专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]浅槽分选井下排矸系统-CN200910187532.X无效
  • 王迪业 - 王迪业
  • 2009-09-22 - 2010-03-17 - B03B7/00
  • 本发明创造涉及一种浅槽分选井下排矸系统。采用的技术方案是:毛煤胶带运输机装在滚轴筛入料端侧,筛下末煤胶带运输机装在滚轴筛下方,滚轴筛筛上物出料端和浅槽分选机入料口间设块煤胶带运输机,浅槽分选机经溢流槽与精煤脱刮板运输机相接,矸石脱刮板运输机装在浅槽分选机下方,精煤脱刮板运输机与选后精煤胶带运输机相接,选后精煤胶带运输机与筛下末煤胶带运输机相接,矸石脱刮板运输机与第一矸石胶带运输机相接,第一矸石胶带运输机与第二矸石胶带运输机相接,合格介质桶与浅槽分选机连接
  • 重介浅槽分选井下系统
  • [实用新型]浅槽分选井下排矸系统-CN200920203504.8有效
  • 王迪业 - 王迪业
  • 2009-09-22 - 2010-06-09 - B03B7/00
  • 本实用新型涉及一种浅槽分选井下排矸系统。采用的技术方案是:毛煤胶带运输机装在滚轴筛入料端侧,筛下末煤胶带运输机装在滚轴筛下方,滚轴筛筛上物出料端和浅槽分选机入料口间设块煤胶带运输机,浅槽分选机经溢流槽与精煤脱刮板运输机相接,矸石脱刮板运输机装在浅槽分选机下方,精煤脱刮板运输机与选后精煤胶带运输机相接,选后精煤胶带运输机与筛下末煤胶带运输机相接,矸石脱刮板运输机与第一矸石胶带运输机相接,第一矸石胶带运输机与第二矸石胶带运输机相接,合格介质桶与浅槽分选机连接
  • 重介浅槽分选井下系统
  • [发明专利]导电通孔结构-CN201910821908.1在审
  • 施信益 - 南亚科技股份有限公司
  • 2019-09-02 - 2021-01-19 - H01L23/48
  • 本发明公开了一种导电通孔结构,包含第一电层、导电垫、第二电层以及分布层。导电垫位于第一电层中。第二电层设置于第一电层上,并具有开口。导电垫位于开口中。开口在第二电层的上表面处具有第一宽度,开口在第二电层的下表面处具有第二宽度。第一宽度与第二宽度具有差异,且此差异落在自约3微米至约6微米的范围中。分布层自第二电层的上表面延伸至导电垫。由于导电通孔结构的第二电层的第一宽度大于第二电层的第二宽度约3微米至约6微米,因此分布层的材料不会在铝沉积工艺中聚集在开口的上端。换句话说,分布层可具有较厚的侧壁。
  • 导电结构
  • [发明专利]焊球分配连接构造-CN200610168875.8有效
  • 苏仪轩 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2006-12-08 - 2008-06-11 - H01L23/485
  • 本发明公开一种焊球分配连接构造,在其基板上设置有若干个焊垫,在所述基板上形成有若干个电层、位于这些电层之间的分配导电层及若干个焊球。所述分配导电层具有一个分配垫,其邻近于所述基板上的其中一焊垫,所述焊垫与所述分配垫并未形成电性连接。一个覆盖所述分配导电层的电层具有一个开孔,以局部显露所述分配垫,其中所述开孔是大致呈圆形并具有一个缺角,使得所述开孔邻近但不重叠于另一电层的一个开孔,且所述另一电层上的所述开孔是用来显露所述基板上的所述焊垫,通过这种方式可以扩大焊球下的接球承座对所述分配垫的接合面积,以降低应力作用。
  • 焊球重分配连接构造
  • [发明专利]堆叠式封装结构及封装方法-CN201911264599.9在审
  • 林耀剑 - 江苏长电科技股份有限公司
  • 2019-12-11 - 2021-06-11 - H01L23/498
  • 本发明涉及的一种堆叠式封装结构,包括芯片,第一电层设于所述芯片的主动表面上;布线层设于所述第一电层上,所述布线层开设有第一金属层开口,所述第一金属层开口裸露至少部分所述第一电层;第二电层设于所述布线层上;所述第一电层的表面还开设有第一凹槽,所述第一凹槽与所述第一金属层开口相互连通,所述第二电层经由所述第一金属层开口及所述第一凹槽与所述第一电层连接。通过上述设置,可解决目前堆叠式封装结构在热循环制程和可靠性过程中布线层与两层电层由于结构材料的膨胀或收缩的程度不同导致的三层堆叠结构交界处易产生分层或者裂纹的问题。
  • 堆叠封装结构方法
  • [实用新型]一种低功耗屏蔽栅MOSFET结构-CN202222803735.0有效
  • 毛昊源 - 无锡市捷瑞微电子有限公司
  • 2022-10-24 - 2023-01-20 - H01L29/78
  • 本实用新型公开了一种低功耗屏蔽栅MOSFET结构,其可降低屏蔽栅MOSFET的功耗,其包括元胞区,元胞区包括衬底,衬底的正面分布有第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅极层、掺杂区、第一金属层、隔离氧化层,衬底的背面分布有第二金属层,掺杂区包括第一掺杂区、第二掺杂区,栅极层包括沟槽、分布于沟槽内的第一质层、第二质层、第三质层、分离栅、控制栅,第三质层位于分离栅的两侧,分离栅与控制栅之间通过隔离氧化层间隔,第二质层与分离栅之间通过第三质层间隔,第二质层介质为SiON,第三质层介质为HfO2,元胞区宽度为0.85μm,沟槽宽度为0.35μm。
  • 一种功耗屏蔽mosfet结构

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