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[发明专利]充电控制方法、装置、设备及存储介质-CN202110974036.X在审
发明人：古兆强 -专利权人：深圳市广和通无线股份有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：方法包括：当充电装置为被充电装置充电进程启动时，增大充电装置为被充电装置充电时的实时充电电流；获取实时热耗散功率；在增大实时充电电流过程中，当实时热耗散功率增加至最大热耗散功率时，减小实时充电电流；在减小实时充电电流过程中，当实时热耗散功率减小至预设的第四功率阈值时，停止减小实时充电电流，并维持实时充电电流不变，其中，第四功率阈值小于最大热耗散功率。
充电控制方法装置设备存储介质

[发明专利]照明设备发光光效评估方法、装置及其设备、存储介质-CN201911418968.5有效
发明人：刘峰 -专利权人：深圳市裕富照明有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01R31/44 文献下载
摘要：照明设备发光光效评估方法包括获取初始电输入功率数据组和初始热耗散功率数据组；基于所述初始电输入功率数据组和所述初始热耗散功率数据组得到初始发光功率数据组；若发光二极管处于稳态阶段，则得到稳态电输入功率数据组和稳态热耗散功率数据组；基于所述稳态电输入功率数据组和所述稳态热耗散功率数据组得到稳态发光功率数据组；根据所述初始发光功率数据组和所述稳态发光功率数据组评估所述发光二极管的发光光效。
照明设备光光评估方法装置及其设备存储介质

[发明专利]用于控制 NFC 标签功率耗散的方法及装置-CN201210592974.4无效
发明人：罗宾·威尔逊 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H04B5/00 文献下载
摘要：公开了用于控制NFC标签功率耗散的装置及方法。第一NFC设备天线由于环境中存在的环境磁场而从来自另一个NFC设备的信号获取用于操作的功率。所述NFC设备被配置有调节器系统，以便控制获取功率的电平以防止损坏NFC设备电路。获取功率电平可能超出调节器设备消耗导致调节器损坏或调节器使用寿命缩短的额外功率的能力。可以对所述调节器的功率耗散进行热监控，并通过降低调节电压来相应控制功率耗散。提出了各种系统以利用调节器热反馈和/或天线电流监测建立调节器功率耗散的截止阈值。
用于控制 nfc 标签功率耗散方法装置

[发明专利]包括为接地信号提供电路径的热耗散层的集成器件-CN201580043798.0有效
发明人： Y·K·宋;H·B·蔚;D·W·金;K-P·黄 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本文中提供了一种集成器件，其包括基板、管芯、位于基板与管芯之间的热耗散层、以及配置成将管芯耦合至热耗散层的第一互连。热耗散层可被配置成为接地信号提供电路径。该第一互连可被进一步配置成将热量从管芯传导到热耗散层。该集成器件还可包括配置成将管芯耦合至基板的第二互连。该第二互连可被进一步配置成在管芯与基板之间传导功率信号。该集成器件还可包括位于热耗散层与基板之间的电介质层和位于管芯与热耗散层之间的阻焊层。
包括接地信号提供路径耗散集成器件

[发明专利]太赫兹倍频器中肖特基二极管的参数确定和制造方法及太赫兹倍频器-CN202310381792.0在审
发明人：张波;牛中乾;尹千里;袁军;张云珂;邵嘉妤;苏一洪;支炜;杨骑东;孙明伟 -专利权人：苏州华域祥电子科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹通信技术领域，具体涉及一种太赫兹倍频器中肖特基二极管的参数确定和制造方法及太赫兹倍频器，其中，参数确定方法包括，对任意一个肖特基二极管进行仿真，获得二极管管芯的热耗散功率，并获得二极管管芯的热承载功率，如果热耗散功率大于热承载功率，则降低所述二极管管芯的耗尽层的掺杂浓度和/或将所述二极管管芯的半导体材料替换为热承载功率更高的半导体材料，以使所述二极管管芯的热耗散功率小于热承载功率。
赫兹倍频器中肖特基二极管参数确定制造方法

[发明专利]更精确地利用热敏电阻感测温度的系统和方法-CN201110272845.2有效
发明人： B.C.纳尔逊;C.G.马森;M.L.金德曼;B.K.科瓦尔奇克 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G01K7/24 文献下载
摘要：第一模块基于与热敏电阻串联连接的第一电阻器的电阻确定热敏电阻的第一温度和第一功率耗散值。在将第一电阻器与热敏电阻断开并将第二电阻器与热敏电阻串联连接后，第二模块基于第二电阻器的电阻确定热敏电阻的第二温度和第二功率耗散值。第三模块基于第一和第二温度和第一和第二功率耗散值确定热耗散因子，并基于热耗散因子修正由热敏电阻感测到的温度。
精确利用热敏电阻测温系统方法

[发明专利]一种基于热加工图的筒形件热强旋形/性一体化控制方法-CN201710190026.0在审
发明人：夏琴香;朱宁远;程秀全;肖刚锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： G05D23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于热加工图的筒形件热强旋形/性一体化控制方法，在难变形金属热塑性成形过程中，发生动态再结晶的温度及应变速率范围内进行金属材料高温力学性能试验；基于热塑性成形过程中功率的耗散及流变失稳判断准则，在高温力学性能试验获得流变应力应变关系的基础上，分别构建不同应变下的功率耗散图和流变失稳图；将功率耗散图与流变失稳图进行组合，获得材料热加工图；根据功率耗散率因子η的分布及流变失稳判据，分析获得满足流变失稳准则的潜在危险成形条件及安全成形条件下、功率耗散率因子η较大的有利于热塑性成形的成形条件；最后根据热加工图获得的材料有利于热塑性成形的温度及应变速率，进行筒形件热强旋成形。
一种基于热加工筒形件热强旋形一体化控制方法

[发明专利]传输网络中的负载调节方法、装置和终端设备-CN201911024189.7有效
发明人：孙计永;邓世雄;高长征;左国森;吴波;赵建斋;张杨;王军彦;冯志宽;徐亮;苏彩卓;郝书华 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：该方法包括：获取第一级负载的S参数和所述第一级负载所在的传输网络的信号源参数，所述传输网络还包括第二级负载；根据所述信号源参数和所述第一级负载的S参数分别计算所述第一级负载的耗散功率和所述第二级负载的耗散功率；根据所述第一级负载的耗散功率和所述第二级负载的耗散功率调节对应负载的阻值。本发明可以计算每个功率负载的耗散功率，解决的负载发热不均匀的问题，为功率负载的热设计提供依据。
传输网络中的负载调节方法装置终端设备

[发明专利]一种温度控制方法、装置、系统及设备-CN202310113596.5在审
发明人：邓宇华 -专利权人：广东速珀电机科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：具体为：获取目标温度；根据目标温度确定发热体的温升速度和发热体所处密闭容器的热耗散速度；基于发热体的温升速度和发热体所处密闭容器的热耗散速度确定在密闭容器的内部温度达到目标温度时发热体的用电总功率；获取发热体当前的输入功率；判断发热体当前的输入功率与用电总功率之间的差值大于第一阈值时，根据用电总功率调节发热体的输入功率。这样，通过改变发热体的输入功率实现温度的控制，从元件的特性及包括温升速度和热耗散速度等发热数据的角度进行温度的控制，可以进一步提升控制的精度。
一种温度控制方法装置系统设备

[发明专利]热耗散型高功率系统-CN201210068718.5有效
发明人： D·埃尔卡斯拉瑟;D·卡尔曼奥维 -专利权人：马维尔以色列(M.I.S.L.)有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及热耗散型高功率系统。具体而言，一种电子系统包括印刷电路板(PCB)和热耗散元件。热耗散元件与第一电子部件邻接以便提供用于耗散由第一电子部件生成的热量的热耦合。
耗散功率系统

[发明专利]一种特高压直流输电晶闸管换流阀用散热器热阻测试方法-CN201510376955.1有效
发明人：苟锐锋;马元社;娄彦涛;刘宁;刘宇 -专利权人：中国西电电气股份有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明提供一种特高压直流输电晶闸管换流阀用散热器热阻测试方法，从对于散热器热阻重要的2个参数即散热器台面温度和耗散功率的测量，通过公式计算得到散热器热阻，可有效避免环境等因素、试验条件不会受到晶闸管热源等对热阻测试的影响，更能直接获得水冷系统带走的耗散功率，最终获得更准确的热阻值，无论是用晶闸管热源测试热阻还是用模拟热源测试热阻，均具有较高的准确性、简单易行、具有较高的工程应用价值。
一种高压直流输电晶闸管换流散热器测试方法

[发明专利]光信号设备-CN201580050481.X在审
发明人： C.埃雷特;K.埃斯曼;A.普里布 -专利权人：西门子公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： B61L5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光信号设备，尤其用于铁路安全设备，其具有电子器件(2)和用于将电功率转换成热能的功率耗散装置(8)，其中电子器件(2)设置在信号发生器壳体(1)中，其与用于降低幻影光的遮护板(4)相连。为了避免电子器件(2)的热负载，在此规定，功率耗散装置配置在遮护板(4)上。
信号设备

[发明专利]一种功率耗散装置及其控制方法和装置-CN202111676120.X在审
发明人：滕孟锋;张晓飞;李振动;杨大伟;杨敏祥;黄小龙;黄晓乐;金海望;高宏达;安海清;李金卜;翟永尚;刘洁;柳杨;刘宪辉;李涛;赵凯曼;董海飞;廉田亮;李泠萱;张青元 -专利权人：国网冀北电力有限公司北京超高压公司;国家电网公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H02J3/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种功率耗散装置及其控制方法和装置，该方法和装置应用于孤岛换流站的功率耗散装置，具体为检测功率耗散装置是否处于充电状态；如果功率耗散装置处于充电状态，则判断孤岛换流站是否满足功率耗散装置的投入条件，当判定满足该投入条件时，控制功率耗散装置执行功率耗散。本方案通过控制功率耗散装置对孤岛换流站在发生闭锁时将无法送出的功率及时耗散掉，从而能够使其避免发生损坏。
一种功率耗散装置及其控制方法

[实用新型]功率器件的气密封装件-CN90213892.8无效
发明人：苗庆海;张兴华;李如尧;王家俭;张德骏;任中早 -专利权人：山东大学
申请日： 1990-06-04 - 公布日： 1991-07-24 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：功率器件的气密封装件，即提高功率器件的气密性和耗散功率属于半导体分离器件。利用管帽突筋与管基凹环的配合，使封接电流密度大、热阻大、温升高，达到气密封接。利用减小引线绝缘子的直径、或帖铜方法提高器件的耗散功率。利用加粗集电极引出线的内在部分提高集电极的最大允许电流。本发明解决了原钢板管基与管帽封接严重的漏气问题。有助于提高功率。
功率器件气密封装

[发明专利]一种功率MOSFET封装热阻比较装置-CN201610132622.9有效
发明人：刘义芳 -专利权人：西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中功率MOSFET压接在散热器上；恒流控制板精确控制不同的功率MOSFET工作在放大区并保证相同的功率耗散，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度。本发明通过恒流控制板的控制作用，使流过功率MOSFET的电流得到精确控制，极大减小了由于不同功率MOSFET存在的开启电压差异而导致的电流差异。同时，在相同的功率耗散条件下，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度，可以较快捷并准确地比较出不同功率MOSFET封装热阻的大小。
功率MOSFET 散热器功率MOSFET封装恒流控制板点温计热阻双路比较装置功率耗散测量可调直流电源电流差异开关电源开启电压控制作用放大区减小压接保证

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