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[实用新型]图像传感器和图像捕捉设备-CN201420514114.3有效
发明人： S·王 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包括具有第一导电类型的基板。基板中的第一阱具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第一阱中的第二阱具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第二阱中的第一区域具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第一区域中的第二区域具有第一导电类型并且利用第一导电类型的掺杂剂掺杂。第二阱中与第一区域相邻的第三区域具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。温度传感器位于第二区域和第三区域之间并且连接到第二区域和第三区域当中每一个。
图像传感器图像捕捉设备

[发明专利]光伏太阳能电池以及制造光伏太阳能电池的方法-CN201810159994.X有效
发明人：都荣九;金圣辰;崔亨旭 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供了一种制造光伏太阳能电池的方法，该方法包括：在半导体基板的一个表面和与所述一个表面相反的相反表面上形成包含第一导电类型掺杂剂的第一导电类型区域；通过执行干法蚀刻去除形成在所述半导体基板的所述相反表面上的所述第一导电类型区域；以及在所述半导体基板的所述相反表面上形成包含第二导电类型掺杂剂的第二导电类型区域。
太阳能电池以及制造方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201080049358.3有效
发明人：汉密尔顿·吕;T·周;凯尔·特里尔;德瓦·N·帕坦纳亚克;莎伦·石;K·陈;罗伯特·许 -专利权人：威世硅尼克斯
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：按照第一方法实施例，获取第一导电类型的硅晶圆。在该硅晶圆的正面上生长第一导电类型的外延层。对该外延层进行注入以形成一个相反的导电类型的区域。重复上述生长和注入，以形成一个该相反的导电类型的垂直的柱。上述硅晶圆同样可以被注入，以形成一个相反的导电类型的区域，该区域与上述垂直的柱垂直对齐。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN97116265.4有效
发明人：平濑顺司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-09-05 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置包括导电型衬底；设置在衬底中且导电类型与衬底的导电类型相同的第一阱；设置在衬底中且导电类型与衬底的导电类型相反的第二阱；和设置在衬底中的深部位置上且导电类型与衬底的导电类型相反的埋置阱。另外设置一个导电类型与衬底导电类型相同的埋置阱，使埋置阱与第一阱底部的至少一部分相接触以便使第一阱至少部分地与衬底电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201110131035.5有效
发明人：霍介光;李杰 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有掺杂阱，以及位于所述掺杂阱内的掺杂区，所述掺杂阱与掺杂区的掺杂类型相反；在所述半导体衬底表面形成至少覆盖所述掺杂区的介质层；形成贯穿所述介质层的沟槽，所述沟槽暴露所述掺杂区；形成填充满所述沟槽的外延层，所述外延层的掺杂离子与所述掺杂区的掺杂离子相同，具有第一掺杂类型；对所述外延层的侧壁部分进行反转掺杂，形成环绕所述外延层的反转侧壁，所述反转侧壁具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反；对所述外延层的表面进行掺杂，形成钉扎表面，所述钉扎表面的掺杂类型与外延层的掺杂类型相反。
图像传感器及其形成方法

[实用新型]一种图像传感器-CN201120163873.6有效
发明人：霍介光;李杰 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的掺杂阱以及位于所述掺杂阱内的掺杂区，所述掺杂阱与掺杂区的掺杂类型相反；位于所述半导体衬底表面的介质层，所述介质层至少覆盖所述掺杂阱；其特征在于，还包括：贯穿所述介质层的沟槽；形成于所述掺杂区表面，且填充满所述沟槽的外延层，所述外延层的掺杂离子与所述掺杂区的掺杂离子相同，所述外延层具有第一掺杂类型；反转侧壁，所述反转侧壁通过反转所述外延层的侧壁形成，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；位于所述外延层表面的钉扎表面，所述钉扎表面的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相反。
一种图像传感器

[发明专利]绝缘栅薄膜晶体管及其控制系统-CN03136778.X有效
发明人：林丰;长谷川尚;吉田宜史;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司;林丰
申请日： 2003-04-10 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：相反导电类型的第三半导体区设置在其与半导体薄膜接触的位置。在半导体薄膜中的载流子的量通过将相反导电类型的载流子从第三半导体区施加到半导体薄膜中被控制，或者通过从半导体薄膜向第三半导体区吸引相反导电类型的载流子被控制。
绝缘薄膜晶体管及其控制系统

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201310661381.3在审
发明人：张广胜;张森 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括衬底，衬底上的埋层，埋层上的扩散层及扩散层上的栅极；所述扩散层包括第一扩散区和第二扩散区，所述第二扩散区的杂质类型与所述第一扩散区的杂质类型相反；在所述第二扩散区内还形成有多个第三扩散区，所述第三扩散区的杂质类型与所述第二扩散区的杂质类型相反。上述半导体器件，通过在第二扩散区内形成杂质类型相反的多个第三扩散区，可以通过调整第三扩散区的大小从而实现对第二扩散区浓度的调节及控制，实现对半导体器件的阈值电压的控制，获得可变阈值的半导体器件。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]测试结构及测试方法-CN201410392190.6有效
发明人：钟强华;孙明圣;赖李龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：其中，该测试结构包括半导体基体；深阱，设置于半导体基体中；第一阱，设置于深阱中；第一掺杂区和导电类型与第一掺杂区的导电类型相反的第二掺杂区，设置于深阱和第一阱之间，且第一掺杂区的导电类型与第一阱的导电类型相同；第三掺杂区和导电类型与第三掺杂区的导电类型相反的第四掺杂区，设置于第一阱中，且第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反；焊盘，分别与第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区形成电连接。
测试结构方法

[发明专利]带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管-CN96193819.6无效
发明人：约汉·亚当·埃德蒙德;康华双 -专利权人：克里公司
申请日： 1996-04-15 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管的双异质结构，包括：具有第一导电类型的铝镓氮层；具有相反导电类型的铝镓氮层；和在铝镓氮层之间的氮化镓有源层，氮化镓层用II族受主和IV族施主一起掺杂，其中一种掺杂剂的量足以使氮化镓层有明确导电类型，有源层与有相反导电类型的相邻铝镓氮层形成p-n结。
带有氮化有源双异质结发二极管

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN201180045445.6有效
发明人：吉见雅士;市川满;宇都俊彦;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序
光电转换装置制造方法

[实用新型]一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管-CN202020923588.9有效
发明人：戴茂州;高巍;廖运健;顾航 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本新型涉及一种新型碳化硅纵向扩散MOSFET，包括具有第二导电类型的碳化硅衬底；具有第二导电类型的漂移区，设置于衬底上，其中漂移区具有掺杂浓度于纵向方向上呈梯度分布；一个或一个以上的接触设置于漂移区的表面，每一个接触是利用离子注入的方式形成且包含第一导电类型阱区以及第二导电类型源极，接触之间的距离可以定义出MOSFET的沟道大小；栅极氧化层形成于漂移区与衬底相反方向的表面上并沿横向延伸跨越源极之间并覆盖部分个别源极；所述个别源极接触形成于漂移区与碳化硅衬底相反方向的表面上并覆盖每个所述接触中的个别第二导电类型源极与第一导电类型阱区；及一个漏极接触形成于衬底与第二导电类型漂移区相反方向的表面上。
一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]具有低源极电阻的场效应晶体管器件-CN201280029903.1有效
发明人：柳世衡;D·C·克派尔;程林;S·德哈;C·乔纳斯;A·阿嘎瓦尔;J·帕尔莫 -专利权人：克里公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括漂移层，具有第一导电类型；阱区域，在该漂移层中，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型；以及源极区域，在该阱区域中。该源极区域具有该第一导电类型并且限定该阱区域中的沟道区域。该源极区域包括邻近该沟道区域的横向源极区域，以及从横向源极区域相反于该沟道区域而延伸开的多个源极接触区域。具有该第二导电类型的体接触区域位于该多个源极接触区域的至少两个之间并且与该阱区域接触。
具有低源极电阻场效应晶体管器件

[发明专利]量子库太阳能电池及其制备方法-CN200680011194.9有效
发明人：陈钟谋 -专利权人：陈钟谋
申请日： 2006-08-14 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种量子库太阳能电池，由半导体衬底、扩散层和上、下电极构成，在所述的半导体衬底层上设有和半导体衬底导电类型相同的轻掺杂的外延层，在该外延层上设有肋：所述的肋为长条状结构，包括多条平行的竖肋和至少有一条横肋，横肋贯穿连接多条平行的竖肋；竖肋和横肋围成的区间为肋区间；在所述的长条状的肋上设有：和外延层导电类型相反的纳米离子注入层、和离子注入层导电类型相反的高掺杂层，高掺杂层覆盖在纳米离子注入层上，在高掺杂层上覆盖有金属层；上电极引线连接在横肋上的金属层上；所述扩散层设置在整个肋间区内，其导电类型与外延层的导电类型相反，该扩散层上设有氧化层；同时，在上、下电极之间外加有背场电压。
量子太阳能电池及其制备方法

[发明专利]四通道固相化学反应电导率分析方法-CN201510991406.5在审
发明人：冯越 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种四通道固相反应电导率分析方法，该方法是基于四路固相化学反应电导率仪上实现的，能同时分析四路固相反应体系的电导率数据及相关的温度、压力、体积变化和反应时间，利用电导变化率数据分析压力条件与温度条件对化学反应进程的影响，利用电导率的变化分析固相化学反应是否已经完成，利用电导率的变化分析固相反应体系是否有效，对于不同类型的固相反应体系，节约实验时间，降低研究人员观察和记录化学反应时的劳动强度；对于同一类型的固相反应体系，若各反应物之间的混合比例不同，可以分析和比较各反应物的配比系数，找出完成固-固反应时配合物的最佳搭配系数；对于同一类型的固相反应体系，若各反应物之间的混合比例相同，可以分析和比较固相反应体系的温度条件和压力条件
通道化学反应电导率分析方法

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