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[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[发明专利]基于直拉法生长单晶硅的方法-CN201710402193.7在审
发明人：张进 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直拉法生长单晶硅的方法，该直拉硅单晶生长方法主要步骤为：流程准备→装炉→抽空→捡漏→充氩气→加热→引晶→缩细颈→放肩→转肩→等径生长→收尾→降温→停电→停氩气→停真空泵→拆炉。本发明采用直拉法生长单晶的设备和工艺简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中的杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。
直拉法单晶生长单晶硅制备大直径单晶直拉硅单晶氩气等径生长低电阻率流程准备生产效率充氩气真空泵拆炉放肩细颈引晶装炉加热抽空收尾停电

[实用新型]一种直拉法单晶炉用提取热系统的夹具-CN201720053791.3有效
发明人：杨鑫 -专利权人：陕西西京电子科技有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉技术领域，具体公开了一种直拉法单晶炉用提取热系统的夹具，包括刚性外壳、软性内衬、吊杆和吊钩；所述刚性外壳的截面为凹槽形，所述软性内衬设置于所述刚性外壳的凹槽内部；所述吊杆的上端为安装端该直拉法单晶炉用提取热系统的夹具结构简单、使用方便，避免了人工提取中保温筒时烫伤员工或者中保温筒掉落损坏的事件发生，也不需要长时间冷却，提高了生产效率。
一种直拉法单晶炉用提取系统夹具

[实用新型]一种硅掺杂砷化镓单晶直拉炉-CN201420358308.9有效
发明人：陈淑仙 -专利权人：陈淑仙
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砷化镓单晶直拉炉,特别是一种硅掺杂砷化镓单晶直拉炉，属于砷化镓单晶拉制装置技术领域；所述硅掺杂砷化镓单晶直拉炉包括炉体和设置于炉体内的提拉杆，所述提拉杆的下方设置有内坩埚，内坩埚下方还设置有可升降的外坩埚，所述外坩埚直径大于内坩埚直径，且内坩埚设置有穿透埚体并延伸至外坩埚的连通管道，所述连通管道将内坩埚和外坩埚连通；本实用新型的硅掺杂砷化镓单晶直拉炉设计巧妙，结构合理，在砷化镓单晶拉制过程中外坩埚能够有效的向内坩埚补充低掺杂浓度的熔体
一种掺杂砷化镓单晶直拉炉

[实用新型]一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置-CN202022410624.4有效
发明人：孔凯斌;郝朝旭;侯明超;王淼;张强;郝小龙 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置，包括：排气孔和排气管，所述排气孔设置在单晶炉上，与所述单晶炉成一定角度，用于连接所述排气管；所述排气管通过所述排气孔连通所述单晶炉内部，与所述单晶炉成一定角度设置，用于排出所述单晶炉内的气体。本实用新型的有益效果是有效的解决直拉单晶炉内气体流动时上炉盖拱形位置容易形成局部涡流，负压较低，导致排气效率降低，可能引起杂质聚集，导致碳高或氧高的问题。
一种降低直拉单晶氧含量排气装置

[实用新型]一种石墨导流筒吊装装置-CN201020647854.6有效
发明人：刘英江;李广哲;李德建;耿彦辉 -专利权人：宁晋晶兴电子材料有限公司;晶龙实业集团有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨导流筒吊装装置，用于挂接直拉单晶炉内部的石墨导流筒,其结构中包括与直拉单晶炉内的提升装置相连接的吊架和设置在此吊架上的吊臂，所述石墨导流筒挂接在此吊臂上。本实用新型能够充分利用直拉单晶炉内石英坩埚的空间以增加多晶硅的单次投料量，提高产品产量和成品率、降低生产成本。
一种石墨导流吊装装置

[发明专利]一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法-CN202211601075.6在审
发明人：颜俊尧;李英涛;边永智;宁永铎;方峰;徐继平 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法，包括以下步骤：(1)制作几何形状适配于电极柱和加热器脚形态的石墨纸环；(2)将制作的不同内外径尺寸的石墨纸环装入对应的直拉单晶炉内加热器脚与电极柱连接部位，正常运行拉制单晶；(3)记录不同单晶炉加热器脚与电极柱连接部位氧化物沉积产生的有无以及程度，得到能改善直拉单晶炉加热器寿命合适的内外径石墨纸环参数。本发明利用石墨纸环特异几何形状与石墨电极柱、加热器脚二者形成良好接触，有利于减少硅直拉单晶炉内氧化物在石墨加热器部件连接处的沉积，防止沉积物结块硬化、有利于减少间隙打火，有利于增强加热器电连接鲁棒性从而改善加热器的使用寿命
一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命方法

[发明专利]一种提高直拉硅单晶生产效率的方法-CN201110199363.9有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉硅单晶生产效率的方法，包括以下步骤：一、硅原料及掺杂剂准备；二、装料；三、单晶炉炉内处理：按直拉法常规处理工艺，依次完成合炉、抽真空、熔料、引晶、放肩、转肩和等径生长过程；四、后期处理，过程如下：首先、关闭单晶炉的石墨热场系统，使单晶炉的加热功率降至零；之后，石英坩埚内剩余硅熔体表面开始结晶，且待结晶快接触硅单晶晶体时，将晶体快速提离硅熔体液面；最后，进行晶体提升及取晶，获得硅单晶成品本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好，省略了晶体拉制的收尾过程，提高了生产效率，能解决硅单晶生产过程中因必须进行收尾工序使得直拉硅单晶生产效率受到限制的问题。
一种提高直拉硅单晶生产效率方法

[实用新型]一种直拉单晶硅加料器自动吹扫装置及具有其的单晶炉-CN202223543470.1有效
发明人：王甫朝;宋克冉;武绚丽 -专利权人：曲靖晶澳光伏科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉单晶硅加料器自动吹扫装置及具有其的单晶炉。其中，直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，包括：吹扫组件，所述吹扫组件用于安装在单晶炉的副室的底部开口处，以对由所述副室底部的开口吊入的加料器表面进行吹扫清理；进气组件，所述进气组件的一端连通所述吹扫组件以对所述吹扫组件进气根据本实用新型实施例的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，能够自动对单晶炉内的加料器进行吹扫清理，保证炉内拉晶的清洁度。
一种单晶硅料器自动装置具有单晶炉

[实用新型]一种支撑机构及直拉单晶炉热场装置-CN201820872049.X有效
发明人：李江林;马腾飞;马新成;邹昌盛;段永兵;王军 -专利权人：新疆晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅加工设备技术领域，具体涉及一种支撑机构及直拉单晶炉热场装置。主要技术方案为：一种支撑机构，包括:支撑体和支撑耳；所述支撑体为圆环状，用于支撑直拉单晶炉的中保温罩；所述支撑耳沿所述支撑体的径向，固定地设置在所述支撑体的外缘上；所述支撑耳为多个；多个所述支撑耳沿所述支撑体的圆周方向间隔设置采用本实用新型能够使直拉单晶炉热场装置作业方便，提升保温效果。
支撑体支撑耳直拉单晶炉热场支撑机构本实用新型设备技术领域圆周方向间隔单晶硅加工直拉单晶炉保温效果装置作业保温罩圆环状支撑

[实用新型]下开平动式直拉单晶炉-CN99205457.5无效
发明人：钟兴儒;田金法;吴金良;林兰英;陈诺夫 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院力学研究所
申请日： 1999-03-16 - 公布日： 2000-03-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种下开平动式直拉单晶炉,包括一炉桶、一炉底,其特征在于,一炉体支架,在该炉体支架的上面固接有一炉桶,一炉底用法兰盘与炉桶的下部连接,一液压系统与炉底连接,该液压系统通过一滚轮坐于炉体支架下面的平动滑道上;本实用新型与现有技术相比可减少炉桶的工作高度,节省单晶炉占用的场地空间;同时可使单晶炉的操作更方便灵活;其可减轻起重负载;其可减少制造直拉单晶炉的成本。
开平动式直拉单晶炉

[发明专利]一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法-CN201210232540.3有效
发明人：潘永娥;高贻刚;张国霞 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，具体步骤包括：将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；抽真空，将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；打开单晶炉炉体，待热场冷却后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。本发明的方法，通过SiC与石英粉在高温下的反应，能够延长石墨件的使用寿命15-30炉；适用于直拉单晶硅中使用的各个石墨件。
一种直拉法生长单晶硅石墨清洗方法

[实用新型]一种直拉单晶炉用石墨支撑环-CN202020191904.8有效
发明人：申连喜;赵永敬 -专利权人：嘉祥洪润电碳有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉单晶炉用石墨支撑环，包括支撑环，所述支撑环的表面设置有防护层，所述防护层包括弹力层、防腐层和耐磨层，所述弹力层位于支撑环的外侧，所述防腐层位于弹力层的外侧，所述耐磨层位于防腐层的外侧支撑环受力，从而对弹簧进行挤压，通过弹簧的弹性回弹，继而对支撑环所受的力进行缓冲，通过弹力层的配合，从而对支撑环所受的力进行缓冲，防止支撑环容易受压变形，使用者需要多次对石墨支撑环进行更换，同时会严重影响直拉单晶炉的工作效率，解决了传统直拉单晶炉用石墨支撑环弹性效果差的问题，通过陶瓷化硅橡胶层和聚氨酯层的配合，增加了支撑环的弹性效果。
一种直拉单晶炉用石墨支撑

[发明专利]直拉式单晶炉的副炉-CN201110455233.7无效
发明人：汤仁兴 -专利权人：汤仁兴
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及直拉式单晶炉的副炉，属于单晶硅的生产制造设备领域。一种直拉式单晶炉的副炉，其特征在于：它包括副炉本体（1），所述副炉本体（1）包括内壁（2）和外壁（3），所述内壁（2）和外壁（3）之间设有水夹层（4），所述内壁（2）和外壁（3）的上下两端分别连有上法兰这种直拉式单晶炉的副炉在外壁上开设了镁棒接口，镁棒接口与内壁与外壁之间的水夹层相连通，镁棒接口中插入镁棒后，将代替内壁和外壁上的铁与自来水中的氯离子发生反应，使得氯离子不会对炉壁产生腐蚀。
直拉式单晶炉

[发明专利]自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、单晶炉系统及稳定方法-CN202010338138.8在审
发明人：赵国伟;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明提供一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构，包括提升装置和定位装置，定位装置与提升装置连接，提升装置设于单晶炉副室的顶部，定位装置设于单晶炉副室内部，定位装置可相对于单晶炉副室滑动，通过提升装置动作，带动定位装置动作本发明的有益效果是应用于直拉单晶过程中，能够在直拉单晶过程中对籽晶进行稳定，使得籽晶稳定这一过程实现自动进行，实现籽晶的自动稳定，降低了劳动的强度，提高了生产效率。
自动稳定籽晶单晶炉定位机构系统方法