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[发明专利]结晶装置，结晶方法，薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管和显示装置-CN200410071430.9无效
发明人：高见芳夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在以高空间分辨率和高时间分辨率实时监视的同时，使一个半导体薄膜结晶的一种激光结晶装置(1)和方法。在一个包括用一束具有光强分布的脉冲激光照射一个半导体薄从而使该薄膜融化和以横向生长晶粒的方式结晶的结晶光学系统(20)的激光结晶装置(1)中，装置(1)包括一个位于激光光程之外的照明光源(42)，一个包括在中心部分提供激光光程并将照明光导引到薄膜
结晶装置方法薄膜晶体管制造显示装置

[发明专利]应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法-CN200710160996.2有效
发明人：孙铭伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及使用此掩膜的激光结晶方法。所述的掩膜包括主透光单元以及副透光单元。主透光单元相对于对称轴具有主对称透光区域。副透光单元沿对称轴位于主透光单元的两侧。激光结晶方法步骤包含提供具有非晶硅层的基板、提供上述掩膜、使用激光通过掩膜熔融该非晶硅层以于基板上产生第一结晶区域、移动掩膜使副透光单元的第一副透光单元移动至与第一结晶区域的第二副结晶单元对应、以及使用激光通过掩膜熔融非晶硅层以于基板上产生第二结晶区域
应用于连续性侧向技术以及激光结晶方法

[发明专利]一种结晶器表面激光熔覆的合金涂层及其制备方法-CN200810012662.5无效
发明人：邢飞;侯丹辉;张翼飞;宫铭辉 -专利权人：沈阳新松机器人自动化股份有限公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明涉及激光熔覆领域，具体是一种结晶器表面激光熔覆的合金涂层及其制备方法。该合金涂层的成分根据结晶器的机械性能、失效情况和结晶器表面激光熔覆特点进行配制，此合金涂层由镍基自熔性合金粉末组成，包括Ni、Cr、W、Mo、Al、Ti、C、B等元素，按质量百分比计，涂层成份具体由Ni经激光熔覆后，在结晶器表面获得优质涂层，一方面能满足结晶器的快速导热的基本性能要求，另一方面增加结晶器表面的耐磨性和耐热冲蚀性能。
一种结晶器表面激光合金涂层及其制备方法

[发明专利]用于制备外延纹理厚膜的系统和方法-CN201310260287.7无效
发明人： J·S·伊姆 -专利权人：纽约市哥伦比亚大学理事会
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所公开的主题涉及薄膜的激光结晶的使用，以产生外延纹理结晶厚膜。在一个或多个实施方式中，用于制备厚结晶膜的方法包括：提供用于在衬底上结晶的膜，其中衬底的至少一部分对于激光照射实质上是透明的，所述膜包括具有主表面结晶取向的籽晶层以及在籽晶层之上布置的顶层；使用脉冲激光器从衬底的背面照射该膜，以在与籽晶层的界面处熔化顶层的第一部分同时籽晶层的第二部分保持固态；以及重新凝固顶层的第一部分，以形成以籽晶层外延的结晶激光，从而释放热来熔化顶层的相邻部分。
用于制备外延纹理系统方法

[发明专利]激光加工装置、及激光加工方法-CN202180060941.2在审
发明人：坂本刚志;佐野育;杉浦银治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B23K26/067 文献下载
摘要：本发明是用于对对象物照射激光来形成改性区域的激光加工装置，其具备：用于支撑所述对象物的支撑部、用于朝向被所述支撑部支撑的所述对象物照射所述激光的照射部、用于使所述激光的聚光区域相对于所述对象物相对移动的移动部所述对象物具有结晶结构，该结晶结构含有：(100)面、一个(110)面、另一个(110)面、与所述一个(110)面正交的第1结晶方位、和与所述另一个(110)面正交的第2结晶方位，并且所述对象物是以所述(100)面成为所述激光的入射面的方式支撑于所述支撑部。
激光加工装置方法

[实用新型]一种用于制作多晶硅薄膜的激光照射系统-CN201920483229.3有效
发明人：叶昱均 -专利权人：陕西坤同半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种用于制作多晶硅薄膜的激光照射系统，包括：激光光源，提供连续式固体激光；准分子激光光源，提供准分子激光；控制单元，控制激光光源提供连续式固体激光经过反射镜反射至聚焦透镜，经由聚焦透镜将连续式固体激光照射设置在基板上的非晶硅薄膜的表面，使得部份非晶硅薄膜的表面形成结晶以及在部份非晶硅薄膜形成结晶之后，控制单元再控制准分子激光光源提供准子激光照射非晶硅薄膜的其余表面，使得非晶硅薄膜完全形成多晶硅薄膜；以及退火反应腔，用以容置激光光源，准分子激光光源及光学组件，据此，采用分段式的激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜，可以有效增加多晶硅的结晶率。
非晶硅薄膜多晶硅薄膜准分子激光光源固体激光激光光源连续式激光照射系统激光照射聚焦透镜退火反射镜反射准分子激光表面形成光学组件多晶硅反应腔分段式结晶率基板容置制作照射

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610073760.0有效
发明人：田中幸一郎;中嶋节男 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-12-21 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中，形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜，并利用结晶半导体膜制造TFT，因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下，另一激光光束延迟于一个激光光束，并且激光光束合成以便照射到半导体膜上，因而半导体膜的冷却速度缓慢，并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜通过用结晶半导体膜制造TFT，可实现能高速操作的TFT。
半导体器件制造方法

[发明专利]利用激光诱导再结晶制造场发射器的方法-CN200510102683.2无效
发明人：陈昱丞 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-09-13 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种利用激光诱导再结晶制造场发射器的方法。根据本发明，会先提供基板，其上会形成含硅层。而后便会利用激光诱导再结晶来形成从该含硅层的表面中凸出的多个凸出尖端。该激光诱导再结晶法包含让全部或部分的该含硅层受到未图案化或已图案化能量源作用的步骤。
利用激光诱导再结晶制造发射器方法

[发明专利]激光退火方法、激光退火装置及薄膜晶体管基板-CN201680082314.8在审
发明人：水村通伸 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种对被覆于基板(6)上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化的激光退火方法，对所述基板(6)上的多个第一及第二TFT形成部(23、24)照射不同的照射光量的激光，从而将所述多个第一及第二TFT形成部(23、24)的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。
非晶硅膜激光退火形成部基板照射激光激光退火装置薄膜晶体管多晶硅膜结晶状态照射光量结晶化

[发明专利]激光掩模以及利用其结晶的方法-CN200410101579.7有效
发明人：俞载成 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光掩模和利用其结晶的方法，能够产生具有均匀的结晶特性的多晶硅薄膜。按照本发明，一种利用激光掩模结晶的方法，所述激光掩模具有第一区段中的参考图案和第二区段中的所述参考图案的相反图案，该方法包括：提供具有硅薄膜的基板；将激光掩模的第一区段设置在一部分硅薄膜上，然后通过该第一区段照射第一激光束；移动激光掩模或者基板，从而将激光掩模的第二区段设置在所述部分硅薄膜上，然后通过第二区段照射第二激光束。
激光以及利用结晶方法

[发明专利]一种核苷酸产品结晶颗粒度分布的控制方法及其检测方法-CN202110813696.X在审
发明人：陈修足;欧伶;杜卫群;武琳;郁海红 -专利权人：南通秋之友生物科技有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C07H19/20 文献下载
摘要：本发明公开一种核苷酸产品结晶颗粒度分布的控制方法及其检测方法，包括核苷酸结晶工艺，所述核苷酸结晶工艺包括AMP、CMP、UMP、GMP制备工艺；检测方法通过激光粒度分析仪进行准确测定核苷酸颗粒度分布情况，通过不同的结晶方法控制，结合颗粒度分布的测定，找到适合各个核苷酸结晶的最佳方法。本发明将激光粒度分析仪首次应用于核苷酸结晶晶体颗粒度分布测定中来，能够准确反映结晶晶体的大小和粒度分布，对于更好的优化结晶条件具有指导意义。
一种核苷酸产品结晶颗粒分布控制方法及其检测

[发明专利]曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法-CN200580044198.2有效
发明人：田中幸一郎;山本良明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：当用多个激光器进行半导体膜的退火时，各个激光辐照区域之间的距离是不同的。在该步骤之后，当根据预先在基板上所形成的标记进行光刻步骤时，并没有对用激光使之结晶的那部分进行适当的曝光。通过将激光辐照步骤中所获得的激光辐照区域作为标记，便可通过步进电机使曝光位置与激光辐照区域中的大晶粒尺寸区域相一致进行曝光。通过利用在大晶粒尺寸区域和弱结晶区域之间散射光强是不同的这一事实，便可检测出大晶粒尺寸区域和弱结晶区域，由此确定曝光的位置。
曝光装置使用半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200510099847.0有效
发明人：山崎舜平;大谷久;田中幸一郎;笠原健司;河崎律子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2000-08-14 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体薄膜；通过照射YVO₄激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶；构图结晶的半导体薄膜，以形成岛状半导体。或者，可以通过照射YVO₄激光器的具有线性形状的二次谐波使半导体薄膜结晶。也可以先构图半导体薄膜以形成岛状半导体，然后照射YVO₄激光器的二次谐波，以使岛状半导体薄膜结晶。在这里，YVO₄激光器的二次谐波的照射面的形状具有等于或大于10的纵横比。或者，在衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成半导体薄膜，通过照射YVO₄激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶，构图结晶的半导体薄膜以形成岛状半导体薄膜，其中绝缘膜含有至少一种选自氧化硅、
半导体器件制造方法

[发明专利]激光结晶设备和制造显示设备的方法-CN201911222531.4在审
发明人：李东成;李童敏;徐宗吾;苏炳洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种激光结晶设备和制造显示设备的方法。一种激光结晶设备可以包括激光光源、光学系统和光学模块。所述激光光源可以产生激光束。所述光学系统可以将所述激光束转换为线激光束。所述光学模块可以在第一方向上分散所述线激光束的能量，以产生分散的线激光束。所述第一方向可以垂直于所述光学模块的长度方向。
激光结晶设备制造显示方法

[发明专利]激光结晶设备-CN201811465281.2在审
发明人：三宫晓史;韩圭完;柳济吉;李京在 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种激光结晶设备。所述激光结晶设备包括：第一光源单元，被构造为发射具有线性偏振激光束形状的第一输入光；第二光源单元，被构造为发射具有线性偏振激光束形状的第二输入光；偏振光学系统，被构造为使第一输入光和/或第二输入光以预定旋转角度旋转被构造为将穿过偏振光学系统的第一输入光和第二输入光转换为输出光；台，目标基底置于台上，并且输出光被引导到目标基底上；以及监测单元，被构造为从偏振光学系统接收第一输入光或第二输入光，并且测量第一输入光或第二输入光的激光束质量
输入光激光结晶设备偏振光学系统激光束形状光源单元线性偏振目标基输出光输入光转换光学系统监测单元角度旋转发射激光束测量穿过