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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

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E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

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2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种单晶直拉用加热器的取卸装置-CN201120071850.2无效
发明人：钱荣林;聂在涌 -专利权人：浙江荣马电子科技有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶直拉用加热器的取卸装置，该装置的手柄与倒钩通过连接杆相连接后呈倒丁字型。采用本实用新型，可以缩短单晶炉的冷却时间，及时将加热器取出，提高了生产效率；同时，增强了员工操作的安全性。
一种单晶直拉用加热器卸装

[发明专利]一种从单晶炉中取出单晶棒的方法-CN201110134324.0无效
发明人：牛小群 -专利权人：浙江星宇能源科技有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从单晶炉中取出单晶棒的方法，该方法是通过提拉头将拉好的单晶棒升至副炉室、观察室及炉盖以上后，再将提拉头及单晶棒随副炉室、观察室、炉盖一起向侧边移至主炉室外，并对准在侧边的主炉室的地下开有的槽孔，然后降下单晶棒，把单晶棒放入槽孔至炉盖以下部位，即可取出单晶棒。采用本发明，可以通过增加直拉单晶棒的有效行程，将每炉的硅料加满，并一次性制成单晶棒，达到提高生产效率，降低生产成本的目的。
一种单晶炉中取出单晶棒方法

[发明专利]CZ直拉法单晶炉-CN200910116895.4无效
发明人：马四海;张笑天 -专利权人：芜湖升阳光电科技有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CZ直拉法单晶炉，所述的单晶炉包括晶棒取棒框，所述的晶棒取棒框包括晶棒支撑框(1)，所述的晶棒支撑框(1)的支撑件为活动支撑脚(2)，所述的活动支撑脚(2)与所述的晶棒支撑框(1)的连接处采用活动关节结构采用上述技术方案，使80或者85型CZ直拉法单晶炉的最大取棒行程由1300mm左右增加至1800mm～2000mm。相对现有技术采用的方法，既避免了设备改造带来的风险，节约了改造成本；同时还能提高生产效率，降低生产成本；本发明取棒框，很多部位使用活动关节技术，节约了空间，即使直接固定在单晶炉的底架上，也不会改变原有的单晶炉台布局
cz 直拉法单晶炉

[实用新型]一种CZ直拉法单晶炉-CN200920172289.X无效
发明人：马四海;张笑天 -专利权人：芜湖升阳光电科技有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CZ直拉法单晶炉，所述的单晶炉包括晶棒取棒框，所述的晶棒取棒框包括晶棒支撑框(1)，所述的晶棒支撑框(1)的支撑件为活动支撑脚(2)，所述的活动支撑脚(2)与所述的晶棒支撑框(1)的连接处采用活动关节结构采用上述技术方案，使80或者85型CZ直拉法单晶炉的最大取棒行程由1300mm左右增加至1800mm～2000mm。相对现有技术采用的方法，既避免了设备改造带来的风险，节约了改造成本；同时还能提高生产效率，降低生产成本；本实用新型取棒框，很多部位使用活动关节技术，节约了空间，即使直接固定在单晶炉的底架上，也不会改变原有的单晶炉台布局
一种 cz 直拉法单晶炉

[发明专利]一种低成本直拉硅单晶的生产方法-CN201210061382.X无效
发明人：菅瑞娟;李建宏;李立伟;张雪囡;徐强;宋都明;汪雨田 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本直拉硅单晶的生产方法。其特征在于：.在化料过程中，硅料温度低于1280℃时向炉内通入氮气，硅料温度高于1280℃后将通入炉内的气体由氮气改为通入氩气；在停炉10～20min后，将通入炉内的气体由氩气改为氮气。本发明的技术特点是在化料和停炉两个步骤中将通入的氩气改为通入氮气，降低了直拉硅单晶的生产成本，同时不会产生有害的Si3N4固体，保证了成晶率。
一种低成本直拉硅单晶生产方法

[实用新型]一种直拉单晶炉用石墨埚托-CN202120923231.5有效
发明人：申连喜;赵永敬 -专利权人：嘉祥洪润电碳有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉用石墨埚托，包括底座，所述底座上侧固定连接设有多个接触板，所述底座上侧中心位置设有通孔，所述底座下侧固定连接设有多个斜杆，所述底座上侧对称设有两个移动板，两个所述移动板位于接触板的上侧设置本实用新型可以将不同大小的直拉单晶炉固定在埚托上，操作简单，实用性强。
一种直拉单晶炉用石墨

[发明专利]一种直拉硅单晶炉用固化炭毡整体导流筒及其制备方法-CN201510368281.0在审
发明人：康志卫;张治军;戴开瑛;崔金;李猛 -专利权人：湖南南方搏云新材料有限责任公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：一种直拉硅单晶炉用固化炭毡整体导流筒及其制备方法，该直拉硅单晶炉用固化炭毡整体导流筒包括导流筒耳部（1）、导流筒锥形筒部（2）及表面涂层（3）。
一种直拉硅单晶炉用固化整体导流及其制备方法

[发明专利]直拉单晶用热屏装置及单晶硅生产设备-CN201910176730.X在审
发明人：杨敏;白喜军;李强;张亮桢 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种直拉单晶用热屏装置及单晶硅生产设备，所述直拉单晶用热屏装置包括：内屏，用于围绕单晶设置；外屏，同轴设置于所述内屏远离所述单晶的一侧；以及导流通道，嵌设于所述内屏与所述外屏之间，所述导流通道用于引入工作气体本发明实施例可以提高单晶的生长速度，以及，提高单晶硅的产量和生产效率。
直拉单晶用热屏装置单晶硅生产设备

[实用新型]直拉单晶用热屏装置及单晶硅生产设备-CN201920298048.3有效
发明人：杨敏;白喜军;李强;张亮桢 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种直拉单晶用热屏装置及单晶硅生产设备，所述直拉单晶用热屏装置包括：内屏，用于围绕单晶设置；外屏，同轴设置于所述内屏远离所述单晶的一侧；以及导流通道，嵌设于所述内屏与所述外屏之间，所述导流通道用于引入工作气体本实用新型实施例可以提高单晶的生长速度，以及，提高单晶硅的产量和生产效率。
直拉单晶用热屏装置单晶硅生产设备

[实用新型]一种采用水环式真空泵的直拉单晶炉装置-CN201820679865.9有效
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉晶体制造设备技术领域，具体涉及一种采用水环式真空泵的直拉单晶炉装置，直拉单晶炉装置包括拉伸腔和炉膛，在所述拉伸腔和炉膛之间设有隔离阀，滑阀真空泵通过管路分别连接于所述拉伸腔和炉膛，在所述滑阀真空泵与所述拉伸腔之间的管路上设有第一真空球阀，在所述滑阀真空泵与所述炉膛之间的管路上设有第二真空球阀；水环式真空泵通过管路及第三真空球阀连接于所述炉膛；氩气瓶设在所述直拉单晶炉装置的一侧，所述氩气瓶通过管路分别连接于所述拉伸腔和炉膛，在所述氩气瓶与所述拉伸腔之间的管路上设有第一氩气阀门
炉膛拉伸腔直拉单晶炉水环式真空泵滑阀真空泵真空球阀氩气瓶本实用新型制造设备氩气阀门隔离阀晶体的真空泵生产

[发明专利]直拉单晶的制备方法以及单晶炉-CN202211103909.0在审
发明人：黄末;陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种直拉单晶的制备方法以及单晶炉，所述直拉单晶的制备方法包括：在熔体和生长中的单晶之间的界面处形成光环，检测装置用于检测所述光环宽度，并根据所述光环宽度确定所述熔体的温度，其中，所述熔体为填充在坩埚中的原料熔融形成的溶液，所述单晶的生长过程包括引晶阶段、放肩阶段、等径阶段、收尾阶段。由此，可更加准确的确定光环宽度，以准确控制熔体温度使其达到单晶生长的预设温度，提高单晶的制备效率，提高工艺的可重复性。
直拉单晶制备方法以及单晶炉

[实用新型]一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置-CN202221394323.X有效
发明人：孔凯斌;王彦君;孙晨光;周宏邦;王淼;娄中士;侯明超;贾海洋;张强;刘伟;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置，包括气掺装置和磁场装置，其中，气掺装置设于单晶炉内，且气掺装置环设于单晶硅棒的周侧，用于掺杂气体的通入；磁场装置设于单晶炉的外部，用于产生勾形磁场本实用新型的有益效果是在直拉单晶中利用气掺装置与磁场装置相配合，进行气相掺杂，能够克服直拉法单晶受到硼/磷单质分凝的自然规律，改变电阻率分布头部电阻高、尾部电阻低的现状，提高符合客户规格的入档电阻率。
一种提高 cz 法高阻半导体晶轴电阻率均一装置

[发明专利]一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品-CN202210242601.8在审
发明人：刘海;彭亦奇;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品，属于光伏与半导体硅片生产技术领域。本发明通过将坩埚内的硅原料加热熔融，再利用直拉单晶法进行单晶硅的生长；在单晶硅生长过程中，控制加料装置通过下料管向坩埚内持续添加硅原料，并利用高纯氩气辅助吹扫所述硅原料，使得硅原料落入坩埚内；在生长结束后，停止添加硅原料，将生长完成的单晶硅冷却后拆炉取出，得到单晶硅。本发明利用连续直拉法制备单晶硅，在进行单晶硅晶体生长的同时，持续向反应炉腔中添加硅原料，并利用高纯氩气持续吹扫下料管道，促使所述硅原料从下料管道落入反应坩埚内，避免了硅原料在管道中融化堵塞，提升了加料系统的稳定性
一种连续单晶硅制备方法及其产品

[发明专利]一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉-CN201510970073.8在审
发明人：司佳勇;周浩;尚繁;刘亚静 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，尤其是涉及熔融液提拉法的大尺寸单晶生长技术领域，具体公开了一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉，通过优化单晶炉生产工艺及氩气吹扫方式，能够控制单晶硅生长界面保持良好的温度梯度，提高热场稳定性，提高单晶生长速率同时保证稳定的单晶质量，提高了产能，降低了能耗和生产成本。
一种法制尺寸单晶硅方法单晶炉

[发明专利]一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法-CN88100307.7无效
发明人：李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 1988-01-20 - 公布日： 1989-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法应用外加磁场的单晶炉，以纯度为99.99%的氦气或氢-氮混合气作为保护气体，通过合理控制炉内压力、气体流量等工艺制备微氮低氧低碳直拉硅单晶。该方法制备的硅单晶，成本大幅度降低，其硅片在器件工艺中不易翘曲和破碎，成品率高，优品率增加。适合于制备2″～6″或更大直径直径的硅单晶，是制造大规模集成电路和超大规模集成电路的理想材料。
一种低氧低碳直拉硅单晶制备方法

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