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[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202211128658.1在审
发明人：陈国文;陆湘台;戴志轩;吴旻钟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体封装结构及其形成方法。本发明实施例涉及一种半导体结构，其包含衬底、设置于所述衬底中的电容器、设置于所述衬底上的互连结构及设置于所述衬底中的第一掺杂区域。所述互连结构包含耦合到所述衬底的第一通路结构及耦合到所述电容器的第二通路结构。所述第一掺杂区域设置于所述第一通路结构下方。所述第一掺杂区域包含p型或n型掺杂物。
半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN202110002382.1有效
发明人：翁崇铭;余振华;刘重希;蔡豪益;谢政杰;郭鸿毅;戴志轩;林华奎;于宗源;徐敏翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。
半导体器件制造方法

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN201711017344.3有效
发明人： 戴志轩;陈志华;蔡豪益;黄育智;刘家宏;郭婷婷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本揭露提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括管芯、重布线结构、集成扇出型穿孔以及第一连接件。重布线结构与管芯连接且包括多条重布线。集成扇出型穿孔位于管芯侧边且穿过重布线结构。第一连接件与集成扇出型穿孔电性接触，且与管芯电性连接。集成扇出型穿孔与重布线层结构的重布线电性接触。
封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体封装与其制造方法-CN201610891674.4有效
发明人：黄育智;陈志华;林志伟;蔡豪益;陈玉芬;郑余任;戴志轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体封装，包括模封半导体器件、第一重布线路层、第二重布线路层及多个层间导通孔。模封半导体器件包括管芯。第一重布线路层设置于模封半导体器件的第一侧。第二重布线路层设置于模封半导体器件的相对第一侧的第二侧。第二重布线路层包括图案化金属层以及金属环。图案化金属层具有电性连接至管芯的连接线路部。金属环围绕连接线路部并与连接线路部分离。层间导通孔连接至金属环的一部分且位于金属环的下方。层间导通孔延伸穿过模封半导体器件，以电性连接第一重布线路层及第二重布线路层。
半导体封装与其制造方法

[发明专利]半导体结构及其测试方法-CN202210138450.1在审
发明人： 戴志轩;吴旻锺;陈国文;陆湘台 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供半导体结构及其测试方法。根据本发明的半导体结构包括：衬底、位于衬底上方的半导体器件，其中，半导体器件包括互连结构，该互连结构包括设置在介电层中的多个金属化层；以及分层传感器。分层传感器包括连接结构和位于多个金属化层中的至少一个金属化层中的多个接触通孔。连接结构将半导体器件接合至衬底并且不将半导体器件在功能上耦合至衬底。多个接触通孔落入连接结构的垂直投影区域的第一区内，但不与垂直投影区域的第二区重叠。
半导体结构及其测试方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910162856.1有效
发明人： 戴志轩;赖季晖;曾英诚;吴邦立;郭婷婷;黄育智;刘家宏;蔡豪益;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN201910608348.1有效
发明人：曾英诚;黄育智;戴志轩;郭婷婷;赖季晖;吴邦立;刘家宏;蔡豪益 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN201910912553.7有效
发明人：江宗宪;黄育智;郭婷婷;戴志轩;吴邦立;曾英诚;赖季晖;刘家宏;蔡豪益;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：传感器管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域；密封剂，至少横向地密封传感器管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于传感器管芯的第一表面上，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域，前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN202011361227.0在审
发明人： 戴志轩;翁崇铭;郭鸿毅;谢政杰;蔡豪益;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811292332.6有效
发明人：黄育智;赖季晖;吴邦立;曾英诚;郭婷婷;戴志轩;蔡豪益;王垂堂;刘重希;余振华;刘家宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]装置封装件以及用于形成装置封装件的方法-CN201710073702.6有效
发明人：黄育智;戴志轩;郑余任;陈志华;陈玉芬;蔡豪益;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本揭露实施例涉及一种装置封装件以及一种用于形成装置封装件的方法，其中，该装置封装件包含传感器裸片；一或多个额外裸片，其相邻于所述传感器裸片；以及模塑料，其圈住所述传感器裸片及所述一或多个额外裸片。所述装置封装件进一步包含重布层，所述重布层在所述传感器裸片、所述一或多个额外裸片、及所述模塑料上方。所述重布层包含第一导电构件，所述第一导电构件在第一介电层中。所述第一导电构件电连接所述传感器裸片到所述一或多个额外裸片。所述重布层进一步包含电极阵列，所述电极阵列在第二介电层中且电连接到所述传感器裸片，所述第二介电层是在所述第一介电层上方。
装置封装以及用于形成方法

[发明专利]形成封装结构的方法-CN201711191306.X在审
发明人： 戴志轩;郭婷婷;黄育智;林志伟;林修任;陈志华;郑明达;谢静华;蔡豪益;刘重希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成封装结构的方法，包含：设置半导体装置在第一介电层上方，其中第一重分布线在第一介电层中；形成模制化合物在第一介电层上方并与半导体装置的侧壁接触；形成第二介电层在模制化合物及半导体装置上方；形成第一开口在第二介电层、模制化合物及第一介电层中以暴露第一重分布线；以及形成第一导体在第一开口中，其中第一导体电连接至第一重分布线。
介电层半导体装置模制化合物重分布线封装结构开口导体电连接导体侧壁接触电层暴露

[发明专利]封装结构-CN201710992581.5在审
发明人： 戴志轩;郭婷婷;黄育智;陈志华;蔡豪益;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种封装结构，包含半导体装置、第一塑模化合物、通孔、第一介电层、第一重分布线，和第二塑模化合物。第一塑模化合物与半导体装置的侧壁接触。通孔位于第一塑模化合物，并电性连接到半导体装置。第一介电层在半导体装置上。第一重分布线在第一介电层中并且电性连接到半导体装置和通孔。第二塑模化合物与第一介电层的侧壁接触。
半导体装置塑模化合物介电层通孔侧壁接触电性连接封装结构重分布线

[发明专利]无石棉无金属车用摩擦材料-CN200510018519.3无效
发明人： 戴志轩 -专利权人：武汉优耐特摩擦材料有限公司
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C08J5/14 文献下载
摘要：本发明无石棉无金属车用摩擦材料包括如下组分，其重量百分比是：纤维材料15～25％，粘合剂4～10％，陶瓷类材料18～25％，润滑剂12～18％，填料余量，填料是重晶石、白云石、氟化钠、摩擦粉、蛭石和石油焦碳粉的混合物。无石棉无金属车用摩擦材料通过混合、模压、热处理、后处理工艺制成。本发明具有独特的摩擦特性，在消除制动噪声及热衰退、提高产品使用寿命、克服摩擦对偶间的粘连咬合等方面具有极大的优越性，能满足现代汽车制动工况的使用要求，特别是制动防抱系统-ABS系统对摩擦材料提出的高压缩弹性系数、质量(密度)越小越好和较小的结构阻尼等特殊要求，以及工艺简单、适于工业化生产和无公害等优点。
石棉金属摩擦材料

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