专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]自体离子轰击辅助电子装置及利用其镀膜的方法-CN201110418126.7无效
  • 王浪平;王小峰;陆洋;姜巍 - 哈尔滨工业大学
  • 2011-12-14 - 2012-06-13 - C23C14/30
  • 自体离子轰击辅助电子装置及利用其镀膜的方法,它涉及电子的装置及方法。本发明是要解决现有的电子方法的膜层与基体之间的结合力低,离子辅助电子的方法成膜速度慢的技术问题。自体离子轰击辅助电子装置由电子装置和射频辉光放电系统和真空系统组成;其中射频辉光放电系统由射频放电电极和射频电源组成。镀膜方法:将基体放在样品架上,成膜物质放置于坩埚中,抽真空后,启动烘烤装置加热基体,启动电子蒸发源产生电子,加热坩埚内物质,形成蒸汽,启动射频电源2和射频放电电极,同时对样品架加电压,镀膜后,得到膜层
  • 离子轰击辅助电子束装置利用镀膜方法
  • [发明专利]真空处理装置-CN201180010394.3有效
  • 饭岛荣一;池田裕人;矶佳树 - 株式会社爱发科
  • 2011-02-16 - 2012-10-31 - C23C14/30
  • 本发明提供一种在高真空领域中也能够抑制电子发散、防止蒸发率降低且稳定地成膜的真空处理装置。真空处理装置(装置)(1)具有真空室(50)、电子枪(20)和电子聚集机构(150)。所述真空室(50)中,设置有容纳蒸发材料(31)的蒸发源以及该蒸发材料(31)被加热并作为镀膜被的被处理部件(10)。所述电子枪与所述真空室邻接设置,并发射对所述蒸发材料(31)加热的电子。所述电子聚集机构(150)设置于所述真空室(50)内,对从电子枪(50)射出的所述电子进行聚集。
  • 真空处理装置
  • [发明专利]真空处理装置-CN200780033836.X无效
  • 饭岛荣一;增田行男;矶佳树;箱守宗人 - 株式会社爱发科
  • 2007-09-11 - 2009-10-21 - C23C14/30
  • 本发明提供一种真空处理装置,使用应用了皮尔斯式电子枪的真空装置在被处理基板上形成涂层时,使电子向收容于真空槽内的蒸发源中的材料的蒸发点诱导,使在上述蒸发点的电子的照射范围最适化,可以以更快的成膜速度形成优良的涂层作为使皮尔斯式电子枪的电子向收容在真空槽内的蒸发源中的材料的蒸发点偏向并诱导的装置,将形成相对于上述电子的入射方向大致垂直且相对于上述蒸发源的电子照射面大致平行的磁场的磁铁装置设在上述电子照射面的背侧的真空槽外其结果是,与将电子偏向装置置于真空槽内的现有的装置相比,真空槽内变得简单。不会产生机械及磁性的干扰,可以将电子的照射范围最适化。
  • 真空处理装置
  • [实用新型]电子装置-CN201420405903.3有效
  • 清水祐辅;山成淳一 - 日立造船株式会社
  • 2014-07-22 - 2014-12-10 - C23C14/30
  • 本实用新型提供电子装置,能抑制因电子产生的二次电子和反射电子入射到基板及进行电子屏蔽的磁体本身成为屏蔽物而妨碍这两者。使材料的收容容器(坩埚(2))位于进行的基板(1)的下方,在比收容容器的中心靠向基板(1)中心方向的上方空间,夹着收容容器的中心且隔开规定的间隔,将一对磁体(4(4A、4B))各自的基板中心侧端部配置成比另一个端部向下方倾斜在与电子的同时向先形成在基板上的有机薄膜上照射电子时产生的反射电子和二次电子的情况下,能抑制有机器件的特性下降,能得到与用电阻加热式金属制作的有机器件同等的特性。此外,所述机构本身不会成为的屏蔽物,能在基板整个区域进行
  • 电子束装置
  • [发明专利]真空镀膜工艺-CN201510878685.4在审
  • 翟文喜 - 东莞市金世尊电子科技有限公司
  • 2015-12-04 - 2016-04-06 - C23C14/10
  • 本发明公开一种真空镀膜工艺,包括产品的清洗、分别采用电子、溅射或热气流的方式在清洗后的产品表面形成SiO2膜层、采用电子、溅射或热气流的方式在清洗后的产品表面形成防污膜层以及成品的包装等步骤,通过在产品为表面设置一层SiO2膜层以及一层防污膜层,镀膜的方式包括电子方式、溅射方式以及热气流方式,从而达到了油水物质均不会直接接触到产品表面,从而使得产品表面不会发生腐蚀或者划伤的可能
  • 真空镀膜工艺
  • [其他]电子枪装置-CN201290000132.9有效
  • 盐野一郎;佐藤望;林达也;中村拓也 - 株式会社新柯隆
  • 2012-04-09 - 2014-01-01 - C23C14/30
  • 提供一种电子枪装置,在适于装置运转的位置具备极片,该极片在坩埚的上方位置朝着坩埚沿水平方向延伸。电子枪装置(1)具备:坩埚(3),其收容材料;电子射出机构(7),其射出电子(EB),以使坩埚(3)内的材料加热蒸发;壳体(10),其在内部收容电子射出机构(7);第1极片(11)以及第2极片(12),其在固定于壳体(10)的状态下使电子(EB)朝着坩埚(3)内的材料偏转;以及第3极片(13),其为了调整电子(EB)对坩埚(3)内的材料的照射位置,使向壳体(10)外射出的电子
  • 电子枪装置
  • [发明专利]低缺陷光学薄膜制备方法及其制品-CN201910370632.X有效
  • 蒲云体;马平;彭东旭;邱服民;乔曌;卢忠文;吕亮;张明骁 - 成都精密光学工程研究中心
  • 2019-05-06 - 2021-07-06 - C23C14/46
  • 薄膜制备方法包括:热处理过程、采用离子溅射方式制第一膜层的过程、采用离子辅助电子方式制第二膜层的过程、薄膜表面平坦化处理的过程,采用电子方式涂第三膜层和第四膜层的过程,采用离子溅射方式制保护膜层的过程本发明还公开了一种利用镀膜装置制备薄膜的方法,镀膜装置为顺序连接的多真空腔室,各腔室分别对元件热处理,采用离子溅射方式制第一膜层和保护层,采用电子方式制第二膜层、第三膜层和第三膜层,平坦化处理本发明结合离子溅射和电子的方式,设计出了可制备强附着力、高激光损伤阈值、低应力、抗激光损伤性能好的薄膜的方法。
  • 缺陷光学薄膜制备方法及其制品
  • [实用新型]用于电子的锅盘-CN201921686788.0有效
  • 叶小兵;孔德兴 - 张家港志辰光学技术有限公司
  • 2019-10-10 - 2020-06-16 - C23C14/30
  • 本实用新型公开了一种用于电子的锅盘,其包括盘底和侧壁部,侧壁部呈截头的倒锥状,也即侧壁部的上边缘的外径大于下边缘的外径,侧壁部从上到下逐渐向靠近用于电子的锅盘的纵向中轴线方向倾斜,在侧壁部的外侧面上设置有多个朝向用于电子的锅盘的纵向中轴线凹陷的落料槽本实用新型的锅盘还包括与侧壁部的上边缘连接的物料遮挡部,物料遮挡部包括从下到上向靠近用于电子的锅盘的纵向中轴线倾斜设置的物料遮挡坡面。利用本实用新型的锅盘进行电子时可有效减少从锅盘中掉落的膜料量并可避免膜料卡在锅盘与EBG中间而影响锅盘转动,因而确保了更佳的镀膜效果。
  • 用于电子束

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