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[发明专利]一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置-CN201310576275.5有效
发明人：周灵平;朱家俊;彭坤;李德意;杨武霖;李绍禄 -专利权人：湖南大学
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该装置将离子束、磁控溅射两种镀膜技术集成于一个真空室，通过设计多个镀膜工位并经样品台旋转与镀膜工位重合完成不破坏真空情况下的复合镀膜，设备可实现离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、离子束直接沉积、单靶磁控溅射沉积、双靶磁控溅射聚焦共沉积、双靶磁控溅射垂直沉积多层膜、离子束磁控溅射复合镀膜等多种镀膜方式，大大扩展了设备的生产和研究功能。利用该装置采用离子束磁控溅射两步法沉积微晶硅薄膜可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；镀膜在同一真空室内完成，节约设备成本。
一种离子束磁控溅射复合镀膜装置

[实用新型]一种反应腔的排气装置及薄膜沉积设备-CN202120905484.X有效
发明人：郭毅;赵彬;黄博;鲁寅南;王振强 -专利权人：宁夏隆基乐叶科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种反应腔的排气装置及薄膜沉积设备，涉及薄膜沉积技术领域，以解决真空泵被堵塞的问题，提高薄膜沉积设备的真空泵的使用寿命。所述反应腔的排气装置包括：包括第一排气管、第二排气管、真空泵以及粉尘过滤器，所述粉尘过滤器包括用于捕捉粉尘的滤芯，所述第一排气管位于所述反应腔的出气口和所述粉尘过滤器的进气口之间，所述第二排气管位于所述粉尘过滤器的出气口和所述真空泵的进气口之间所述薄膜沉积设备包括用于薄膜沉积的反应腔以及所述的反应腔的排气装置。
一种反应排气装置薄膜沉积设备

[实用新型]类金刚石薄膜的沉积设备-CN201720725409.9有效
发明人：阮志明;潘旋;曾德强;廖生;钟俊超;谭安平;张晓柳;阮炯城;聂海天 -专利权人：深圳市正和忠信股份有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种类金刚石薄膜的沉积设备，其包括脉冲直流偏压电源系统、恒流离化装置和具有真空腔体的沉积壳体，沉积壳体接地且沉积壳体上设置有抽真空口和进出货炉门，恒流离化装置包括设置于沉积壳体外的离化电源和设置于真空腔体内的两个离化电极，两个离化电极分别与离化电源电连接，沉积壳体上设置有用于放置离子源的第一凸腔，真空腔体内设置有加热管组、气管组、靶材组和用于放置工件的环形的工件转架，脉冲直流偏压电源系统的电源正极接地，电源负极与工件转架连接本实用新型既可以提高沉积速度，又可以在高光镜面上沉积光泽度高、致密细腻、硬度高、耐磨性能好、颜色均匀的装饰性类金刚石薄膜。
金刚石薄膜沉积设备

[发明专利]用于薄膜处理应用的装置和方法-CN201480075991.8在审
发明人： T·德皮施 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：根据本公开，提供一种柔性基板涂布装置。所述柔性基板涂布装置包括真空工艺腔室，用以处理柔性基板。所述真空工艺腔室包括一或多个沉积单元以及定位在所述一或多个沉积单元的直接下游的清洁单元。在另一方面中，提供一种用于将薄膜沉积在柔性基板上的方法。所述用于将薄膜沉积在柔性基板上的方法包括：真空涂布所述柔性基板，由此将一或多个层沉积在所述柔性基板上；以及在所述涂布的直接下游清洁所述柔性基板。
用于薄膜处理应用装置方法

[发明专利]沉积设备及将沉积材料沉积在基板上的方法-CN201310486450.1有效
发明人：金元容;全镇弘 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：提供了一种沉积设备以及将沉积材料沉积在基板上的方法，该沉积设备包括真空室；基板，设置在真空室中；沉积源，设置在真空室中并且面对基板，用于将沉积材料提供到基板上；激光振荡器，产生第一激光束；光学单元，连接到真空室的第一侧并使第一激光束分束掩模激光束照射到真空室中，以被设置在基板和沉积源之间。与掩模激光束接触的沉积材料被氧化，而穿过掩模激光束的沉积材料被沉积在基板上。
沉积设备材料基板上方法

[发明专利]真空镀膜装置的改良结构-CN201110210048.1有效
发明人：黄水祥 -专利权人：御林汽配（昆山）有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种真空镀膜装置的改良结构，包括真空沉积腔室以及位于真空沉积腔室内的托架和靶材，该托架呈穹顶状结构，该托架内侧向下设有多个用于固定工件的挂钩，该托架顶部中心通过该转轴转动固定于该真空沉积腔室顶部，该转轴可由控制马达驱动转动，该托架与该真空沉积腔室顶部之间至少设有一个能对该托架上的工件加热的电阻加热体，该靶材位于该托架下方，通过加热机构控制该靶材加热挥发，实现对该托架上工件镀膜，该加热机构为安装于该真空沉积腔室内并可放置该靶材的槽状电热体，该槽状电热体两侧设有一对电极，该对电极另一端引出于该真空沉积腔室与电源变压器之次级绕组引出端连接，本发明使得放置工件的托架驱动机构简便实用。
真空镀膜装置改良结构

[实用新型]一种采用半开式沉积罩的聚对二甲苯真空镀膜装置-CN202220130341.0有效
发明人：王成祥;邹俊峰;李志安;李志胜 -专利权人：秦皇岛精和智能装备有限公司;北京胜泰东方科技有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种采用半开式沉积罩的聚对二甲苯真空镀膜装置，包括密封胶圈、真空法兰、半开式沉积罩、流向约束器、真空计、蒸发炉、物料盒、柔性波纹管弯头、裂解炉、放气阀、柔性波纹管、移动机柜、低温冷阱、控制系统和真空泵，其中半开式沉积罩、真空法兰、密封胶圈组合成一体，用于对被镀膜的局部表面进行真空密封，低温冷阱、控制系统和真空泵集成在移动机柜内，两部分通过柔性波纹管连接，提高了镀膜设备的灵活应用性和应用的便捷性。本实用新型将半开式沉积罩和被镀膜的局部平面结合成完整的沉积室，利用局部面积逐次覆盖镀膜来实现大平面或局部平面镀膜的需求，突破了镀膜对不可控沉积空间的限制。
一种采用半开沉积二甲苯真空镀膜装置

[实用新型]一种真空混料装置-CN202020840646.1有效
发明人：陈智学;陈建明;陈志宽;黄维 -专利权人：宜兴凡远光电科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： B01F13/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及材料制备领域，公开了一种真空混料装置，包括真空容器、容纳于真空容器内的混料容器和沉积容器、用于调整混料容器内温度的混料加热组件及用于调整沉积容器内温度的沉积加热组件。混料容器上开设的第一开口正对且连通沉积容器上开设的第二开口，混料容器能转动运行，以搅拌混料腔内的物料，沉积容器也能够转动运行且真空腔、混料腔、沉积腔的内壁为石英或氮化硅材质，能避免二次污染。本实用新型在真空状态下混合物料保证了混合的纯净度，而且其能够进行常温下固体物料的混合，也能在混料加热组件的加热条件下进行熔融状态的物料的混合，还能利用沉积容器进行气体状态物料的混合及沉积收集，混料方式多样
一种真空装置

[发明专利]一种7腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810943423.5在审
发明人：黄振;黄海宾;周浪;彭德香;任栋梁;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种7腔体卧式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，真空预加热上料腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，真空预加热上料腔体内设卧式载板，卧式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统。
一种卧式 pecvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

[实用新型]一种物理化学气相沉积系统-CN201620278160.7有效
发明人：朱选敏;李烁;夏志林 -专利权人：武汉科瑞达真空科技有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种物理化学气相沉积系统，包括真空腔体部分、等离子增强阴极、磁控溅射阴极、笼式工件架系统和抽气系统；所述真空腔体部分、等离子增强阴极和磁控溅射阴极均固定在笼式工件架系统上；所述抽气系统与真空腔体部分固定连接；该物理化学气相沉积复合膜层镀膜系统装置将磁控溅射沉积和低压等离子体增强化学气相沉积设计在同一个真空腔体内，磁控溅射沉积镀膜和低压等离子体增强化学气相沉积镀膜可以交替进行，在同一个基材的表面完成两种工艺技术的膜层沉积
一种物理化学沉积系统

[发明专利]移动式物理溅射成膜设备及多层膜的制备工艺-CN202111433169.2在审
发明人：石旭;吴祥一 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：所述移动式物理溅射成膜设备包括：第一真空腔，设置用以载入基材；第一沉积腔，设置用以使所述基材在所述第一沉积腔内进行溅射工艺；第二沉积腔，设置用以使所述基材在所述第二沉积腔内进行溅射工艺；间隔真空腔，设置于所述第一沉积腔与所述第二沉积腔之间，用以将所述基材通过所述间隔真空腔从所述第一沉积腔传输至所述第二沉积腔；其中，所述第一沉积腔的气压高于所述间隔真空腔的气压，所述第二沉积腔的气压高于所述间隔真空腔的气压；所述间隔真空腔用以阻断所述第一沉积腔与所述第二沉积腔之间的气流传播
移动式物理溅射设备多层制备工艺

[发明专利]用于测量沉积速率的测量组件及其方法-CN201880099397.0在审
发明人：约瑟夫·文森特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：描述了一种用于测量真空沉积腔室中沉积材料的沉积速率的测量组件。所述测量组件包括提供沉积表面和参考表面的一个或多个透明基板，所述沉积表面经构造以在真空沉积装置的真空腔室中接收沉积材料的至少一部分；以及光学测量组件。所述光学测量组件包括电磁辐射的源；第一检测器，所述第一检测器用于所述电磁辐射的第一部分并提供沉积速率信号；以及第二检测器，所述第二检测器用于所述电磁辐射的第二部分并提供参考信号。
用于测量沉积速率组件及其方法

[发明专利]扫描磁场导向沉积镀膜的磁过滤真空沉积镀膜设备及方法-CN202111537554.1在审
发明人：郎文昌;刘俊红;徐峰;李多生;刘伟 -专利权人：苏州艾钛科纳米科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜设备技术领域，具体涉及一种扫描磁场导向沉积镀膜的磁过滤真空沉积镀膜设备及方法，包括真空弧磁过滤装置、弧源组件和真空镀膜腔室，真空弧磁过滤装置包括过滤管道，过滤管道上设有线圈模组，过滤管道接近出口端处设置有扫描磁场发生装置扫描磁场发生装置在过滤管道接近出口端的内腔区域形成可调扫描磁场，离子束在可调扫描磁场在作用下发生上下偏转和/或左右偏转，使离子束在出口端以不同的偏转角度和旋转速度离开过滤管道进入真空镀膜腔室，因此，可大大增大一段时间内的沉积镀膜面积通过对扫描磁场的调控，可以使一段时间内进入真空镀膜腔室的离子在较大的沉积表面上相对较为均匀的分布。
扫描磁场导向沉积镀膜过滤真空设备方法

[发明专利]采用原位氧化的无氟钨沉积工艺及用于实现此工艺的设备-CN202180006531.X在审
发明人：周非;R·S·马卡拉;R·沙朗帕尼;向江佑介;竹口直树 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：一种在衬底上沉积钨的方法，该方法包括将衬底安置于钨沉积设备的真空外壳中；执行第一钨沉积工艺，该第一钨沉积工艺通过使含氟钨前驱气体流入真空外壳中而在衬底的物理暴露表面上沉积第一钨层；通过当衬底保持在真空外壳内而不破坏真空时将第一钨层暴露于氧化剂气体，并且形成从真空外壳抽出的氟氧化钨气体，来执行原位氧化工艺；以及执行第二钨沉积工艺，该第二钨沉积工艺通过在原位氧化工艺之后的第二钨沉积工艺中，使含氟钨前驱气体流入真空外壳，而在第一钨层上沉积第二钨层。
采用原位氧化无氟钨沉积工艺用于实现设备

[实用新型]一种多个沉积炉集成布置的化学气相沉积系统-CN202222827549.0有效
发明人：王为;文俊翔;刘彦勇 -专利权人：湖南博云新材料股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多个沉积炉集成布置的化学气相沉积系统，包括密闭室、物料转运小车、充氮装置和抽真空装置，所述密闭室内并列间隔设置有多个沉积炉，每个沉积炉均通过传感定位装置与物料转运小车对接定位，所述物料转运小车上设置有升降装置，沉积炉包括与密闭室固定连接的炉体以及通过升降装置驱动升降的炉底，所述炉体上设置有自动式炉底锁扣；所述充氮装置和抽真空装置均与密闭室连通。本申请的化学气相沉积系统，一方面，通过集成布置多个沉积炉，实现了批量生产或流水线生产，提高了生产效率，另一方面，通过充氮装置和抽真空装置的协同作业，使密闭室处于微正压的氮气环境，避免了产品因密封问题与氧气接触而影响质量
一种沉积集成布置化学系统

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