“直接键合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2217423个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]直接键合工艺-CN201380050458.1有效
发明人： M·波卡特;阿诺德·卡斯泰;H·莱丝丽 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-09-20 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接键合工艺，该工艺包括以下步骤将第一晶圆(10)放置在卡盘(2)的表面上，所述表面包括凹槽(4)；在所述凹槽(4)中施加第一压力，所述第一压力小于从所述第一晶圆(10)的被暴露面观察到的第二压力；使第二晶圆(16)接触所述第一晶圆(10)的所述被暴露面，然后在保持所述第一压力和所述第二压力的同时，开始键合波在两个晶圆之间的传播。
直接工艺

[发明专利]硅片直接键合方法-CN92107813.7无效
发明人：张会珍;童勤义;秦明;陈大金;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 1992-11-10 - 公布日： 1995-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：硅片直接键合方法适用于硅片之间的直接化学键合，它将经过镜面抛光的硅片在H2SO4和H2O2混合液中煮，再在稀HF溶液中漂，用去离子水冲干净并在室温下甩干后即可重合，重合好的硅片快速投入高温炉中进行热处理，然后缓慢降温即可实现硅片直接键合，具有工艺和设备简单，重合速度快，键合周期短，键合面积大等优点，可用于多种材料的键合，便于在大量生产中推广应用。
硅片直接方法

[发明专利]用于直接键合晶片的晶片键合设备和晶片键合系统-CN201910549829.X在审
发明人：金兑泳;金俊亨;金会哲;罗勋奏;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括：下卡盘，所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片；上卡盘，所述上卡盘用于固定上晶片；键合引发器，所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压，直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分，由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程；以及键合控制器，所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度，使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前
用于直接晶片设备系统

[发明专利]直接键合方法和结构-CN202180085772.8在审
发明人： G·高;C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·G·小方丹 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种键合方法可以包括使第一元件的第一键合层活化以用于到第二元件的第二键合层的直接键合。该键合方法可以包括：在活化之后，在第一元件的经活化的第一键合层之上提供保护层。
直接方法结构

[发明专利]晶圆直接键合方法-CN201811632609.5有效
发明人：吴佳宏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆直接键合方法，包括步骤：步骤一、提供用于键合的第一和第二晶圆，在第一晶圆的边沿具有切割道；步骤二、进行预切割将第一晶圆的第一面边沿的切割道切除一定深度；步骤三、对第一和第二晶圆进行预处理；步骤四、对第一和第二晶圆进行预键合；步骤五、对第一和第二晶圆进行键合，在键合过程中会产生气体并排出键合面，通过步骤二中增加键合面间距减少第一晶圆的边沿处的键合波前的压差并防止过大的压差在第一晶圆的边沿处产生气泡本发明能减少或消除键合后在晶圆边沿产生的气泡，且工艺简单，成本低。
直接方法

[发明专利]硅片低温直接键合方法-CN200410074342.4无效
发明人：沈光地;徐晨;杨道虹;霍文晓;赵林林;赵慧;高国;陈建新 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。在100～300℃的热处理温度下，获得较高的键合质量，减轻了对硅片上杂质分布及微细结构的影响。
硅片低温直接方法

[实用新型]直接铜键合DCB衬底-CN202021703147.4有效
发明人：陈颜;吴美飞 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直接铜键合DCB衬底，直接铜键合DCB衬底具有第一侧边且包括第一铜层，第一铜层包括第一基岛、第二基岛以及第三基岛；其中，第二基岛部分包围第一基岛，第三基岛部分包围第二基岛，第一基岛、第二基岛以及第三基岛分别包括载片台和第一类引出端
直接铜键合 dcb 衬底

[发明专利]低温晶圆直接键合机台和晶圆键合方法-CN201910405744.4有效
发明人：周华 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种低温晶圆键合机台和晶圆键合方法，其中所述低温晶圆键合机台包括表面处理单元，用于对待键合晶圆的表面进行活化处理；预键合单元，用于将经过活化处理后的一片待键合晶圆与经过活化处理后的另外至少一片待键合晶圆或者与未经过活化处理的另外至少一片待键合晶圆贴合，形成预键合晶圆对；缺失检测单元，用于检测所述预键合晶圆对是否存在缺失；解键合单元，用于将所述存在缺失的预键合晶圆对分离。本发明的低温晶圆键合机台的解键合的成功率提升。
低温直接机台晶圆键合方法

[发明专利]用于高密度集成光子器件的直接键合的光电子互连件-CN201880080463.X在审
发明人：王亮;R·卡特卡尔 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了用于高密度集成光子器件的直接键合的光电子互连件。组合的电气互连件和光学互连件使得能够利用光电子驱动器电路将经完全处理的光电子管芯或晶圆直接键合到晶圆。光子器件可为III‑V半导体器件。直接键合到硅或绝缘体上硅(SOI)晶圆使得能够将光子器件与高密度CMOS和其他微电子封装件集成。每个键合表面都具有将通过直接键合来耦合的光学窗口。共面的电接触件位于外部，或者可外接相应的光学窗口，并且也使用金属到金属直接键合而跨界面来直接键合，而不会干扰光学窗口。直接混合键合可在一个整体操作中实现光学键合和电气键合两者，从而批量生产mLED视频显示器。无粘合剂的电介质到电介质直接键合和无焊料的金属到金属直接键合在与键合光学互连件相同的键合界面上形成高密度电气互连件。可使用已知良好的管芯，这是常规上不可能的，并且其顶表面上的光刻可缩放到高密度。
用于高密度集成光子器件直接光电子互连

[发明专利]磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法-CN200410052711.X无效
发明人：吴惠桢;劳燕锋;郝幼生 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种InP和GaAs的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防氧化的甲醇溶液中，叠片在甲醇溶液中进行，将InP的抛光面朝下置于GaAs抛光面的正上方，将InP和GaAs边与边对齐叠合在一起；键合温度在500－700℃，键合后退火，持续30－40分钟，键合和退火均在氮气保护下进行的。本发明一次可键合多片且键合时压力可调，键合温度低于文献报道，键合成功率接近100％，键合后InP－GaAs交界面并不会使键合后整个材料结构的光学和电性能变差。
磷化砷化镓材料直接方法

[发明专利]长条薄膜、长条偏振片、液晶显示装置及长条薄膜的制造方法-CN201780026074.4在审
发明人：前田贤谦;山口修平 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C08L1/12 文献下载
摘要：条件1：在分子内包含2个以上的与羟基直接键合的芳香环。条件2：在分子内具有1个以上的直接键合于与羟基直接键合的芳香环上、且不构成芳香环的碳原子，该碳原子与1～3个芳香环直接键合。条件3：直接键合于与羟基直接键合的芳香环上、且不构成芳香环的所有碳原子不具有与氢原子的键。条件4：直接键合于与羟基直接键合的芳香环上、且不构成芳香环的所有碳原子全部以单键与氢原子以外的原子键合。
直接键合芳香环长条薄膜偏振片碳原子羟基液晶显示装置氢原子纤维素酰化物满足条件原子键合单键薄膜制造

[实用新型]一种功率器件模块-CN202120740717.5有效
发明人：朱成中;谢峰;张孟杰 -专利权人：苏州禾望电气有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请公开一种功率器件模块，包括第一直接铜键合衬底，安装于所述第一直接铜键合衬底上的第一二极管；第二直接铜键合衬底，安装于所述第二直接铜键合衬底上的第二二极管和功率器件，所述第二二极管与所述功率器件反并联连接；其中，所述第一直接铜键合衬底上不安装功率器件。本申请通过在第一直接铜键合衬底上不安装功率器件，可大幅降低模块成本；在功率器件模块应用于斩波电路时，不影响外围电路配置及斩波电路正常功能。
一种功率器件模块

[发明专利]半导体结构直接键合在一起的方法和键合的半导体结构-CN201110421060.7有效
发明人：玛丽亚姆·萨达卡 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：半导体结构直接键合在一起的方法和键合的半导体结构。本发明的实施方式包括将半导体结构直接键合在一起的方法。在一些实施方式中，帽层可以设置在半导体结构的直接键合的金属特征部之间的界面处。在一些实施方式中，杂质设置在半导体结构的直接键合的金属特征部内。使用这样的方法来形成键合的半导体结构。
半导体结构直接合在一起方法

[发明专利]用于键合结构的保护元件-CN202310380475.7在审
发明人： B·哈巴;J·A·德拉克鲁斯;R·卡特卡尔;A·R·西塔拉姆 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了一种键合结构。键合结构可以包括半导体元件，该半导体元件包括有源电路装置和第一键合层。键合结构可以包括保护元件，该保护元件沿键合界面被直接键合到半导体元件而无需粘合剂。保护元件可以包括被设置在有源电路装置之上的阻碍材料和在阻碍材料上的第二键合层。第二键合层可以被直接键合到第一键合层而无需粘合剂。阻碍材料可以被配置为阻碍对有源电路装置的外部接入。
用于结构保护元件

[发明专利]用于键合结构的保护元件-CN202080027953.0有效
发明人： B·哈巴;J·A·德拉克鲁斯;R·卡特卡尔;A·R·西塔拉姆 -专利权人：隔热半导体粘合技术公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了一种键合结构。键合结构可以包括半导体元件，该半导体元件包括有源电路装置和第一键合层。键合结构可以包括保护元件，该保护元件沿键合界面被直接键合到半导体元件而无需粘合剂。保护元件可以包括被设置在有源电路装置之上的阻碍材料和在阻碍材料上的第二键合层。第二键合层可以被直接键合到第一键合层而无需粘合剂。阻碍材料可以被配置为阻碍对有源电路装置的外部接入。
用于结构保护元件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条