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[发明专利]一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法-CN201810700412.4在审
发明人：张军然;徐永兵;张勇;王倩 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法，主要包括：采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜，根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。
金属薄膜覆铜电子束蒸镀半固化片铜箔蒸镀蒸镀条件镍薄膜钛薄膜压合薄膜剥离

[发明专利]一种电子束蒸镀金属膜层应力监控方法-CN202310582556.5有效
发明人：李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种电子束蒸镀金属膜层应力监控方法，通过采用电子束蒸镀工艺在晶圆表面制备金属膜层之前，在晶圆的预设位置上制备识别图形，即在晶圆上同时具有识别图形和金属图形，当金属膜层制备完成后，对识别图形的状态进行检测，并根据检测结果，判断金属膜层的应力，以对电子束蒸镀金属膜层应力进行监控，在此过程中，不需要额外的应力测试设备，也不需要额外的辅助材料，从而有效降低了制造成本，且可以准确、快速了解电子束蒸镀金属膜层应力
一种电子束镀金属膜层应力监控方法

[实用新型]一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置-CN201821782720.8有效
发明人：唐安泰 -专利权人：株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本实用新型属于电子束蒸镀技术领域，尤其为一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，包括蒸镀装置本体，所述蒸镀装置本体上开设有真空腔，所述真空腔内设有基板支架，所述基板支架与真空腔的顶部内壁转动连接，所述真空腔的底部内壁上固定安装有安装座本实用新型操作简单，实用性强，方便蒸镀材料的放置，同时，便于对蒸镀材料支撑装置进行清理，提高ITO膜的质量。
蒸镀装置真空腔电子束蒸镀内螺纹管螺纹杆本实用新型基板支架蒸镀材料安装槽安装块安装座托板底部内壁顶部内壁活动安装支撑装置转动安装转动连接内螺纹低端底端挂钩延伸

[发明专利]一种半导体激光器腔面钝化的方法-CN200510067963.4无效
发明人：徐晨;沈光地;舒雄文;田增霞;陈建新;高国 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：包括以下步骤：半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室；离子预清洗，即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及其形成的表面态和界面态这些非辐射复合中心；前腔面(4)进行离子预清洗30秒到6分钟；用电子束蒸发方式在前腔面(4)蒸镀ZnSe或ZnS宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)；前腔面(4)镀增透膜(1)；夹具翻面对后腔面(5)进行上述离子预清洗30秒到6分钟；电子束蒸发方式在后腔面(5)蒸镀ZnSe或ZnS；在后腔面(5)镀高反膜(2)。
一种半导体激光器钝化方法

[实用新型]盖子、固定装置以及电子束蒸镀装置-CN202021139405.0有效
发明人：曹乐;张希山;胡旭峰 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种盖子、固定装置以及电子束蒸镀装置，在蒸镀过程中，能够减小盖子与基片间的摩擦力，从而减小因摩擦导致基片表面受损的风险，保证基片的蒸镀质量，降低生产成本。
盖子固定装置以及电子束

[实用新型]一种用于电子束蒸镀氧化铝薄膜的器皿-CN202222438709.2有效
发明人：董家海;斯超波 -专利权人：浙江诺华陶瓷有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及涉及电子束蒸镀领域，更具体的说是一种用于电子束蒸镀氧化铝薄膜的器皿；有益效果为能够得到不同尺寸的氧化铝薄膜。一种用于电子束蒸镀氧化铝薄膜的器皿，包括器皿本体，器皿本体内转动连接螺杆,与器皿本体内壁贴合的安装座螺纹连接在螺杆上，器皿本体上固定连接空心座，盖板配合连接在空心座上，盖板的两端皆设有插槽，器皿本体的两端皆插有挡板
一种用于电子束氧化铝薄膜器皿

[发明专利]一种降低LED电极耗Au量的蒸镀机-CN201410834914.8有效
发明人：卢浩 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种降低LED电极耗Au量的蒸镀机，包括支座、电子枪、加热灯座、前置式镀锅、旋转电机，所述支座下端安装有电子枪，电子枪上方安装有导磁片，电子枪上侧设有钨衬锅，钨衬锅上侧安装有坩埚遮板，坩埚遮板上部两侧设有加热灯座，加热灯座上侧安装有前置式镀锅，前置式镀锅上设有镀锅前置承片盘，前置式镀锅通过导轨安装在导轨支撑柱上，导轨上端连接有旋转电机，支座后侧设有气动阀，气动阀的上侧安装有主阀气缸、下侧安装有冷泵。本发明采用电子束洛仑兹力增强技术，通过对电子枪的改造(增加导磁片)，控制蒸镀机电子枪磁场分布，使得电子束更加集中，从而达到降低蒸发功率，减少黄金消耗，减少蒸镀黑点的效果。
一种降低 led 电极 au 蒸镀机

[发明专利]一种高真空电子束蒸发薄膜沉积设备-CN202310327588.0在审
发明人：欧阳鹏辉;常满;刘天才;柴亚强;陈佳;王用文;常鸿;韦联福 -专利权人：西南交通大学;成都齐兴真空镀膜技术有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高真空电子束蒸发薄膜沉积设备，其包括设备支架，安装于设备支架上的蒸镀装置，与蒸镀装置经插板阀连接的氧化装置，以及用于对蒸镀装置和氧化装置抽真空的真空系统。本发明将蒸镀装置和氧化装置通过插板阀连接在一起，使设备兼顾电子束蒸发、在线氧化及在线刻蚀功能；能够实现样品镀膜、刻蚀和氧化连续化操作，制备出具有复杂结构和高质量的薄膜样品。
一种真空电子束蒸发薄膜沉积设备

[发明专利]柔性基底高功率密度热电转换芯片的制备方法-CN202110264379.7在审
发明人：程新利;刘伟祎;刘宏;陆蓓蓓;章于道 -专利权人：苏州窄带半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性基底高功率密度热电转换芯片的制备方法，包括以下步骤：将聚酰亚胺薄膜作为芯片底层支撑柔性材料，采用氢气等离子体辉光放电方法对聚酰亚胺薄膜进行表面活化处理；将活化处理后的聚酰亚胺薄膜放置到电子束蒸发基板上；在真空条件下采用电子束蒸发在聚酰亚胺薄膜上形成P型碲化铋薄膜层从而获得蒸镀后聚酰亚胺薄膜，此P型碲化铋薄膜层进一步包括P型碲化铋条；将获得的蒸镀后聚酰亚胺薄膜再次放置到电子束蒸发基板上，再次覆盖掩膜板并固定；将二次蒸镀后聚酰亚胺薄膜上覆盖电极掩膜板。本发明制备方法获得的热电转换芯片能量来源简单广泛，输出功率密度满足常用人体电子设备的功率需求，弯折度在半圆之内器件特性无退。
柔性基底功率密度热电转换芯片制备方法

[发明专利]间接加热蒸镀源-CN202010147670.1在审
发明人：菅原康司;上冈昌典;铃木康辅;高岛徹;谷口明;三泽启一;佐野纮晃 -专利权人：日本电子株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够谋求容器的大容量化的间接加热蒸镀源。间接加热蒸镀源(1)具备：容器(内衬(2))，其形成为有底的筒状，且供蒸镀材料(4)填充；容器保持部(保持件(3))，其保持容器；电子源(8)，其放出用于对容器进行电子冲击加热的热电子(电子束(25))；以及扫描线圈(21)，其使自电子源放出的热电子的照射范围扩大。
间接加热蒸镀源

[实用新型]一种电子束蒸镀装置-CN202120974092.9有效
发明人：姚林松;彭鹏;陈丽祥 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体蒸镀技术领域，具体涉及一种电子束蒸镀装置，包括蒸镀仓、电子束发生装置、坩埚和蒸镀架，蒸镀仓包括底仓和顶盖，底仓的底部安装有平台，平台的顶部开设有第一安装槽，电子束发生装置与坩埚之间设有磁极，第一安装槽的底部开设有第二安装槽，第二安装槽内安装有第一电机，坩埚的顶部开设有多个容纳槽，多个容纳槽内均固定安装有衬埚，顶盖的内底部固定安装有第二电机，蒸镀架包括多个支脚，多个支脚上均转动连接有圆盘，解决现有技术中蒸镀不同的金属膜层时需要更换衬埚，而且晶圆镀膜均匀性较差的问题。
一种电子束装置

[实用新型]一种GaAs系太阳能电池三层减反膜-CN201520388913.5有效
发明人：郑贵忠;彭娜;张杨;陈升阳;潘旭;杨翠柏;王智勇 -专利权人：瑞德兴阳新能源技术有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaAs系太阳能电池三层减反膜，由从下往上依次层状叠加的第一层二氧化钛薄膜、第二层二氧化钛薄膜及一层二氧化硅薄膜组成，其中，在GaAs系太阳能电池的窗口层或顶电池材料上通过电子束蒸镀沉积出第一层二氧化钛薄膜，在所述第一层二氧化钛薄膜上采用离子源辅助电子束蒸镀沉积出第二层二氧化钛薄膜，在所述第二层二氧化钛薄膜上采用离子源辅助电子束蒸镀沉积出一层二氧化硅薄膜，形成表面减反结构。本实用新型可以提升太阳能电池光电转换效率，保证良好的电池片外观，提高太阳能电池片的电性良率，同时减缓了蒸镀机台衬板的更换频率。
一种 gaas 太阳能电池三层减反膜

[发明专利]一种Cu‑Ti非晶合金薄膜及其制备方法-CN201510509138.9有效
发明人：张博;朱振西;杨宇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu‑Ti非晶合金薄膜及其制备方法，其特征在于非晶合金薄膜的结构式为CuxTi100‑x(54≤x≤66)，其中x为Cu元素的原子百分数；与通常的制备工艺不同的是，该非晶合金薄膜通过电子束+电阻蒸发复合镀膜的技术，在制备过程中，金属Ti和金属Cu分别采用电子束和电阻蒸发源蒸镀，衬底基板不需要加冷却装置，简化了制备工艺，降低了生产成本。本发明制备的非晶薄膜，非晶结构明显，可以通过调节蒸镀电流和蒸镀时间，控制非晶薄膜的成分和尺寸。
一种 cu ti 合金薄膜及其制备方法

[发明专利]一种提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的电子束蒸镀方法-CN201410102885.6有效
发明人：王德晓;夏伟;申加兵;黄博;徐晓强 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提出一种提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的电子束蒸镀方法，主要从四个方面对蒸镀条件进行优化ITO蒸镀速率，真空度，通氧量，通氧位置。最底层ITO蒸镀采用较低速率、高真空、低通氧量、近源通氧位置，保证最底层ITO初始晶核细密，在晶核上生长ITO晶粒尺寸小，晶粒间无空隙，从而使晶体更加致密；中间层ITO采用较高蒸镀速率、低真空、较高通氧量、近源通氧位置，保证最底层ITO、中间层ITO及上层ITO的折射率有过渡；上层ITO蒸镀采用高速率、低真空、高通氧量、远源通氧位置，保证ITO薄膜的高透过率和高蒸镀效率。本发明无需对电子束蒸发台之外再添加其他设备，能得到抗ESD能力强的结构致密、与氮化镓接触良好的ITO薄膜，方法简单、设备成本低、生产效率高，适合规模化量产。
一种提高 led esd 能力 ito 薄膜电子束方法

[发明专利]一种用于凹印渐变网印刷效果的转移纸及其制备方法-CN202210934156.1在审
发明人：杨建青;贾天宇;孙明旭;谢彬;刘华琪;林海光;姬广梅 -专利权人：山东金麦材料科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： D21H27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于凹印渐变网印刷效果的转移纸及其制备方法，其特征在于，电子束固化转移涂层由电子束固化涂料经电子束固化而成，所述电子束固化涂料包括以下重量份计的原料：预聚物30‑60份、活性稀释剂40‑70份、助剂1‑5份；制备方法为：配料‑膜涂布‑过火焰‑真空蒸镀‑复合‑剥离。
一种用于渐变印刷效果转移及其制备方法