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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]切片机和用于对产品进行切片的方法-CN201980080016.9有效
发明人： D·W·金;S·A·克罗科夫 -专利权人：乌尔舎尔实验室有限公司
申请日： 2019-10-03 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B26D3/28 文献下载
摘要：用于将产品切片为格状式切片或薄片的机器和方法。该方法和机器利用具有限定切割头的轴线的环形形状的切割头，和同轴地安装在切割头的内部内的用于绕切割头的轴线旋转的叶轮组件。切割头具有在其周边处并且在切割头的径向向内延伸的至少一个刀。叶轮组件具有基部、在基部内的腔、到在基部内的腔的中心开口、以及从基部径向向外延伸的等角间隔的管状引导件，该管状引导件用于在叶轮组件在切割头内旋转时将在腔内的产品朝向切割头的周边递送。叶轮组件包括具有增加产品处理量并且增加叶轮组件和切割头使用寿命的能力的特征。
切片机用于产品进行切片方法

[发明专利]包括同轴互连的集成器件-CN202210862033.1在审
发明人： D·W·金;Y·K·宋;K-P·黄;H·B·蔚 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括同轴互连的集成器件，该集成器件包括：基板、耦合到该基板的第一互连、以及围绕该第一互连的第二互连。第二互连可被配置成提供至接地的电连接。在一些实现中，第二互连包括极板。在一些实现中，该集成器件还包括在第一互连与第二互连之间的电介质材料。在一些实现中，该集成器件还包括围绕第二互连的模塑。在一些实现中，第一互连被配置成在第一方向上传导功率信号。在一些实现中，第二互连被配置成在第二方向上传导接地信号。在一些实现中，第二方向不同于第一方向。在一些实现中，该集成器件可以是层叠封装(PoP)器件。
包括同轴互连集成器件

[发明专利]包括集成电路(IC)封装之间的柔性连接器的集成器件-CN201780010368.8有效
发明人： H·B·蔚;J·S·李;D·W·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一些特征涉及包括第一集成电路(IC)封装、柔性连接器和第二集成电路(IC)封装的集成器件。该第一集成电路(IC)封装包括第一管芯、多个第一互连、以及包封第一管芯的第一介电层。该柔性连接器被耦合到第一集成电路(IC)封装。该柔性连接器包括第一介电层和互连。该第二集成电路(IC)封装被耦合到柔性连接器。该第二集成电路(IC)封装包括第一介电层和多个第二互连。第一集成电路(IC)封装、第二集成电路(IC)封装和柔性连接器通过第一介电层的至少一部分(例如，毗连部分)被耦合在一起。在一些实现中，柔性连接器包括虚设金属层。
包括集成电路 ic 封装之间柔性连接器集成器件

[发明专利]高密度扇出封装结构-CN201580058661.2有效
发明人： D·W·金;H·B·蔚;J·S·李;S·顾 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种高密度扇出封装结构可包括触点层。该触点层包括具有面向有源管芯的第一表面和面向重分布层的第二表面的导电互连层。该高密度扇出封装结构具有在该导电互连层的第一表面上的阻挡层。该高密度扇出封装结构还可包括具有导电路由层的重分布层。该导电路由层可被配置成将第一导电互连耦合至该导电互连层。该高密度扇出封装结构可进一步包括第一通孔，其耦合至该阻挡内衬并且被配置成与至该有源管芯的第二导电互连相耦合。
高密度封装结构

[发明专利]在封装层中包括硅桥接的集成器件封装-CN201580060406.1有效
发明人： J·S·李;H·B·蔚;D·W·金;S·顾 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一些新颖特征涉及一种包括封装部分和重分布部分的集成器件封装。封装部分包括第一管芯、耦合至第一管芯的第一组通孔、第二管芯、耦合至第二管芯的第二组通孔、桥接、以及封装层。该桥接被配置成在第一管芯与第二管芯之间提供电路径。该桥接通过第一组通孔被耦合至第一管芯。该桥接通过第二组通孔被进一步耦合至第二管芯。该封装层至少部分地封装第一管芯、第二管芯、该桥接、第一组通孔、以及第二组通孔。重分布部分被耦合至封装部分。重分布部分包括一组重分布互连以及至少一个介电层。
封装包括硅桥接集成器件

[发明专利]包括电容器、重分布层、和分立同轴连接的封装基板-CN201580066405.8有效
发明人： H·B·蔚;K-P·黄;Y·K·宋;D·W·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种封装基板包括第一部分和重分布部分。第一部分被配置成作为电容器来操作。第一部分包括第一电介质层、电介质层中的第一组金属层、电介质层中的第一通孔、电介质层中的第二组金属层、以及电介质层中的第二通孔。第一通孔被耦合至第一组金属层。第一通孔和第一组金属层被配置成提供用于接地信号的第一电路径。第二通孔被耦合至第二组金属层。第二通孔和第二组金属层被配置成提供用于功率信号的第二电路径。重分布部分包括第二电介质层以及一组互连。
包括电容器分布分立同轴连接封装

[发明专利]在可光刻蚀刻层中包括桥接的集成器件封装-CN201680047813.3有效
发明人： S·顾;H·B·蔚;J·S·李;D·W·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种集成器件封装包括第一管芯、第二管芯、耦合到该第一管芯和该第二管芯的包封部分，以及耦合到该包封部分的重分布部分。该包封部分包括包封层、桥接、以及第一通孔。该桥接至少部分地嵌入在该包封层中。该桥接被配置成提供用于该第一管芯和该第二管芯之间的第一信号的第一电路径。该第一通孔位于该包封层中。该第一通孔被耦合到该桥接。该第一通孔和该桥接被配置成提供用于去往该第一管芯的第二信号的第二电路径。该重分布部分包括至少一个介电层和在该介电层中的耦合到该第一通孔的至少一个互连。
光刻蚀刻包括集成器件封装

[发明专利]具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装及其制造方法-CN201680025551.0有效
发明人： H·B·蔚;D·W·金;J·S·李 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：根据本公开的一些示例的半导体封装可包括：具有嵌入在基板中的桥的基板、耦合至该基板的第一管芯和第二管芯、以及基板中的将桥耦合至第一管芯和第二管芯的多个导电桥互连。该多个导电桥互连可具有：直接耦合至该桥的第一桥接触层、在第一桥接触层上的第一焊料层、在第一焊料层上的第二桥接触层、在第二桥接触层上的第二焊料层、以及直接耦合至第一管芯和第二管芯中的一者的管芯接触层，其中该多个导电桥互连被嵌入在基板中。
具有高密度管芯连接半导体封装及其制造方法

[发明专利]堆叠式封装配置及其制造方法-CN201680018920.3有效
发明人： D·W·金;H·B·蔚;J·S·李;S·顾 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开的一些示例可包括一种层叠封装集成封装配置，包括：位于基板上方在第一平面中的第一管芯；位于第一管芯上方在第二平面中的第二管芯，该第二管芯所具有的一部分延伸超过该第一管芯；位于第一管芯上方在第二平面中的第三管芯，该第三管芯所具有的一部分延伸超过该第一管芯；位于第二管芯和第三管芯上方在第三平面中的第四管芯，该第四管芯所具有的一部分延伸超过该第二管芯和第三管芯；以及位于第二管芯和第三管芯上方在第三平面中的第五管芯，该第五管芯所具有的一部分延伸超过该第二管芯和第三管芯。
堆叠封装配置及其制造方法

[发明专利]包括至少一个狭缝的多层陶瓷电容器-CN201480064181.2有效
发明人： C·H·尹;K·P·黄;Y·K·宋;D·W·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：一种装置包括双端子MLCC。该双端子MLCC包括导电层，其中该导电层包括至少一个狭缝。该装置还可以包括包含至少一个狭缝的第二导电层和将这两个导电层分隔的绝缘层。在一个示例中，该双端子MLCC的第一(例如，正)端子由第一组极板形成，其中该第一组中的每个极板包括至少一个狭缝。该双端子MLCC的第二(例如，负)端子由第二组极板形成，其中该第二组中的每个极板包括至少一个狭缝。该第一组极板和该第二组极板是交织的，并且每对极板由绝缘层分隔开。
包括至少一个狭缝多层陶瓷电容器

[发明专利]用于PoP封装的基板块-CN201580023775.3有效
发明人： H·B·蔚;D·W·金;J·S·李;S·顾;R·拉多伊契奇 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：提供了具有增大的宽度的基板块。该基板块包括两个基板条，并且这些基板条各自包括基板以及穿过该基板的多个经填充通孔。该基板块可被用于制造封装基板，并且这些封装基板可以被纳入到PoP结构中。该封装基板包括具有多个垂直互连的载体以及耦合至该垂直互连的条。
用于 pop 封装板块

[发明专利]低剖面加强层叠封装半导体器件-CN201580068185.2有效
发明人： H·B·蔚;D·W·金;K-P·黄;Y·K·宋 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L25/10 文献下载
摘要：本公开提供了半导体封装以及用于制造PoP半导体封装的方法。该PoP半导体封装可包括第一半导体封装和第二半导体封装，该第一半导体封装包括阳极化金属盖结构，该结构包括(i)具有中央空腔开口方向的中央空腔以及(ii)具有面向与该中央空腔开口方向相反的方向的周界空腔开口方向的至少一个周界空腔；布置在该阳极化金属盖结构的中央空腔中的第一半导体器件；电耦合到该第一半导体器件的重分布层，其中在该重分布层中形成的导电迹线向该至少一个周界空腔曝露；以及布置在该至少一个周界空腔中的焊料材料，该第二半导体封装包括至少一个导电桩，其中该至少一个导电桩被电耦合到布置在该至少一个周界空腔中的焊料材料。
剖面加强层叠封装半导体器件

[发明专利]包括具有穿过封装层的侧势垒层的通孔的集成器件-CN201580008236.2有效
发明人： J·S·李;H·B·蔚;D·W·金;S·顾 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一些新颖特征涉及一种包括封装层、穿过封装层的通孔结构、以及焊盘的集成器件。该通孔结构包括包含第一侧、第二侧和第三侧的通孔。该通孔结构还包括围绕通孔的至少第一侧和第三侧的势垒层。焊盘直接耦合至通孔结构的势垒层。在一些实现中，该集成器件包括耦合至封装层的第一表面的第一电介质层。在一些实现中，该集成器件包括耦合至封装层的第一表面的基板。在一些实现中，该集成器件包括耦合到基板的第一管芯，其中封装层封装该第一管芯。在一些实现中，通孔包括配置成作为焊盘来操作的部分。
包括具有穿过封装侧势垒层集成器件

[发明专利]半导体封装互连及其制造方法-CN201580048017.7有效
发明人： D·W·金;J·S·李;H·B·蔚;Y·K·宋;C-K·金;K-P·黄;S·顾 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：根据本公开的一些示例的一种半导体封装可包括：在一侧上具有第一重分布层(150)的基底(110)、在与第一重分布层相对侧上附连到该基底的第一(120)和第二(130)并排管芯、附连到第一和第二管芯的有源侧以在第一和第二管芯之间提供互连的中介体(140)、从第一和第二管芯延伸到该封装的与第一重分布层相对的表面上的第二重分布层(170)的多个管芯通孔(180，181)、以及在第一和第二重分布层之间延伸穿过该封装的多个封装通孔(182)。
半导体封装互连及其制造方法

[发明专利]包括无机层中的高密度互连和有机层中的重分布层的集成器件-CN201580022679.7有效
发明人： S·顾;R·拉多伊契奇;D·W·金;J·S·李 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种集成器件(例如，集成封装)，其包括集成器件的基底部分、第一管芯(206)(例如，第一晶片级管芯)、和第二管芯(208)(例如，第二晶片级管芯)。基底部分包括第一无机电介质层(203)，位于第一无机电介质层中的第一组互连(280)，不同于第一无机电介质层的第二电介质层(202)，以及第二电介质层中的一组重分布金属层(230，240，250，260)。第一管芯耦合至基底部分的第一表面。第二管芯耦合至基底部分的第一表面，第二管芯通过第一组互连(280)电耦合至第一管芯。
包括无机中的高密度互连有机分布集成器件

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