“G·高”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果52个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]直接接合结构-CN202180094803.6在审
发明人： R·坎卡尔;B·哈巴;P·M·恩奎斯特;小盖厄斯·G·方丹;G·高;C·E·尤佐 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了用于生产直接接合结构的方法和用于形成直接接合结构的方法的实施例。直接接合结构可以包括元件，该元件包括有源电子器件、微机电系统、光学元件等。
直接接合结构

[发明专利]具有贯穿衬底过孔的结构及其形成方法-CN202180092096.7在审
发明人： G·高;G·G·小方丹 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种微电子结构。微电子结构可以包括体半导体部分，该体半导体部分具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。微电子结构可以包括过孔结构，该过孔结构沿着不平行于第一表面的方向至少部分延伸穿过体半导体部分。微电子结构可以包括第一电介质阻挡层，该第一电介质阻挡层设置在体半导体部分的第一表面上并且延伸到过孔结构。微电子结构可以包括第二电介质层，该第二电介质层设置在第一电介质阻挡层上并且延伸到过孔结构。
具有贯穿衬底结构及其形成方法

[发明专利]直接键合方法和结构-CN202180085772.8在审
发明人： G·高;C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·G·小方丹 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种键合方法可以包括使第一元件的第一键合层活化以用于到第二元件的第二键合层的直接键合。该键合方法可以包括：在活化之后，在第一元件的经活化的第一键合层之上提供保护层。
直接方法结构

[发明专利]分离装置及分离方法-CN202180065189.0在审
发明人： G·高;D·B·阿普朗;F·黄;D·T·格杰德 -专利权人：菲奈克瑟斯公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01L3/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于分离生物分子(例如蛋白质或核酸)的易于自动化的方法。更特别地，本发明涉及分离装置，其包括设有底部液体入口/出口并且适于接收分离介质的柱。细长玻璃料的至少一部分基本上平行于柱侧壁布置，将分离介质与底部液体入口/出口隔开。细长玻璃料可以是管状并且应该具有用于在样品处理期间将分离介质保留在柱内的孔隙率。此外，本发明涉及从液体中分离至少一种目标分子的方法，其方法包括提供至少一种具有底部液体入口/出口并且任选地具有顶部液体入口的色谱柱。该柱保留分离介质；并且其中细长玻璃料的至少一部分基本平行于柱侧壁布置，以将分离介质与底部液体入口/出口分隔开。以如下方法处理所述柱中的液体样品，包括从底部液体入口/出口抽吸和分配流体；在顶部液体入口添加液体；或其任意组合。
分离装置方法

[发明专利]用于直接键合结构的尺寸补偿控制-CN202180036378.5在审
发明人： G·高;L·W·米卡里米;G·G·小方丹;C·E·尤佐 -专利权人：隔热半导体粘合技术公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了一种将具有差异厚度的第一半导体元件和第二半导体元件直接混合键合的方法。该方法可以包括：对第一半导体元件上的多个第一接触特征进行图案化。该方法可以包括：对第二半导体元件上的与第一接触特征相对应的多个第二接触特征以用于直接混合键合。该方法可以包括：将光刻倍率校正因子应用于第一图案化和第二图案化中的一者，而不将光刻倍率校正因子应用于第一图案化和第二图案化中的另一者。在各种实施例中，差异膨胀补偿结构可以被设置在第一半导体元件和第二半导体元件中的至少一者上。差异膨胀补偿结构可以被配置为补偿第一半导体元件与第二半导体元件之间的差异膨胀，以减少至少第二接触特征与第四接触特征之间的未对准。
用于直接结构尺寸补偿控制

[发明专利]超精确对象定位系统和使用该系统的自定位方法-CN202180031718.5在审
发明人： M·W·罗威;G·高;C·莱斯基 -专利权人：杰洛基有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01S5/00 文献下载
摘要：一种对象定位系统，具有多个参考设备，一个或多个目标设备位于未知位置并通过一个或多个无线信号集与多个参考设备通信，至少一个处理单元；以及一个或多个信号重发设备，每个信号重发设备与多个参考设备的至少一个子集、一个或多个目标设备的至少一个子集以及至少一个处理单元的至少一个子集通信，用于在其间填充对象定位相关数据。至少一个处理单元被配置为：对于一个或多个目标设备中的每一个，基于所述参考和目标设备之间通信的无线信号集确定目标设备和多个参考设备中的每一个之间的距离，以及基于确定的距离确定所述目标设备的位置。
精确对象定位系统使用方法

[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构-CN202210796791.8在审
发明人： G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构。提供用于在微电子学中在低温和较短退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。
微电子学低温进行直接金属间键合结构

[发明专利]TSV上的偏移焊盘-CN202210538162.5在审
发明人： B·李;G·高 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请涉及TSV上的偏移焊盘。可以采用包括过程步骤的代表性技术和设备来减轻由于键合界面处的金属膨胀而导致的经键合微电子衬底的分层的可能性。例如，金属焊盘可以设置在微电子衬底中的至少一个微电子衬底的键合表面处，其中接触焊盘相对于衬底中的TSV偏移地定位并且电耦合到TSV。
tsv 偏移

[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构-CN201980070918.4有效
发明人： G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。
微电子学低温进行直接金属间键合结构

[发明专利]TSV上的偏移焊盘-CN201980048835.5有效
发明人： B·李;G·高 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：可以采用包括过程步骤的代表性技术和设备来减轻由于键合界面处的金属膨胀而导致的经键合微电子衬底的分层的可能性。例如，金属焊盘可以设置在微电子衬底中的至少一个微电子衬底的键合表面处，其中接触焊盘相对于衬底中的TSV偏移地定位并且电耦合到TSV。
tsv 偏移

[发明专利]在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构-CN202080046522.9在审
发明人： C·E·尤佐;R·坎卡尔;T·沃克曼;G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;B·哈巴;G·Z·格瓦拉;J·瓦塔纳贝 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：提供了用于在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。针对存储器模块和3DIC提供了用于减少垂直堆叠管芯中的缺陷的结构特征和堆叠配置。例如，示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与其下方的直接键合管芯之间的翘曲应力。顶部管芯上的蚀刻表面可以减轻翘曲应力。示例堆叠可以包括在管芯之间的顺应层。另一堆叠配置用模制材料层代替顶部管芯以规避翘曲应力。键合表面上的腔体阵列可以减轻应力。还可以在顶部管芯的一侧或在其他管芯之间创建一个或多个应力平衡层以减轻或对抗翘曲。边缘圆角化可以防止应力和压力破坏性地传递穿过管芯和衬底层。这些措施可以一起或组合应用于单个封装中。
微电子学增加可靠性提高直接堆叠结构

[发明专利]减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤-CN202080030123.3在审
发明人： G·高;L·W·米卡里米;G·G·小方丹 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供了减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤的方法。方法以及层结构在测试探测期间探测焊盘表面被破坏后，通过恢复平坦直接接合表面，制备用于直接接合处理的半导体衬底。示例性方法在被破坏的探测焊盘表面上填充一系列金属以及氧化物，并且构建电介质表面以及用于混合接合的互连件。互连件可以被连接到探测焊盘和/或衬底的其他电接触。层结构被描述用于增加所得直接接合处理的产出以及可靠性。另一处理在倒数第二金属化物层上构建探测焊盘，并且施加直接接合电介质层以及金属镶嵌处理而不增加掩模层的计数。另一示例性处理以及相关的层结构将探测焊盘凹陷到较低的金属化物层并且允许在探测焊盘上的凹腔。
减轻制备衬底直接接合探测表面损伤

[发明专利]用于处理器件的技术-CN202110686074.5在审
发明人： C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·高;G·G·小方丹 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请的各实施例涉及用于处理器件的技术。代表性技术提供用于形成微电子组件的过程步骤，包括准备用于结合的微电子部件，诸如管芯、晶圆、衬底等。该微电子部件的一个或多个表面被形成和准备为结合表面。该微电子部件在该准备的结合表面处堆叠并结合而无需粘合剂。
用于处理器件技术

[发明专利]用于处理器件的技术-CN201980013695.8有效
发明人： C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·高;G·G·小方丹 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：代表性技术提供用于形成微电子组件的过程步骤，包括准备用于结合的微电子部件，诸如管芯、晶圆、衬底等。该微电子部件的一个或多个表面被形成和准备为结合表面。该微电子部件在该准备的结合表面处堆叠并结合而无需粘合剂。
用于处理器件技术

[发明专利]通过在直接键合工艺期间捕获污染物并阻止裂纹来增强微电子结构中的键合-CN201980064165.6在审
发明人： G·高;J·A·德拉克鲁斯;黄绍武;王量;G·G·小方丹;R·卡特卡尔;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：结构和技术可以通过在键合工艺期间捕获污染物和副产物并阻止裂纹来提供微电子结构中的键合增强。示例键合表面被提供有凹部、凹陷、阱或腔，以捕获键合的小颗粒和气态副产物并阻止裂纹，小颗粒和气态副产物将在被接合的微米级表面之间创建有害的空隙。这样的随机空隙将损害键合的完整性以及被键合互连件的电导率。在示例系统中，键合界面中放置的经预先设计的凹部空间或经预先设计的凹部图案捕获颗粒和气体，从而减少了随机空隙的形成，从而在键合形成时改进并保护键合。可以通过用于确定移动的颗粒在键合波传播期间移动的位置的示例方法，来将凹部空间或凹部图案放置在颗粒在键合表面上聚集的位置。例如，凹部可以以晶片级阶梯状的刻线图案来重复，或者通过对准器或对准工艺来放置。
通过直接工艺期间捕获污染物阻止裂纹增强微电子结构中的

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 52 条