09-25 - H01L43/06
- 本发明提供一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法。涉及半导体技术领域，以干法转移的方法形成h‑BN—石墨烯—h‑BN的霍尔器件作为磁场传感器的核心结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h‑BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外石墨烯与金属电极之间采用一维线接触的方式连接，将大大降低器件的接触电阻及功耗。
- 磁性物理不可克隆函数器件及磁性物理不可克隆函数装置-201820393346.6
- 许炎 - 武汉华芯纳磁科技有限公司
- 2018-03-22 - 2018-09-25 - H01L43/06
- 本实用新型公开一种磁性物理不可克隆函数器件及装置。器件包括：衬底、设于衬底上表面的重金属层、设于重金属层上表面的磁性物理不可克隆函数层，磁性物理不可克隆函数层包括：设于重金属层上表面的钉扎层、设于钉扎层上表面的隧穿层及设于隧穿层上表面的自由层；或者，磁性物理不可克隆函数层包括：设于重金属层上表面的自由层、设于自由层上表面的隧穿层及设于隧穿层上表面的钉扎层；自由层具体包括钴铁硼薄膜层及设于钴铁硼薄膜层上表面的氧化镁薄膜层。本实用新型利用钴铁硼薄膜与氧化镁薄膜交界面的各向异性特点制备的物理不可克隆函数器件及装置具有随机性和唯一性的特点，具备独特的不可克隆和防篡改属性。
- 半导体装置-201810078228.0
- 飞冈孝明 - 艾普凌科有限公司
- 2018-01-26 - 2018-09-14 - H01L43/06
- 本发明提供高灵敏度且能够进行偏置消除的纵型霍尔元件。具备：设置在第1导电型的半导体衬底上的第2导电型的半导体层；在半导体层的表面在沿第1方向延伸的直线上第1驱动电流供给电极、霍尔电压输出电极、和第2驱动电流供给电极按此次序配置的第1电极组；具有与第1电极组相同的结构并在沿与第1方向垂直的第2方向延伸的直线上与第1电极组并排地设置的第2至第5电极组；以及在半导体层的表面以分别分离第1至第5电极组内的邻接的电极组间的方式设置的四个第1导电型的电极分离扩散层，霍尔电压输出电极具有第1深度，第1及第2驱动电流供给电极具有比第1深度及电极分离扩散层的深度深的第2深度。
- 专利分类
