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[发明专利]刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法-CN201910825488.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该发明涉及一种刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法，其中所述刻蚀辅助装置用于辅助晶圆刻蚀，包括：隔片，用于设置到聚焦环所围的区域内，使所述聚焦环内放置的晶圆与所述聚焦环之间的距离大于一预设值本发明的刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法能够隔开聚焦环和晶圆，使聚焦环和晶圆之间大于预设值，不会影响所述晶圆的边缘部分的温度分布，能够有效提高晶圆边缘部分的均匀性，提高晶圆生产的良率。
刻蚀辅助装置设备优化效果方法

[发明专利]刻蚀溶液和刻蚀方法-CN201711190003.6有效
发明人：张瑞朋;丁敬秀 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种刻蚀溶液和刻蚀方法，所述刻蚀溶液包括：刻蚀剂；添加剂，所述添加剂包括阻挡颗粒。通过在所述刻蚀溶液中添加包含有阻挡颗粒的添加剂，在所述待刻蚀层侧壁露出后，使所述阻挡颗粒进入所述待刻蚀层的侧壁位置处，并填充于所述待刻蚀层的侧壁上，以实现抑制所述刻蚀剂对所述待刻蚀层侧壁刻蚀的目的，从而改善下切问题、提高湿法刻蚀效果，实现有利于工艺效率和刻蚀效果的兼顾。
刻蚀溶液方法

[发明专利]一种移动终端盖板刻蚀方法及手机盖板-CN201711364011.8有效
发明人：裴立志;时庆文;周伟杰 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明公开了一种移动终端盖板刻蚀方法，包括：对移动终端盖板的表面进行片抛光处理，获得表面平整的移动终端盖板；固定移动终端盖板，使移动终端盖板的表面位于水平面内；根据移动终端盖板上刻蚀区域的位置及形状设定紫外激光的刻蚀轨迹；采用所述紫外激光对移动终端盖板的刻蚀区域进行刻蚀，获得刻蚀纹理；对刻蚀纹理的轮廓进行打磨，使刻蚀纹理的轮廓为弧形的轮廓；其中移动终端盖板为氧化锆陶瓷盖板。因此采用本发明的刻蚀方法刻蚀移动终端盖板，操作方便，能够实现各种刻蚀纹理的刻蚀，使移动终端盖板具有更好的视觉效果以及手感效果。本发明中还提供一种手机盖板，具有上述有益效果。
盖板移动终端刻蚀纹理刻蚀区域手机盖板紫外激光氧化锆陶瓷表面平整抛光处理视觉效果手感效果形状设定打磨

[发明专利]一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法-CN201010166393.5有效
发明人：高山星一;陶铮;倪图强 -专利权人：中微半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法，为解决刻蚀有机物层时基片的中心区域和边缘区域刻蚀效果不均一的问题。本发明的刻蚀方法提出了利用气体分布装置在对应基片中心区域供应刻蚀气体，在对应基片边缘区域供应侧壁保护气体。其中刻蚀气体和侧壁保护气体在进入反应腔内基片上方的反应区域前互相隔离。当刻蚀气体和侧壁保护气体从气体分布装置通入反应腔后逐渐扩散混合，最后在基片表面得到刻蚀气体与侧壁保护气体具有不同混合比的反应气体。该不同混合比使得基片的中心区域和边缘区域能够抵消其它因素造成的刻蚀效果差别，最终实现中心区域和边缘区域具有均一的刻蚀效果。
一种刻蚀有机物等离子方法

[发明专利]一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法-CN201410339032.4有效
发明人：周海平;常小幻;向勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：运用等离子体刻蚀方法的物理性刻蚀和化学性刻蚀以及其刻蚀程度的高可调控性等优点刻蚀薄膜太阳能电池AZO薄膜。本方法可以达到湿法刻蚀的效果，同时因为不使用腐蚀性溶液，避免反应溶液处理不当对环境造成的污染；通过对本方法中基片架的加热温度、通入气体流量、射频源功率和频率、刻蚀时间的控制，提高刻蚀的可控性。对比溅射沉积绒面AZO薄膜，因粒子能量有限织构化效果不明显，可以达到优良的刻蚀效果。实现了一种陷光结构效果优良、刻蚀过程可控性高、无污染的薄膜太阳能电池AZO薄膜的织构方法，从而用于提高太阳能电池转化效率的技术中。
一种薄膜太阳能电池 azo 等离子体方法

[实用新型]一种用于电路板制造的新型电刻蚀机-CN201620295952.5有效
发明人：吴恶 -专利权人：吴恶
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及了一种用于电路板制造的新型电刻蚀机，包括底部支撑座、电氧化物薄膜、刻蚀电极保护器和操作控制面板，所述底部支撑座上方安装有电刻蚀机壳体，所述刻蚀刻度控制器上方安装有刻蚀电极，所述刻蚀电极上方安装有刻蚀控制器，所述刻蚀控制器下方连接有所述刻蚀电极保护器，所述刻蚀电极保护器下方安装有备用刻蚀电极，所述备用刻蚀电极下方安装有连接导线，所述连接导线下方连通有电源稳压器，所述电源稳压器上方安装有所述操作控制面板，所述操作控制面板上方安装有工作指示灯有益效果在于：能够对刻蚀电路板宽度进行有效控制，工作效率高，刻蚀效果好。
一种用于电路板制造新型刻蚀

[实用新型]一种操作简便的多腔室等离子刻蚀设备-CN202121422359.X有效
发明人：朱慧;蒋青成 -专利权人：江苏籽硕科技有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种操作简便的多腔室等离子刻蚀设备，包括等离子刻蚀机，等离子刻蚀机的表面设置有四个刻蚀腔，四个刻蚀腔的表面均安装有密封门，四个刻蚀腔的内壁均固定连接有固定柱，四个螺纹杆的左端分别与四个移动槽的左壁定轴转动连接，等离子刻蚀机表面安装有控制台，还包括用于减少该装置在运输的过程中减少震动的减震机构一，本实用新型具备了四个刻蚀腔，四个刻蚀腔一起启动极大的提高了刻蚀效率的效果，并且通过减震机构一，减少了等离子刻蚀机在运输时受到的晃动，达到了减震的效果，解决了一个工作腔使用起来效率低下的问题和减震的效果不佳，因而不便于运输的问题。
一种操作简便多腔室等离子刻蚀设备

[实用新型]刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备-CN202021001856.8有效
发明人：谢毅;周公庆;马志强;王璞 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备，涉及硅片刻蚀装置技术领域。一种刻蚀滚轮，刻蚀滚轮的作用面具有多个周向设置的凸棱，相邻的两个凸棱之间形成有凹槽，凸棱为弯曲状结构。该刻蚀滚轮的凸棱为弯曲状，该结构使得凸棱在刻蚀过程中具有一定的携带酸液的能力，进而增加刻蚀滚轮的携带酸液的能力，降低对氢氟酸的需求量，从而可以降低酸的使用量，刻蚀效果也更加稳定。同时，弯曲结构能够提高凸棱的形变能力，使得刻蚀滚轮在与硅片等材料作用接触的过程中能够发生形变，可以有效弥补和抵消硅片在抖动、震动过程中的一些位移，进而可以保证刻蚀工序的背面刻蚀效果正常，降低失效片的产生
刻蚀滚轮组件设备

[发明专利]一种刻蚀设备-CN201610004465.3有效
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀设备，涉及显示装置的制造领域。其中，刻蚀设备包括：用于使用刻蚀液对基板进行刻蚀的刻蚀室，所述刻蚀室包括侧板和盖板组成；加热机构，用于至少对所述刻蚀室的盖板进行加热，阻止刻蚀过程中挥发的刻蚀液蒸汽在所述盖板上冷凝。本发明的方案通过对刻蚀室盖板进行加热，可以防止刻蚀液蒸汽在盖板冷凝形成滴液，减少液滴滴落在基板上而产生的刻蚀不均现象，从而改善了刻蚀效果。
一种刻蚀设备

[发明专利]刻蚀方法和刻蚀系统-CN200910197444.8无效
发明人：李建凤 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层，所述待刻蚀层上形成有掩膜层，所述掩膜层已经被图形化，所述待刻蚀层为透光材料；提供所述待刻蚀层的厚度阈值；设定初始刻蚀参数；采用所述初始刻蚀参数对所述待刻蚀层进行刻蚀，同时采用光干涉法检测待刻蚀层的剩余厚度；判断所述待刻蚀层的剩余厚度是否落入所述厚度阈值范围，若否，则继续采用所述初始刻蚀参数的刻蚀，若是，停止采用所述初始刻蚀参数进行刻蚀。本发明还提供一种刻蚀系统。本发明可以实时检测刻蚀过程，反映真实的刻蚀程度，调整刻蚀参数进而达到理想的刻蚀效果。
刻蚀方法系统

[发明专利]一种触摸屏ITO膜层的刻蚀方法及触摸屏组件-CN201810713186.3有效
发明人：张文庆;李锋 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触摸屏ITO膜层的刻蚀方法，包括通过基台带动位于基台上的玻璃基板匀速运动，其中，玻璃基板上设有ITO膜层的表面向上；当玻璃基板运动至正对刻蚀液喷头的位置时，通过刻蚀液喷头向ITO膜层上的刻蚀区喷射刻蚀液；当ITO膜层的刻蚀区形成具有倒梯形横截面的凹槽时，控制玻璃基板表面的刻蚀液流出，使所述ITO膜层不浸泡在刻蚀液中。本发明中所提供的刻蚀方法，能够在一定程度上消除ITO刻蚀图案交界处的刻蚀痕迹，提高触摸屏的视觉效果，提升用户使用体验。本发明还提供一种触摸屏组件，具有上述有益效果。
一种触摸屏 ito 刻蚀方法组件

[发明专利]一种载玻片表面刻蚀规则微井阵列的方法-CN201410306585.X有效
发明人：张嵘;胡伟;张洋 -专利权人：常州大学;无锡洲豪生物科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种载玻片表面刻蚀规则微井阵列的方法，用于制备埋入式聚合物微点阵列芯片，包括以下步骤：载玻片表面刻蚀保护层的制备，石蜡溶解剂和玻璃刻蚀液的配置，规则阵列的打印，玻璃的刻蚀，去除刻蚀保护层。本发明的有益效果是：石蜡溶解剂能很好地在石蜡涂层上进行局部溶解使玻璃表面暴露从而形成微点阵列，使得玻璃刻蚀液能高效便利地对玻璃进行刻蚀，且刻蚀速度更快；加入石蜡保护层进行玻璃刻蚀，表面更容易被保护，不易破坏；操作工艺简易，刻蚀效果明显，反应时间短，所用原料皆为市售品，且价格低廉，容易获得。
一种载玻片表面刻蚀规则阵列方法

[发明专利]刻蚀机的气体分布板的拆装装置和刻蚀机-CN202011206010.2有效
发明人：陈克维;孟理;王建忠 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀机的气体分布板的拆装装置和刻蚀机，涉及半导体制造技术领域，解决刻蚀机的气体分布板的拆装难度大，且易污染气体分布板的问题，该刻蚀机的气体分布板的拆装装置包括握持件、连接件和固定件，固定件可拆卸的连接在刻蚀机的气体分布板上本发明能够有效减小气体分布板的拆装难度，提高刻蚀机的维修效率，同时减少拆装过程气体分布板的污染，优化刻蚀机的维修效果，保证刻蚀机的刻蚀效果，延长刻蚀机的使用寿命。
刻蚀气体分布拆装装置

[发明专利]刻蚀设备、半导体器件及其制造方法-CN202310342331.2在审
发明人：李飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供的一种刻蚀设备、半导体结构及其制造方法中，由于刻蚀气体从进气管路通入刻蚀腔室后进行加热，以使位于进气管路内的刻蚀气体的温度小于位于刻蚀腔室内且加热后的刻蚀气体的温度，如此则刻蚀气体在刚进入刻蚀腔室内时保持较低的温度，以避免刻蚀腔室从刻蚀开始时就温度过高，而出现掩膜层过快变硬使得刻蚀效果变差的问题。
刻蚀设备半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法-CN201510721444.9有效
发明人：周虎;王红超;严利均;刘身健 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过对被刻蚀硅在每次刻蚀前进行两次钝化，并且第一钝化步骤是在高压条件下进行，第二钝化步骤是在低压高偏置功率的条件下进行；通过第一钝化步骤能够确保聚合物快速地分布在被刻蚀硅的开口侧壁上，通过第二钝化步骤能够确保聚合物均匀地分布在被刻蚀硅的开口底部。本发明公开的一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过在每次刻蚀钱进行两次钝化，能够确保聚合物均匀分布在被刻蚀硅的开口侧壁、底部，从而确保再次刻蚀后的硅侧壁不会出现条纹状或洞状的粗糙面，提高了刻蚀后的硅的侧壁光滑度
一种刻蚀用于提高侧壁效果方法

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