“电化学刻蚀”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果523548个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种可控长径比的钨丝针尖的制备装置及制备方法-CN201910031212.9有效
发明人：郑磊;黄钊;刘华荣;王学慧;程协 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C25F3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种可控长径比的钨丝针尖的制备装置及制备方法，包括电动位移装置、电化学池、控制电路；所述电动位移装置固定待制备钨丝并可控制调节所述待制备钨丝在所述电化学池内的位置使所述待制备钨丝在所述电化学池内做提拉往复振动，所述控制电路与所述电动位移装置、所述电化学池连接形成刻蚀电路从而实现对所述电化学池内所述待制备钨丝的刻蚀；本发明利用提拉往复振动对所述待制备钨丝进行电化学刻蚀加工，通过所述提拉往复振动使电化学刻蚀产生的电化学产物加快向所述电解液中扩散，减小所述待制备钨丝端部形成区域的局部电化学产物浓度，以破坏抑制电化学反应速度的扩散层的形成，从而可提高电化学刻蚀的加工效率。
一种可控长径钨丝针尖制备装置方法

[发明专利]一种电化学刻蚀装置及刻蚀方法-CN202210262674.3在审
发明人：吴长征;谢毅 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本申请公开了一种电化学刻蚀装置及刻蚀方法，所述电化学刻蚀装置包括：刻蚀调节模块、控制电路模块和电化学池，所述刻蚀调节模块中设置有待制备的电子源器件，所述电子源器件的一端与所述控制电路模块连接，另一端浸没在所述电化学池内，所述电化学池的一端与所述控制电路模块连接；其中，所述控制电路模块用于对所述电子源器件和所述电化学池施加预设电压和电流，以使得浸没在所述电化学池内的电子源器件进行电解刻蚀，形成具有微凸起针尖的电子源器件应用本发明提供的技术方案，通过电化学刻蚀法，将LaB6的材料特性和理想的电子束发射微观结构结合，可以形成具有微凸起针尖的LaB6
一种电化学刻蚀装置方法

[发明专利]电化学深刻蚀方法及其装置-CN200410099139.2无效
发明人：王连卫;陈瑜;赖宗声 -专利权人：上海纳晶科技有限公司;华东师范大学
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机电系统器件的制作方法，尤其是电化学深刻蚀方法，还涉及电化学深刻蚀方法的装置，属于微电子以及微机电系统技术领域。本发明所述的电化学深刻蚀方法为，将传统的电化学深刻蚀装置添加与样品表面垂直的磁场，或者将电化学深刻蚀装置放在温度为－10℃～15℃的环境中进行。控制温度可以降低散流子的晶格散射几率，使电化学深刻蚀效果更佳。
电化学深刻方法及其装置

[发明专利]阵列电极的电化学约束刻蚀系统-CN201710524891.4有效
发明人：胡振江;闫永达;詹东平;曹永智;赵学森;韩联欢 -专利权人：哈尔滨工业大学;厦门大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C25F7/00 文献下载
摘要：基于电化学约束刻蚀的阵列电极及其加工方法。本发明涉及一种基于电化学约束刻蚀的阵列电极及其加工方法。所述的主控制系统将控制信号发送给电化学工作站、阵列电极控制与运动控制系统，所述的电化学工作站、阵列电极控制与运动控制系统再将信号反馈给主控制系统。本发明用于基于电化学约束刻蚀的阵列电极。
基于电化学约束刻蚀阵列电极及其加工方法

[发明专利]电化学刻蚀装置及其刻蚀方法-CN202310305165.9在审
发明人：赵思齐;刘兴昉;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25F7/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种电化学刻蚀装置及其刻蚀方法。其中，该电化学刻蚀装置包括夹具结构、容器结构和电源结构。夹具结构用于在电化学刻蚀过程中夹设目标刻蚀样片，以暴露目标刻蚀样片的刻蚀区域；在电化学刻蚀过程中，夹具结构设置在容器结构中，且刻蚀区域与容器结构中的电解质溶液接触；电源结构正极与夹具结构电连接，并且电源结构负极连接至与电解质溶液接触的阴极因此，基于本公开的上述电化学刻蚀装置，能够确保电化学刻蚀工艺的安全性更高，同时保证简单易操作，且能够在低成本以及低危险系数的情况下完成对碳化硅的高精度刻蚀。
电化学刻蚀装置及其方法

[发明专利]在硅片上制备抗反射层的方法-CN200910195932.5无效
发明人：游金钏;王连卫;姚韡;彭波波;孙立;陈清 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅片上制备抗反射层的方法，该方法包括制备绒面及电化学刻蚀两步骤，其绒面制备已在该领域广泛应用；电化学刻蚀是将具有绒面结构的硅片装入电化学刻蚀反应装置中，使硅片一面接触饱和食盐水，另一面接触刻蚀液，饱和食盐水接电极正极，刻蚀液接电极负极，反应装置由控制系统(Labview)控制，在控制系统中设定电化学刻蚀参数，开启控制系统，进行电化学刻蚀，在硅片上制得抗反射层。本发明制得的硅片用在太阳能电池中，一方面能降低光的反射，有利于光的吸收，另一方面，由于光电化学刻蚀工艺上的简单性及可重复性，且光电化学刻蚀的工艺成本低，对太阳能电池产业的发展具有极大的促进作用。
硅片制备反射层方法

[发明专利]一种电化学刻蚀多孔石墨毡电极材料及其制备的液流电池-CN202310063231.6在审
发明人：徐俊辉;韩红静;王慧;陈留平;季超;姚圣鑫;聂昌通 -专利权人：中盐金坛盐化有限责任公司;青海大学
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种电化学刻蚀多孔石墨毡电极材料及其制备的液流电池，通过对石墨毡进行电化学预处理以改变其亲水性，处理后的石墨毡进行清洗烘干，将烘干后的石墨毡放入电解液溶液中进行电化学刻蚀，在石墨毡电极材料碳纤维表面及内部引入不规则坑孔结构，然后将刻蚀后的石墨毡电极取出，用去离子水超声清洗后烘干，即得电化学刻蚀的多孔石墨毡电极材料。本发明采用电化学处理方法对石墨毡电极材料进行刻蚀处理，通过将石墨毡作为电极，浸没在特定的电解液中发生电化学氧化还原反应，在石墨毡纤维表面刻蚀出坑洞，改变内部结构，增加孔隙率、表面润湿性以及电化学活性，增强有机水相液流电池的性能
一种电化学刻蚀多孔石墨电极材料及其制备流电

[发明专利]一种信报箱门板图案电化学刻蚀方法-CN201711017725.1在审
发明人：吴友刚 -专利权人：湖北天利来科技发展有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C25F3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种信报箱门板图案电化学刻蚀方法，包括下述步骤：（1）制备底膜：将待印刷图案采用显影液印刷在有机聚合物底膜上，所述有机聚合物底膜是采用聚乙烯类或聚丙烯类高分子材料；（2）底膜粘贴：将制备好的底膜粘贴在待刻蚀图案的信报箱门板上；（3）图案曝光：将粘贴好底膜的信报箱门板放在曝光机中进行图案曝光；（4）电化学刻蚀：将已经曝光好图案的信报箱门板放入电化学刻蚀机的电化学溶液中，设置工作电压和电流；（5）通过调控工作电极的阳极电流和刻蚀时间来控制刻蚀进度，刻蚀完成后，关闭电化学刻蚀机，将信报箱门板从电化学溶液中取出，即得；本发明操作简单，刻蚀效果好，报废率大大降低，适合广泛推广。
信报箱门板底膜电化学刻蚀刻蚀粘贴电化学溶液有机聚合物图案曝光图案制备高分子材料工作电极工作电压聚丙烯类聚乙烯类刻蚀图案刻蚀效果阳极电流印刷图案报废率曝光机显影液放入取出印刷进度曝光调控

[发明专利]一种丝网印刷电化学刻蚀用浆料及其制备方法和应用-CN202011310283.1有效
发明人：崔巍 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种丝网印刷电化学刻蚀用浆料及其制备方法和应用。所述丝网印刷电化学刻蚀用浆料按质量百分含量计包括：氟化铵0.35‑15％、氟化氢0.05‑5％、增稠剂0.1‑10％，余量为溶剂。所述浆料可以用于丝网印刷电化学刻蚀技术，从而一步完成选择性刻蚀。
一种丝网印刷电化学刻蚀浆料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于配位化学的电化学刻蚀制备二维材料的方法及其检测方法-CN202111506760.6有效
发明人：肖旭;常立博 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）;电子科技大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C25F3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于配位化学的电化学刻蚀制备二维材料的方法及其检测方法，1、本发明提供的基于配位化学的电化学刻蚀制备二维材料的方法具有绿色、安全、高效的特点，所用试剂对人体和环境均无害，对目标材料具有明显的刻蚀效果2、本发明提供的基于配位化学的电化学刻蚀制备二维材料的方法，理论上具有普适性，在符合客观规律的前提下，选择合适的配合物作为电解液活性物质，即可完成绝大部分材料的刻蚀。3、本发明提供的基于配位化学的电化学刻蚀制备二维材料的方法，相比于现有的电化学刻蚀体系，机理阐述更加清晰，对于选择电解液的指导意义巨大，且操作简便，易于实施，效率高，适合大规模工业化生产和应用。
一种基于化学电化学刻蚀制备二维材料方法及其检测

[发明专利]一种用于悬臂梁型SOI-MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法-CN202011039741.2在审
发明人：郝秀春;李继丰 -专利权人：江苏昊微纳科技服务有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于悬臂梁型SOI‑MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法，是四电极电化学刻蚀方法在MEMS器件加工上的新应用，可以解决悬臂梁的释放和使用中出现的粘附问题。对悬臂梁型SOI‑MEMS器件进行释放后，采用选择性电化学刻蚀的方法对衬底层进行了刻蚀，而器件层不粗糙化处理，腐蚀埋藏氧化层的方法能增加电化学腐蚀处理层的粗糙度；电化学腐蚀后，释放HF蒸气的开关衬底层，选择性电化学腐蚀可有效防止悬臂梁式开关或其他SOI‑MEMS器件的制造和使用中的粘附问题。
一种用于悬臂梁 soi mems 器件选择性电化学刻蚀方法

[发明专利]纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置-CN201010219037.5有效
发明人：田中群;时康;詹东平;田昭武;韩联欢;汤儆 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C25F3/12 文献下载
摘要：纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置，涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极，并与工件置于容器底部；刀具浸入溶液，启动电化学系统，在刀具表面生成刻蚀整平剂，将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度，再调控刻蚀整平剂液层厚度；驱动三维微驱动装置，将刀具不断地向工件逼近，调控工件表面与刀具之间的距离和平行度；将刀具向工件表面移动，使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触，直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。
纳米精度电化学平和抛光加工方法及其装置

[发明专利]一种纳米精度的电化学刻蚀加工方法-CN201410269475.0有效
发明人：时康;田中群;张红万;康仁科;张劲福;田昭武;周平;王成;单坤;周剑章;吴丹 -专利权人：厦门大学;大连理工大学
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C25F3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米精度的电化学刻蚀加工方法，其包括如下步骤：在模板电极或工件表面固定一层氧化还原水合凝胶聚合物超薄膜；将模板电极和工件浸入工作溶液，叠放于容器底部，使模板电极表面和工件表面分别与软质聚合物超薄膜的两面保持自然紧密接触；另在容器内设辅助电极和参比电极，并与电化学控制仪相连；启动电化学控制仪，调控模板电极的电位，电化学氧化超薄膜中的电化学活性基团，由其快速地化学氧化与之接触的工件表面夺取电子，而工件表面失去的电子被超薄膜慢速地传递至模板电极，使刻蚀持续进行；刻蚀完毕后，关闭电化学控制仪，移开模板电极，即可。本方法能以纳米精度将模板电极表面微结构图案的互补结构刻蚀加工在工件表面。
一种纳米精度电化学刻蚀加工方法

[发明专利]一种纳米级银针尖的高重现性制备方法-CN202110637916.8在审
发明人：裴昕迪;包一凡;朱梦媛;赵晓娇;曹茂丰;任斌 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：一种纳米级银针尖的高重现性制备方法，涉及STM‑TERS银针尖的电化学刻蚀制备方法。1)待刻蚀银丝前处理：刻蚀用银丝在使用前需要用硼氢化钠溶液浸泡，以除去表面氧化层；2)电化学刻蚀装置选择：刻蚀装置选用两电极体系和三电极体系；3)银丝的电化学刻蚀：选择合适的刻蚀剂和刻蚀条件对银丝进行电化学刻蚀，到达刻蚀终点时及时切断电路，银丝末端形成尖锐光滑的针尖，即得纳米级银针尖。硫氰酸钾刻蚀剂无毒无害，制备的纳米级银针尖表面光滑，末端尖锐，纳米级银针尖的曲率半径在100nm以下，具有STM‑TERS增强活性。
一种纳米银针重现制备方法

[发明专利]半导体的电化学蚀刻-CN201110463350.8有效
发明人： G·哈姆;J·A·里斯;G·R·奥拉德伊斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：在包含氟氢化物源与镍离子的溶液中对半导体进行电化学刻蚀。该电化学刻蚀可在该半导体的表面中形成纳米范围的孔。之后对该刻蚀后的半导体镀覆镍。
半导体电化学蚀刻

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条