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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]直拉单晶炉加料装置-CN201920119660.X有效
发明人：史蒂芬·劳伦斯·金贝尔;孟敬镐;布拉德·乔佩克 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉加料装置。上述直拉单晶炉加料装置，设计γ、α和β分别满足各自条件，能够降低生产成本和提高产出，有利于应用。
硅料第一侧壁下料管底壁夹角为进料管输运直拉单晶炉第二侧壁加料装置本实用新型相对设置堆积角腔体容纳应用

[实用新型]直拉单晶炉石墨坩埚-CN201020142870.X无效
发明人：周俭 -专利权人：上海杰姆斯电子材料有限公司
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉石墨坩埚，包括石墨坩埚本体，在所述石墨坩埚本体的侧壁上设置有至少一个贯穿所述石墨坩埚本体壁厚的第一通孔，在每个所述第一通孔中插入一个石墨环，在所述石墨环的中心再开有贯穿的第二通孔直拉单晶炉内的硅料在加热时产生的气体可以从第二通孔里跑出来，这样，就可以避免一氧化硅对石墨坩埚各瓣接缝处的侵蚀，而使接缝处变形，在石墨环因为长期有气体从中穿过而变形后，只需要将石墨环敲掉，重新换一个即可
直拉单晶炉石墨坩埚

[发明专利]提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法及得到的单晶硅-CN201210382987.9有效
发明人：杨德仁;陈鹏;余学功;吴轶超;陈仙子 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：(1)将多晶硅原料以及固体掺杂剂在氩气气氛下熔融，得到稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，晶体生长经缩颈、放肩过程，进入等径生长阶段；(3)在等径生长阶段，通入和所述固体掺杂剂导电类型相反的掺杂气体，直至直拉单晶硅生长完成。本发明提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法中掺杂气体的种类和用量方便控制，可以得到各种所需的杂质浓度分布；直拉硅单晶的利用率得到提高；显著改善了直拉单晶硅的电阻率均匀性。
提高单晶硅轴向电阻率均匀方法得到

[实用新型]一种夹持装置和单晶炉-CN202221917088.X有效
发明人：朱永刚;董升;白锋;曹杰;张伟建;李侨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种夹持装置和单晶炉，涉及直拉单晶生长技术领域，以解决现有技术中在取晶时晶棒易与副室相撞，致使晶棒掉落进而导致晶棒和单晶炉损坏的问题。所述夹持装置应用于单晶炉，该夹持装置包括：基架、支架、驱动件和夹持组件。两个支架设置于基架，至少一个支架与基架移动连接。驱动件与至少一个支架驱动连接，用于使两个支架沿相互靠近和远离的方向移动。本实用新型还提供了一种单晶炉。该单晶炉包括副室和如上述技术方案所述的夹持装置。夹持装置设置于副室的侧壁，夹持组件沿副室的径向伸入副室内，用于夹持固定晶棒。
一种夹持装置单晶炉

[实用新型]一种降低直拉单晶复投碳含量的装置-CN202222633646.6有效
发明人：孔凯斌;刘伟;韩飞宇;郝小龙;周宏邦;王淼;张强;贾海洋;娄中士;王立刚;王彦君;孙晨光 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，可移动式设置在单晶炉内导流筒的内表面，包括内导本体和提升杆，所述内导本体设置在所述内导流筒的内表面，所述提升杆一端与所述内导本体顶部连接，另外一端穿过所述单晶炉的炉盖并设有提升模块本实用新型的有益效果是有效的避免了复投过程多晶原料磕碰内导流筒引入石墨元素导致的单晶碳高问题，提升了单晶品质，提高了石墨内导流筒的使用寿命，有效提高了生产效率，节约了生产成本。
一种降低直拉单晶复投碳含量装置

[发明专利]一种直拉硅单晶生长过程工艺参数优化方法-CN201810994948.1有效
发明人：刘丁;张晶 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶生长过程工艺参数优化方法，具体步骤如下：建立硅单晶热场中径向温度梯度和轴向温度梯度G的优化模型、采用满意度函数法对模型参数进行最优化求解、采用有限元数值模拟方法对直拉硅单晶炉内的熔体和固液界面的温场分布进行仿真、利用响应面法对工艺参数优化直拉硅单晶生长过程直流变压器径向温度梯度能量双向流动直拉硅单晶炉轴向温度梯度满意度函数电容电压函数拟合回归分析开环控制模型参数数值模拟响应面法优化模型直流电压直流增益自然平衡硅单晶谐振型自平衡最优化求解固液级联热场熔体温场修正期望优化保证

[实用新型]一种应用于直拉型单晶的新式加热器-CN202222575874.2有效
发明人：马幼学;董智慧;张宇辉;王楠;郭嘉伟 -专利权人：乌海市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型属于直拉单晶加热炉技术领域，具体涉及一种应用于直拉型单晶的新式加热器。本实用新型的技术方案为，一种应用于直拉型单晶的新式加热器，包括第一电极、第一加热体、第二加热体和第二电极，第一电极与第二电极相对设置，其中，第一加热体和第二加热体均由曲折连续的加热条组成，并且第一电极、第一加热体加热条、第二加热体加热条和第二电极依次串联连接的结构，整体为串联电路结构，在所有第一加热体加热条、第二加热体加热条的电流相同，电流相同可以确保第一加热体和第二加热体的发热量基本相同，从而更容易控制单晶生产热系统的稳定性
一种应用于直拉型单晶新式加热器

[发明专利]一种晶体生长方法及晶体硅-CN202211561051.2在审
发明人：马晓康;谢志宴;付泽华;王一淳;徐森炀 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体生长方法及晶体硅，涉及太阳能光伏技术领域，其中，所述方法包括：在熔料完成后，在第一炉压下进行调温；所述第一炉压小于等于3Torr；调温完成后，在第二炉压下进行引晶、放肩、转肩操作；所述第二炉压小于等于所述第一炉压；转肩完成后进行等径生长，且在等径生长阶段，根据掺杂单晶硅的实际等径生长长度，由所述第二炉压开始降低拉晶炉压进行晶体直拉生长。本申请可以减小掺杂元素在掺杂单晶硅轴向浓度分布差异，提高单晶硅轴向电阻率均匀性，同时提高生产效率。
一种晶体生长方法晶体

[实用新型]单晶炉勾形电磁场装置-CN200720032811.5无效
发明人：安涛;高勇;李守智;李波 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉勾形电磁场装置，包括在炉腔体外周设置的屏蔽体，屏蔽体的内侧上、下端分别安装有线圈a和线圈b，线圈a与线圈b是螺旋管直流线圈，他们的匝数、线圈半径、纵向和轴向层数、导线面积以及线包的绕制方法完全相同本实用新型与单晶炉配套安装，在直拉法生长晶体过程中，通过调整线圈的电流来改变单晶炉坩埚内的磁场磁力线分布，有效抑制了单晶炉坩埚内的影响晶体质量的各种熔体对流，从而提高了生长晶体的质量。
单晶炉勾形电磁场装置

[实用新型]具备双副炉室结构的单晶炉-CN201120233866.9有效
发明人：朱亮;王魏;孙明;曹建伟;邱敏秀 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉硅单晶炉设备，旨在提供一种具备双副炉室结构的单晶炉。该单晶炉有一个主炉室，主炉室上部装配有一个副炉室；该单晶炉还额外配置一个副炉室，两个副炉室均具备炉筒、晶体提升机构、水平调整机构、副炉室旋转机构和控制副炉室升降的液压缸，副炉室旋转机构均通过连接件活动安装于支撑柱上；各副炉室的下端设置一个副炉室闸阀，副炉室闸阀内设置活动的阀板；所述主炉室的上端设有一个隔离阀座，隔离阀座内部设置活动的主炉室隔离阀板，隔离阀座上侧与两个副炉室闸阀相互匹配。通过两个炉筒的交替使用，可在晶棒冷却的同时进行下一根晶棒的拉制，缩短了生产周期，大幅度提高生产效率，有效降低成本。
具备双副炉室结构单晶炉

[发明专利]一种单晶硅棒拉制工艺-CN201110400777.3无效
发明人：高一凡;曾世铭;牛冬梅 -专利权人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种单晶硅棒拉制工艺，包括在22”石英坩埚中首次投料110公斤硅原料；在单晶炉中熔化硅料后，第二次加入30公斤硅原料；调节温度和晶升参数，拉制出第一根棒，长度1000-1100mm，重80-90公斤，取出单晶硅棒；第三次加入25-30公斤硅料，熔化后拉制第二根单晶硅棒，长度为900-1000mm,重75-80公斤。从而解决了一炉两棒直拉单晶硅生产技术问题。具有成本低、生产效率高的特点，且操作简单、方便。
一种单晶硅拉制工艺

[发明专利]提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置及其处理工艺-CN201110197642.1有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置及其处理工艺，其装置包括单晶炉，单晶炉主炉室内设置有石英坩埚、导流筒、石墨坩埚和石墨热场系统，还包括水平放置在石英坩埚内侧中部的石英筒，石英筒底部沿圆周方向开有用于将石英坩埚内腔与石英筒内腔连通的多个通孔；其处理工艺包括步骤：一、硅原料制备及清洁处理；二、石英坩埚与石英筒组成的双层埚装炉；三、装料；四、后续处理：按常规直拉法的处理工艺，依次完成合炉、抽真空、熔料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉工序。本发明设计合理、使用操作简便、实现方便且使用效果好，所拉制硅单晶头尾的电阻率基本保持一致，大大提高了硅单晶的纵向电阻率一致性。
提高单晶硅纵向电阻率一致性装置及其处理工艺

[发明专利]一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法-CN201310057877.X有效
发明人：乔柳;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;王遵义;涂颂昊;刘铮;冯啸桐;孙昊 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动本发明提高了太阳能级硅单晶的径向均匀性，解决了太阳能级硅单晶的黑心问题，能够提高由该太阳能级硅单晶制得的太阳能电池片的转换效率。
一种利用直拉区熔法制太阳能级硅单晶方法

[发明专利]直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法-CN201010166018.0有效
发明人：周俭 -专利权人：内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，在单晶硅拉制过程中，将惰性气体从副室(1)流向罩体(5)，再沿着罩体(5)从其下端流出，最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。
直拉硅单晶炉装置硅单晶拉制方法

[发明专利]一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法-CN201210005592.7无效
发明人：马向阳;徐泽;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，对掺氮直拉单晶硅片进行快速热处理，然后自然冷却；其中，所述快速热处理的升温速率为10-100℃/s，快速热处理的最高温度为1200-1250℃，掺氮直拉单晶硅片在最高温度下维持30-150s。该方法能够快速、有效地消除掺氮直拉单晶硅片中的原生氧沉淀，从而抑制硅片在后续热处理中产生氧化诱生层错，具有工艺简单、热预算低的特点，特别适用于初始氧浓度为6×1017-1.1×1018cm-3、氮掺杂浓度为2×1014-4×1015cm-3的掺氮直拉单晶硅片。
一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生沉淀方法

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