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[发明专利]一种提高GaN基LED芯片发光效率的外延生长方法-CN201810858663.5有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaN基LED芯片发光效率的外延生长方法，包括：生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长低掺杂Si的n型GaN层、生长发光层、生长低温p型GaN层、生长p型AlGaN层、生长新p型GaN层、生长高温p型GaN接触层、降温冷却，其中生长新p型GaN层依次包括生长高温P型GaN‑1层、NH
生长发光效率外延生长空穴不掺杂GaN层降温冷却退火处理低掺杂电离率发光层空位裂解掺杂引入

[发明专利]LED外延生长方法-CN201710029549.7有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长分段式P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。所述生长分段式P型GaN层为：分别生长低温型P型GaN层、中温型P型GaN层和高温型P型GaN层，其中，每层的生长压力为100Torr至500Torr，生长厚度为10nm至100nm，Mg掺杂浓度为1E18atoms
led 外延生长方法

[发明专利]一种具有空间转向功能的软体机器人系统-CN201911217619.7在审
发明人：李隆球;周德开;邵珠峰;李朋春;张广玉;常晓丛 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及软体机器人，更具体的说是一种具有空间转向功能的软体机器人系统，包括自生长软体机器人生长型主体、空间主动式转向机构和旋转式密封基座结构，自生长软体机器人生长型主体内充气向前自生长，自生长软体机器人生长型主体外侧表面同一位置圆周向分布多个褶皱结构，每个褶皱结构内均设置有主动式转向机构，可以通过旋转筒机构对自生长软体机器人生长型主体进行收纳，解决自生长软体机器人生长型主体存储问题，通过失电型电磁铁和工业软铁圆盘吸合保持褶皱结构，失电型电磁铁和工业软铁圆盘分离释放褶皱结构，褶皱结构保持或释放实现自生长软体机器人生长型主体空间范围内的主动转向和生长。
一种具有空间转向功能软体机器人系统

[发明专利]一种将单端生长型复合晶体热键合为双端生长型复合晶体的方法-CN200910098975.1无效
发明人：刘崇;葛剑虹;项震;胡淼 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种将单端生长型复合晶体热键合为双端生长型复合晶体的方法。包括如下步骤：1)选择两块单端生长型的复合晶体，单端生长型的复合晶体包括掺杂区和不掺杂区；2)设定双端生长型复合晶体的掺杂区的长度为d₂，双端生长型复合晶体一端的不掺杂区的长度为d₁，双端生长型复合晶体另一端的不掺杂区的长度为d₃，通过抛光的方法确定两块单端生长型的复合晶体的长度；3)通过热键合的工艺方法将两块单端生长型复合晶体的掺杂区连接在一起只需掌握单端生长型复合晶体的生长工艺，配合成熟的热键合工艺，就可以获得双端生长型复合晶体，降低了双端生长型复合晶体的工艺难度。
一种将单端生长复合晶体热键方法

[发明专利]U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管-CN201911357262.2在审
发明人：杨鑫;关永莉;米洪龙;吴小强;杨杰;申江涛;陕志芳;樊明明 -专利权人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管，属于半导体生产领域。包括：S1，采用GaN材料在衬底上纵向生长，得到初始U型GaN层；S2，在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡，得到U型GaN过渡层；S3，在U型GaN过渡层上横向生长；S4，在S3得到的U型GaN层上继续横向生长，使生长得到的U型GaN层的表面平整。本发明通过在纵向生长与横向生长之间增加由3D纵向生长向2D横向生长过渡的阶段，使得由纵向生长到横向生长是慢慢过渡的，并通过调整生长过程中MOCVD设备的各项参数，提高了晶体质量、位错密度及内量子效率，使得生长得到的U型GaN层的表面缺陷大大减少，因而提高了产品良率。
gan 生长方法半导体晶体管

[发明专利]垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构-CN200610044258.7有效
发明人：蒋伟;刘凯;张彦伟;孙夕庆 -专利权人：中微光电子（潍坊）有限公司
申请日： 2006-05-17 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构，包括(100)砷化镓衬底；生长的单层砷化镓过渡层；生长的多层外部N型布拉格反射层；生长的多层内部N型布拉格反射层；生长的多层量子阱结构；生长的单层内部P型布拉格反射层；生长的多层P型氧化层；生长的多层内部P型布拉格反射层；生长的多层外部P型布拉格反射层；生长的单层高掺杂的P型电流扩展层；生长的单层超高掺杂的P型表面覆盖层。本发明逐层生长所需要的多层布拉格反射层加量子阱结构，重复性高和稳定性好，制造工艺简单、可靠，并大大提高了外延生长的成品率。
垂直发射半导体激光二极管外延结构

[发明专利]一种大功率紫外LED的外延生长方法-CN202110163226.3有效
发明人：王晓波 -专利权人：西安瑞芯光通信息科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种大功率紫外LED的外延生长方法，采用蓝宝石作为生长基底，进行异质外延生长，运用MOCVD技术来完成整个外延过程，在蓝宝石上生长一层低温AlN层，继续生长一层高温AlN层，接着生长一层低温BAlN，再生长一层高温BAlN层，然后再生长几个周期BAlN/BAlGaN超晶格结构，继续生长一层n型掺杂的AlGaN,接着生长一层AlGaN/BAlN量子阱结构有源区,接着生长一层p型BAlGaN层，再生长一层p型BAlN层，继续生长一层超薄的p型BN,生长一层p型BAlN层，继续生长一层超薄的p型BN，有效提高了发光效率、降低了制备成本和难度，提高了成品率。
一种大功率紫外 led 外延生长方法

[发明专利]LED外延超晶格生长方法-CN201610379642.6有效
发明人：黄胜蓝;夏玺华;徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延超晶格生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长MgAlGaN/SiAlN超晶格层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却。在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、所述生长发光层之前，引入MgAlGaN/SiAlN超晶格层，能够扩展LED电流，降低LED驱动电压，提升LED光效性能，改善LED发光强度。
生长超晶格生长掺杂超晶格层发光层不掺杂GaN层低温缓冲层降温冷却衬底引入申请

[发明专利]一种提高LED内量子效率的外延生长方法-CN201510737982.7有效
发明人：张宇;苗振林 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开提高LED内量子效率的外延生长方法，处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却等步骤
生长内量子效率外延生长掺杂不掺杂GaN层低温缓冲层降温冷却发光层衬底申请

[发明专利]一种LED外延生长方法-CN201710305662.3有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长温度压力渐变n‑GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。其中，所述温度压力渐变n‑GaN层包括温度渐变n型GaN层、压力渐变n型GaN层和温度、压力同时渐变n型GaN层。
一种 led 外延生长方法

[发明专利]一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法-CN201410536321.3有效
发明人：王智勇;张杨;杨翠柏;杨光辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法，其为LED外延结构，从下向上的顺序依次包括衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、N型或者非故意掺杂GaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层；将衬底进行高温清洁处理进行氮化处理；所述GaN非掺杂层生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的N型GaN层；所述N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层；所述多量子阱层生长结束后，生长阻挡层低温P型GaN层；生长P型接触层；外延生长结束后，降至室温即得LED外延结构，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
一种具有新型电子阻挡结构发光二极管生长方法

[发明专利]由单步金属有机化学气相沉积制造的掩埋式异质结构器件-CN200580006102.3无效
发明人：大卫·P·鲍尔;斯科特·W·库兹纳 -专利权人：安华高科技光纤IP（新加坡）私人有限公司
申请日： 2005-02-24 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本器件是光电子器件或透明波导器件，它包括生长表面(122、生长掩模(132)、光波导芯型平台(140)和包层(160)。生长掩模位于生长表面上，并限定了细长形生长窗口(134)。光波导芯型平台位于生长窗口中，并具有梯形截面形状。包层覆盖光波导芯型平台，并延伸到至少部分生长掩模上方。这种器件是通过提供具有生长表面(122)的晶片(110)、在第一生长温度下通过微选择区域生长在生长表面上生长光波导芯型平台(140)、并在低于第一生长温度的第二生长温度下用包层材料(160)覆盖光波导芯型平台而制造的
金属有机化学沉积制造掩埋式异质结构器件

[发明专利]LED外延生长方法-CN201610381703.2有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InAlGaN/SiAlN超晶格层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却。如此方案，在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、生长发光层之前，引入生长InAlGaN/SiAlN超晶格层，InAlGaN/SiAlN超晶格层的引入，使得LED的N层电流分布得到改善，进而使得LED的发光强度得到改善
led 外延生长方法

[发明专利]一种具有低电阻率P型层的LED外延结构及其生长方法-CN201811291168.7有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延结构的生长方法，包括高温处理蓝宝石衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层以及退火降温步骤；在生长P型GaN层时，依次经过900℃预处理、870～1000℃升温生长P型GaN‑1层、退火处理和1000～900℃降温生长P型GaN‑2层过程；P型GaN‑1层和P型GaN‑2层的厚度相等且均为25本发明降低了P型层的电阻率，提高了LED发光强度，使外延层表面变得平整。
一种具有电阻率 led 外延结构及其生长方法

[发明专利]一种LED外延结构及其生长方法-CN201611155227.9有效
发明人：林传强 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的第一目的在于提供了一种LED外延结构及其生长方法，具体包括处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多周期量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却，该生长p型GaN层先通过低温N₂气氛生长P型GaN层；再高温H₂气氛生长P型GaN层；最后通过高温N₂/H₂混合气体生长P型GaN层，从而降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。本发明的第二目的在于提供用此外延结构生长方法生产的LED外延结构，该结构将传统的高温p型GaN层价格改变为低温N₂气氛、高温H₂气氛、高温N₂/H₂混合气体的变气氛p型GaN层结构，使LED光功率受到P层空穴浓度的限制，驱动电压受到P层空穴迁移率的限制的问题。
一种 led 外延结构及其生长方法

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