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[发明专利]生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法-CN200410053863.1无效
发明人：杨德仁;余学功;李东升;马向阳;阕端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明的生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法，步骤如下：选择间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶，先在350～1300℃温度范围热处理10分钟～60小时，然后，再将硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶；或者首先将间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶，然后，再在本发明方法简单易行，通过选择适当氧浓度的直拉硅单晶进行热处理，使得直拉硅单晶体内生成一定量的氧沉淀，这些氧沉淀可以增加硅单晶的机械强度。由此也就获得了高机械强度的籽晶，用于直拉硅单晶的生长，可有效提高直拉硅单晶生长的生产效率。
生产强度直拉硅单晶用籽晶制备方法

[发明专利]一种直拉硅单晶提拉速度-晶体直径辨识模型建模方法-CN201910026707.2有效
发明人：刘丁;张晶 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法，具体按照如下步骤进行：步骤1、多次采样，记录直拉硅单晶在不同采样时刻k下的提拉速度和晶体直径，形成不同采样时刻k下的多组数据对；步骤2、确定得到具体的关于直拉硅单晶的提拉速度和晶体直径的离散时间非线性系统模型表达式；步骤3、对DBN网络进行训练；步骤4、将训练好的DBN网络作为直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型。本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法解决了现有技术采用DBN网络进行训练存在的不足。
一种直拉硅单晶提拉速度晶体直径辨识模型建模方法

[发明专利]一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒-CN201010565419.3无效
发明人：李留臣 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽。本发明直拉式硅单晶生长炉用导流筒结构简单，设计合理，使用安全，能有效提高硅单晶的生长效率，可广泛适用于直拉式硅单晶生长设备中。
一种直拉式硅单晶生长导流

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法-CN201210032561.0无效
发明人：王彦君;张雪囡;王岩;徐强;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备工艺，特别涉及一种用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法。其特征在于，首先用直拉法进行硅多晶料的拉制；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，再用区熔气掺的方法继续拉制掺杂的硅单晶，本发明的有益效果是：运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合直拉硅单晶生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，掺杂气通入量，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足了生产6英寸N型太阳能硅单晶的要求。
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[实用新型]一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒-CN201020632875.0有效
发明人：李留臣 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽。本实用新型直拉式硅单晶生长炉用导流筒结构简单，设计合理，使用安全，能有效提高硅单晶的生长效率，可广泛适用于直拉式硅单晶生长设备中。
一种直拉式硅单晶生长导流

[发明专利]用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置-CN201210189952.3有效
发明人：曾泽斌 -专利权人：曾泽斌
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置，使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置，使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置，这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度，使本发明的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅，解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅，不能加注块状多晶硅的难题。
用于直拉硅单晶炉块状多晶加料装置

[发明专利]一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法-CN201811519495.3有效
发明人：张颖武;韩焕鹏;赵堃;李明佳;莫宇;张伟才;赵权;刘锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法。在直拉法硅单晶生长过程中，增加氨气高温离解装置，将高纯氨气通入氨气高温离解装置产生N(g)，N(g)溶解于硅熔体，并扩散至单晶生长固、液交界面处，然后随着生长过程的进行，进入硅单晶内部，实现氮掺杂过程，抑制硅单晶COP缺陷；与传统的氮气气氛掺氮法相比，氨气离解温度低、离解效率高，易于实现氮元素掺杂效果，有助于制备直拉法低COP缺陷硅单晶。氨气离解温度低意味着加热功率更低，氨气离解效率高意味着所需气源更少，因此，这将大大降低生产成本，可适用于直拉法低COP缺陷硅单晶的批量生产。
一种制备 cop 缺陷硅单晶掺杂方法

[实用新型]一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置-CN201220272138.3有效
发明人：曾泽斌 -专利权人：曾泽斌
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置，使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置，使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置，这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度，使本实用新型的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅，解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅，不能加注块状多晶硅的难题。
一种用于直拉硅单晶炉块状多晶加料装置

[发明专利]一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法-CN201610338045.9在审
发明人：刘要普;令狐铁兵;李京涛;王新;方丽霞;李中军 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法，首先利用直拉法制备出电阻率在0.015~0.020Ω/CM的若干母合金样片，然后再利用该母合金样片继续用直拉法制备出高电阻硅单晶。本发明通过精确控制每一小批次母合金的电阻率，提高母合金的掺杂量，减少母合金的计算和称量的误差，实现直拉高阻硅单晶的稳定生长，使P型单晶硅的电阻率能达到300Ω/CM，且电阻率径向均匀性在3%以内，从而极大提高器件性能和稳定性、安全性，同时也实现了稳定批量生产直拉高阻硅单晶，本方法同样适用于拉制N型高阻单晶棒，能满足拉制N型电阻率在100Ω/CM以内的单晶棒。
一种法制电阻硅单晶方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法-CN201110306525.4无效
发明人：李立伟;王彦君;王岩;张雪囡;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法，首先用直拉法工艺完成清理直拉炉膛、装料、抽真空、充氩气、加热化料、引晶、拉细颈、放肩、收肩、等径、收尾、提起降温、出炉过程；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，符合区熔用料标准后，再用区熔的方法继续拉制气掺单晶，运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合硅单晶CFZ生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足生产6英寸P型太阳能硅单晶的要求
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[实用新型]直拉法生长高少子寿命掺镓硅单晶炉用的附加导流装置-CN201320077801.9有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦;任丽
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶炉用的附加导流装置，包括：石英套筒，石英套筒顶端设置外沿，在外沿下方依次设置若干圆周分布小孔，小孔均匀分布。所述的石英套筒呈倒梯形。通过单晶炉内导流系统的优化，使所生长的掺镓硅单晶的少数载流子寿命（以下简称少子寿命）得以提高。本实用新型具有不破坏通用单晶炉构造、改造成本低、具有能够有效提高直拉法生长掺镓硅单晶少子寿命的特点，并且同样适用于其它直拉法掺杂硅单晶炉，生产掺杂硼的硅单晶和掺杂磷的硅单晶。
直拉法生长少子寿命掺镓硅单晶炉用附加导流装置

[发明专利]硅红外滤光片的热处理工艺-CN91107462.7无效
发明人：谭淞生;朱建生;李月珍 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1991-08-06 - 公布日： 1994-10-26 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺，其特征是将硅片在400-1000℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至850℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在9μm处的透过率接近或达到区熔硅单晶的水平，用热处理后的廉价直拉硅单晶片制造的红外滤光片，可满足红外仪器设备所需红外滤光片的要求，大大降低了滤光片的成本。
红外滤光热处理工艺

[其他]采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶的方法-CN101985000000295在审
发明人：阙端麟;李立本;林玉瓶 -专利权人：浙江大学
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1986-02-10 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明属于直拉（切氏法）硅单晶生长技术领域。采用纯氮作为直拉硅单晶的保护气体，所用的氮气纯度为９９．９９９％以上，进入炉内氮气压力为０．５～６０托，氮气流量为２～５０升／分，所用的充氮设备及控制方法与充氩工艺相同。由于氮气来源丰富，价格低廉，可大幅度地降低硅单晶生产成本，提高硅单晶质量，产生积极的经济效果。
采用保护气氛制造切氏法硅单晶方法

[发明专利]一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法-CN201210073865.1有效
发明人：余学功;肖承全;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本
一种掺杂电阻率均匀型直拉硅单晶及其制备方法

[发明专利]一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法-CN200310108003.9有效
发明人：杨德仁;马向阳;李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开的磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法，其步骤如下：将多晶硅放入石英坩埚中，并掺入高纯的锗，在100－10000G磁场强度和保护气体下，将温度升到1400℃～1450℃，使锗熔入多晶硅熔液中，锗在单晶硅中的掺杂浓度为1×10¹⁰－1×10²¹cm^－3，生长得到低缺陷密度直拉硅单晶。本发明采用在磁场下生长直拉硅单晶，通过调整磁场强度可有效控制和降低氧的浓度，利用微量锗的掺杂，使得锗和点缺陷作用，从而抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是VOID缺陷的生成，降低缺陷密度，利于提高生长速度，降低成本，生长高质量的硅单晶。
一种磁场生长缺陷密度直拉硅单晶方法

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