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[发明专利]常温多层ITO柔性基材单鼓立式连续气相沉积设备系统-CN201510430778.0有效
发明人：庄志杰;周钧;刘战合 -专利权人：赛柏利安工业技术（苏州）有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种常温多层ITO柔性基材单鼓立式连续气相沉积设备系统，所述常温多层ITO柔性基材单鼓立式连续气相沉积设备系统包括薄膜真空沉积系统和自控卷绕系统；所述薄膜真空沉积系统包括两个分隔开的相互独立的低真空度腔体和高真空度腔体，所述低真空度腔体与高真空度腔体之间设置有隔板；所述薄膜真空沉积系统与所述自控卷绕系统之间设置有卷绕机隔板；所述自控卷绕系统包括卷绕机底座和自动控制机构，本发明结构简单，使用方便，工作稳定性好，能够在常温下制备薄膜真空沉积系统和自控卷绕系统不固定连接，完全分离，极大地减少了真空腔体的开孔和结构复杂性，使得卷绕机构约束少。
常温多层 ito 柔性基材立式连续沉积设备系统

[实用新型]螺旋波等离子体化学气相沉积装置-CN201620451446.0有效
发明人：於俊;黄天源;季佩宇;杨佳奇;金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种螺旋波等离子体化学气相沉积装置，包括真空放电室、与所述真空放电室相连通的真空沉积室，所述真空放电室外环绕有线圈，所述真空放电室内设置有第一进气管、右旋天线，所述右旋天线外套设有屏蔽筒，所述右旋天线的一端穿过一屏蔽管且与射频电源相连接，所述真空沉积室内设置有基片台、第二进气管，所述真空沉积室通过管路连接有抽气组件。本实用新型结构简单、使用方便，通过在真空放电室内产生螺旋波等离子体，在真空沉积室内成功地得到了纳米晶金刚石薄膜，制得的纳米晶金刚石薄膜纯度高、质量好，工业生产上容易实现，沉积速率快，不存在灯丝性能衰减的问题
螺旋等离子体化学沉积装置

[实用新型]用于长时间沉积金刚石的真空装置测温窗口-CN202223032981.7有效
发明人：安康;许光宇;吴海平;刘峰斌;崔岩 -专利权人：北方工业大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于长时间沉积金刚石的真空装置测温窗口，用于长时间沉积金刚石的真空装置测温窗口，包括真空石英窗口，所述的真空石英窗口的内侧设有一片可旋转的石英玻璃，所述的可旋转的石英玻璃侧边连接有旋钮，所述的旋钮通过真空油封延伸到真空石英窗口外，旋钮带动可旋转的石英玻璃围绕自身轴心线转动。在开始进行长时间沉积金刚石时，将可旋转的石英玻璃通过旋钮调整至与真空石英窗口平行的位置。在长时间沉积过程中，当表面吸附和沉积在石英玻璃上的物质严重影响温度观测的时候，将石英玻璃调整至于真空石英窗口，可以继续使用表面干净的真空石英窗口继续监测所沉积金刚石的温度，达到长时间准确测温的目的。
用于长时间沉积金刚石真空装置测温窗口

[实用新型]用于氧化铝膜的制备装置-CN201821744909.8有效
发明人：陈五奎;刘强;陈嘉豪;徐文州;陈磊 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够使真空沉积室内各处的三种制程气体得浓度都大体相同的用于氧化铝膜的制备装置。该制备装置包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，真空沉积室上设有进气口与排气口，真空沉积室内设置有进气主管和排气主管，进气口上连接有用于通入制程气体的导气管，排气口上连接有真空泵，真空泵的进口与排气口连通，真空泵的出口连接有尾排管，通过在导气管与进气口之间设置气体混合装置，使得三种制程气体混合更加均匀，这样真空沉积室内各处的三种制程气体浓度都相同，可以使真空沉积室内不同地方的硅片形成的氧化铝膜均匀性大大提高
真空沉积进气口制程室内氧化铝膜制备装置排气口真空泵真空沉积室导气管太阳能电池硅片气体混合装置本实用新型出口连接加工设备进气主管排气主管气体混合均匀性石墨舟尾排管硅片炉门连通进口

[发明专利]氮化硅膜制备装置-CN201210232824.2无效
发明人：陈五奎;李军;徐文州;耿荣军;查恩 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：该氮化硅膜制备装置，包括真空沉积室，真空沉积室内设置有多个等离子反应器，真空沉积室上设置有进气口与抽气口，所述进气口上连接有气体混合装置，所述气体混合装置上设置有进口与出口，所述进口上连接有多个用于通入制程气体的进气管，所述出口与真空沉积室的进气口连通。先利用气体混合装置对各种制程气体进行混合，使其混合均匀后，再通入真空沉积室内进行反应，这样真空沉积室内各处的气体成分以及各成分的浓度都相同，可以使真空沉积室内不同地方的硅片表面沉积的氮化硅的成分以及膜厚都趋于一致
氮化制备装置

[实用新型]氮化硅膜制备装置-CN201220325683.4有效
发明人：陈五奎;李军;徐文州;耿荣军;查恩 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：该氮化硅膜制备装置，包括真空沉积室，真空沉积室内设置有多个等离子反应器，真空沉积室上设置有进气口与抽气口，所述进气口上连接有气体混合装置，所述气体混合装置上设置有进口与出口，所述进口上连接有多个用于通入制程气体的进气管，所述出口与真空沉积室的进气口连通。先利用气体混合装置对各种制程气体进行混合，使其混合均匀后，再通入真空沉积室内进行反应，这样真空沉积室内各处的气体成分以及各成分的浓度都相同，可以使真空沉积室内不同地方的硅片表面沉积的氮化硅的成分以及膜厚都趋于一致
氮化制备装置

[实用新型]适用于气相沉积真空装置的可移动式快接真空抽气系统-CN201820307324.3有效
发明人：武迪;郑大平;朱瑞;杨明;徐元成 -专利权人：湖北碳六科技有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于气相沉积真空装置的可移动式快接真空抽气系统，将一套包含有前级泵和高真空泵的真空抽气系统安装在可移动式平台上，可移动式真空抽气系统以快接的方式与气相沉积真空装置连接起来，气相沉积真空装置正常生产时只需配备一台振动小的维持泵即可可移动式真空抽气系统能够高效解决一台或者多台气相沉积真空装置的真空抽气问题，大大降低了硬件成本，并且提高了真空抽气效率。
真空抽气系统真空装置可移动式气相沉积真空抽气套包可移动式平台本实用新型高真空泵硬件成本前级泵沉积台气配备生产

[发明专利]具有连续进料功能的钙钛矿层气相传输沉积设备和方法-CN202310087516.3在审
发明人：王雪戈;杨建;李明洁;于振瑞 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有连续进料功能的钙钛矿层气相传输沉积设备和方法。该设备包括真空沉积装置、蒸发装置和进料装置；真空沉积装置包括真空沉积腔和蒸气分配腔，基底设在真空沉积腔内，蒸气分配腔设在真空沉积腔室内，蒸气分配腔的下侧面设有蒸气分配出口，基底位于蒸气分配出口下方，蒸气分配腔设有蒸气入口该设备避免了蒸气分配腔的堵塞，且在真空沉积过程不破真空的前提下，可以实现原料的变换、加入以及设备的维修，节约时间和人工成本，具有较高的生产效率。
具有连续进料功能矿层相传沉积设备方法

[发明专利]有机电致发光器件的薄膜沉积方法及装置-CN201611168558.6有效
发明人：李哲 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其薄膜沉积方法。该薄膜沉积方法，包括如下步骤：配制材料溶液：将待沉积材料溶解于溶剂中，得材料溶液；雾化装置设置：所述雾化装置包括雾化系统、腔体、真空管和支撑板；沉积：将所述基板放置于所述支撑板上，开启真空装置，经真空管对所述腔体进行抽真空处理，同时所述材料溶液经所述雾化系统雾化，进而沉积于所述基板。本发明的有机电致发光器件的薄膜沉积方法，利用真空和喷雾处理相配合的方式进行机电致发光器件的薄膜的沉积，无需对待沉积材料进行高温加热升华，可适用于不易升华或者容易热分解的材料。同时，喷雾形成的液滴较小，且真空环境使溶剂可以均匀挥发，因此形成的薄膜厚度均匀。
有机电致发光器件薄膜沉积方法装置

[实用新型]真空感应喷射成型雾化制粉炉-CN200420032153.6无效
发明人：孙德玉;杨世平;刘庆;刘海富 -专利权人：锦州电炉有限责任公司
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：一种真空感应喷射成型雾化制粉炉，解决了现有真空感应喷射成型雾化制粉炉存在的沉积器运动速度不稳定、漏油及不能连续生产等问题；本实用新型有一个熔炼保温室，熔炼保温室的下部装有雾化沉积室和收粉罐，在熔炼保温室内装有感应加热器和保温炉，保温炉的下部装有高压惰性气体喷嘴，熔炼保温室和雾化沉积室与真空系统相连接，雾化沉积室与旋风除尘器相连接，其特殊之处是，在雾化沉积室上装有高精密度沉积器，且高精密度沉积器的传动部分位于雾化沉积室外；在熔炼保温室的上部装有加料装置；优点在于，高精密度沉积器的传动装置等其他部分置于真空室外，有利于真空度的提高和缩短抽真空时间，减小能源消耗，提高工件质量，加料时，不必破坏真空，可以连续进行生产。
真空感应喷射成型雾化制粉

[发明专利]一种化学气相沉积设备及沉积方法-CN202110695833.4在审
发明人：林巍;罗雪;丁洁 -专利权人：厦门中材航特科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种化学气相沉积设备，包括安置在设备内部的气氛反应室及基体沉积室，气氛反应室与基体沉积室之间设有一分气组件，在气氛反应室内混合、反应完成后的沉积气氛经分气组件进行分气后均匀分散到基体沉积室，基体沉积室的上端连通有多个真空管，真空管的外端连通至真空泵，各真空管上分别设有阀门，各阀门设有控制阀门开闭的执行器，各执行器连接至控制器。本发明可使得基体表面均匀沉积，提高基体的表面沉积质量，降低生产成本。
一种化学沉积设备方法

[实用新型]一种化学气相沉积设备-CN202121397844.6有效
发明人：林巍;罗雪;丁洁 -专利权人：厦门中材航特科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种化学气相沉积设备，包括安置在设备内部的气氛反应室及基体沉积室，气氛反应室与基体沉积室之间设有一分气组件，在气氛反应室内混合、反应完成后的沉积气氛经分气组件进行分气后均匀分散到基体沉积室，基体沉积室的上端连通有多个真空管，真空管的外端连通至真空泵，各真空管上分别设有阀门，各阀门设有控制阀门开闭的执行器，各执行器连接至控制器。本实用新型可使得基体表面均匀沉积，提高基体的表面沉积质量，降低生产成本。
一种化学沉积设备

[发明专利]用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置及方法-CN201910160889.2在审
发明人：彭寿;夏申江;傅干华;殷新建 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司;成都中建材光电材料有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置及方法，分段破空装置包括沿基板移动方向先后设置的薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区，薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区都为真空腔室，慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低本申请中，通过额外设置的缓冲过渡区将薄膜沉积区和慢冷区分隔开，实现了慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上；因此，从薄膜沉积区中移出的、沉积有半导体薄膜的基板在慢冷区内慢冷时，基板上沉积的半导体薄膜不再发生气化或升华
用于半导体薄膜空气沉积生产分段装置方法

[实用新型]高产能薄膜沉积装置-CN201820196788.1有效
发明人：熊旭明;王延凯;陈慧娟;蔡渊 -专利权人：苏州新材料研究所有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：一种工业镀膜技术领域的高产能薄膜沉积装置，包括：至少一个具有沉积源的沉积腔，其内设有沉积源；原始带卷盘腔，其内设有与走带系统相连的原始基带盘，且通过第一基带真空锁与沉积腔相连；以及产品带卷盘腔，其内设有与走带系统相连的产品基带盘，且通过第二基带真空锁与沉积腔相连；所述原始带卷盘腔、沉积腔和产品带卷盘腔均连接有抽真空装置和去真空装置，所述第一及第二基带真空锁在有带材从中穿过且带材处于静止状态的情况下对原始带卷盘腔、沉积腔和产品带卷盘腔进行高真空密封本实用新型对放卷、镀膜和收卷的作业环境进行分离，减少沉积前装置准备工作所需的时间，提高产品质量和产能，降低能耗和生产成本。
沉积腔基带产品带真空锁带卷卷盘盘腔薄膜沉积装置走带系统沉积源带材高产本实用新型抽真空装置高真空密封镀膜技术静止状态原始基带真空装置装置准备作业环境产能沉积镀膜放卷收卷生产成本穿过

[实用新型]用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置-CN201920270969.9有效
发明人：彭寿;夏申江;傅干华;殷新建 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司;成都中建材光电材料有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置，分段破空装置包括沿基板移动方向先后设置的薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区，薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区都为真空腔室，慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低本申请中，通过额外设置的缓冲过渡区将薄膜沉积区和慢冷区分隔开，实现了慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上；因此，从薄膜沉积区中移出的、沉积有半导体薄膜的基板在慢冷区内慢冷时，基板上沉积的半导体薄膜不再发生气化或升华
慢冷薄膜沉积缓冲半导体薄膜过渡区基板破空沉积分段真空气相沉积本实用新型传送机构基板移动真空腔室分隔气化移出升华申请污染保证生产