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[发明专利]一种钙钛矿电池组件及制备方法-CN202310436470.1在审
发明人：朱俊;夏锐;张学玲;冯志强;高纪凡 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿电池组件及制备方法，该制备方法包括如下步骤：钙钛矿半干膜制备步骤：使钙钛矿墨水在第一电荷传输层上形成钙钛矿湿膜，然后使所述钙钛矿湿膜进行低温预结晶，得钙钛矿半干膜；其中，所述低温预结晶的温度为30～55℃、时间为1‑10min；激光划刻步骤：在所述钙钛矿半干膜上进行激光划刻，得带有激光划刻凹槽的钙钛矿膜。本发明在制备钙钛矿电池组件的过程中，先通过低温预结晶制得钙钛矿半干膜，然后在钙钛矿半干膜上进行激光划刻，能有效降低激光刻蚀工艺对钙钛矿薄膜的损伤，从而有效提升器件的效率和长期稳定性。
一种钙钛矿电池组件制备方法

[发明专利]一种判断固体化合物结晶终点的装置和方法-CN202211174800.6在审
发明人：张尊听;董丽英 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G09B23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种判断固体化合物结晶终点的装置和方法，所述装置包括结晶器、激光发射器、白色幕布，还包括透明玻璃窗。本发明基于光线在非均匀介质中弯曲传播的原理，利用结晶过程中溶液浓度梯度差的变化特性，将激光束透过该装置内冷却中的固体化合物饱和溶液，通过观察白色幕布上形成的光学图像的动态变化过程，准确快速判断固体化合物的结晶终点本发明装置结构简单，能直观、实时地显示固体化合物结晶的过程，实现固体化合物结晶终点的判断，可用于化工生产和实验室等领域固体物质的分离与纯化。
一种判断固体化合物结晶终点装置方法

[发明专利]结晶硅膜的形成方法、使用了该结晶硅膜的薄膜晶体管以及显示装置-CN201080039162.6无效
发明人：濑川泰生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-08-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种使用可见光区域波长的激光来形成结晶性稳定的结晶硅膜的结晶硅膜的形成方法。本发明的结晶硅膜的形成方法，包括：第一工序，形成金属膜；第二工序，在金属膜上形成绝缘膜；和第三工序，在绝缘膜上形成由多晶Si形成的结晶硅膜，在第二工序中，以160nm～190nm的膜厚范围来形成所述绝缘膜，所述第三工序包括以下工序：在所述绝缘膜上以30nm～45nm的膜厚范围来形成由a-Si形成的非晶硅膜的工序；和通过对所述非晶硅膜照射可见光区域波长的激光来形成结晶硅膜的工序。
结晶形成方法使用薄膜晶体管以及显示装置

[发明专利]激光结晶化装置-CN202111670008.5在审
发明人：三宫晓史;柳济吉;朴喆镐;李惠淑;全镇弘;蔡永洙;韩圭完 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本公开涉及一种激光结晶化装置，根据实施例的激光结晶化装置可以包括：光源部；以及路径转换部，将从所述光源部入射的激光束转换成具有与第一方向平行的长轴和与第二方向平行的短轴的线形光束，所述路径转换部包括：入射窗
激光结晶化装

[发明专利]一种抗翘曲激光焊接PC/PBT复合材料及其制备方法-CN202210211680.6在审
发明人：王晶;张天荣;王帅;王凯;王明义 -专利权人：上海聚威新材料股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗翘曲激光焊接PC/PBT复合材料及其制备方法，所述复合材料按重量份计包括以下组分：PBT 30份‑53份；PC 10份‑40份；玻璃纤维10份‑30份；结晶促进剂0.1份‑1份；酯交换抑制剂本发明采用非结晶PC材料与结晶PBT材料复合改性，既可得到可用于激光焊接的透激光材料，同时也提高整体PC/PBT材料的抗翘曲性能，更利于增加焊接强度、降低焊接周期，提高了产能，扩大了材料的应用范围。
一种抗翘曲激光焊接 pc pbt 复合材料及其制备方法

[发明专利]一种激光辅助激光熔覆的增材制造方法-CN201811001406.6在审
发明人：鲁金忠;卢海飞;罗开玉 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明涉及激光熔覆的增材制造技术，具体涉及一种激光辅助激光熔覆的增材制造方法。首先使用连续激光束对基板表面初始位置进行局部加热到基板的动态再结晶温度，然后立即使用激光熔覆装置对同一位置进行激光熔覆，采用同样的操作步骤，沿预先规划的路径，完成第一层熔覆；接着使用连续激光束对熔覆层表面初始位置进行局部加热到熔覆层的动态再结晶温度；然后立即使用激光熔覆装置对同一位置进行激光熔覆，采用同样的操作步骤，沿预先规划的路径，完成第二层熔覆；如此往复，完成金属工件的增材制造。
激光熔覆激光熔覆装置动态再结晶连续激光束激光辅助局部加热同一位置熔覆层制造熔覆金属工件第一层对基板基板规划

[发明专利]一种基于焊缝梯度凝固控制的窄间隙双光束激光填丝焊接方法-CN202110369459.9在审
发明人：雷振;黄瑞生;曹浩;孙谦;蒋宝;徐楷昕 -专利权人：哈尔滨焊接研究院有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B23K26/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于焊缝梯度凝固控制的窄间隙双光束激光填丝焊接方法，属于激光加工技术领域。本发明解决现有厚板窄间隙激光填丝焊接过程中焊缝中心处易产生结晶裂的问题。本发明在窄间隙坡口的多道填充焊接过程中，采用前束激光作为熔化焊丝的主热源，用于实现窄间隙坡口的焊接填充，前束激光可采用较大激光光斑或者采用激光摆动的方式，控制焊缝中的气孔以及侧壁未熔合等缺陷；后束激光作为热补偿辅助热源，用于控制大送丝量填充时形成大深宽比激光焊缝的熔池凝固顺序，实现自下而上的梯度顺序凝固，防止产生焊接结晶裂纹，来提高该焊接工艺方法的效能。
一种基于焊缝梯度凝固控制间隙光束激光焊接方法

[发明专利]激光退火装置和方法、显示面板及其制备装置-CN201910074578.4有效
发明人：李月 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种激光退火装置及方法、显示面板及其制备装置，其中激光退火装置包括产生激光的激光系统，在所述激光系统发射激光的一侧依次间隔设置有一一对应的第一透镜单元和第二透镜单元，使得所述激光依次穿过所述第一透镜单元和所述第二透镜单元之后该方案中，激光通过第一透镜单元和第二透镜单元的汇聚或发散后，光束重叠程度不同形成温度梯度，实现了通过激光分布对多晶硅结晶方向进行控制，促进多晶硅的横向结晶，增大了晶粒的尺寸，从而提高载流子迁移率，提高显示面板的响应速度
激光退火装置方法显示面板及其制备

[发明专利]晶体材料的重结晶方法-CN202211318594.1在审
发明人：何力;骆军委;温书育;朱元昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体材料的重结晶方法，包括：在晶体材料的表面沉积一层覆盖层；使用脉冲激光对所述晶体材料沉积有覆盖层的一面进行辐照，使所述晶体材料受热冷却结晶，在所述晶体材料靠近所述覆盖层的一侧形成重结晶层；刻蚀掉所述晶体材料表面的覆盖层，露出所述重结晶层。本发明通过向晶体材料表面预沉积覆盖层并使用脉冲激光退火处理晶体材料，实现晶体材料的高质量再生并有效抑制掺杂原子损失问题。
晶体材料重结晶方法

[发明专利]用于硅层结晶的可变掩膜器件及使用该器件的结晶方法-CN200510079644.5有效
发明人：俞载成 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：公开了一种可控制开口的宽度和长度的用于硅层结晶的可变掩膜器件，和一种使用所述可变掩膜器件对硅进行结晶的方法。激光束通过开口排列，并且利用该激光束照射形成在基板上的硅层，由此对该硅层进行结晶。该基板以扫描距离在X方向上移动，并且照射该基板，直到整个基板被全部结晶。
用于结晶可变器件使用方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610064488.X有效
发明人：宫入秀和;小久保千穗;井上弘毅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在衬底上形成非晶半导体膜，其掺杂有促进结晶的金属元素，通过第一热处理结晶非晶半导体膜来形成结晶半导体膜；去除结晶半导体膜上形成的第一氧化膜并形成第二氧化膜；用第一激光照射其上形成了第二氧化膜的结晶半导体膜；在第二氧化膜上形成含有稀有气体元素的半导体膜；通过第二热处理将含在结晶半导体膜中的金属元素吸气到含有稀有气体元素的半导体膜中；去除含有稀有气体元素的半导体膜和第二氧化膜；在含氧气氛中用第二激光照射结晶半导体膜
半导体器件制造方法

[发明专利]二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法-CN201910361962.2在审
发明人：黄建元;方冠荣;黄冠玮;胡博期;陈泰辰;蔡淑仪 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B23K26/0622 文献下载
摘要：本发明提供一种二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，包含以下步骤：对一无结晶相的二硅酸锂玻璃施予一热处理以形成一结晶度大于等于50％的二硅酸锂玻璃陶瓷，且定义该二硅酸锂玻璃陶瓷具有一欲加工区；及以脉冲式激光对该二硅酸锂玻璃陶瓷加工，以移除该二硅酸锂玻璃陶瓷的欲加工区的材料，且该脉冲式激光的脉冲宽度小于等于10‑9秒。利用脉冲式激光来对该结晶度大于等于50％的二硅酸锂玻璃陶瓷进行加工，可避免热传率较低的二硅酸锂玻璃陶瓷因吸收激光的热能而蓄热导致破裂，并借此提升其二硅酸锂玻璃陶瓷的移除率。
硅酸玻璃陶瓷加工方法

[发明专利]应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法-CN200410043289.1有效
发明人：柯明道;邓至刚;曾当贵;石安 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法，于玻璃基板预定形成源极和漏极处先镀上金属图案再覆以非晶硅膜，使源极和漏极中间的预定栅极区域形成诱发侧向结晶生长区域，以形成多晶硅退火结构；并进一步结合准分子激光退火，准分子激光由另一表面穿透玻璃基板使非晶硅膜吸收准分子激光束的能量以形成熔融状态，而镀有金属层的区域则反射大部分准分子激光束，使非晶硅膜产生温度梯度，以诱发侧向结晶生长，在有源区域内形成优选的结晶结构，
应用于高效能薄膜晶体管多晶退火结构及其方法

[发明专利]多晶硅膜的形成方法-CN200410085784.9有效
发明人：孙暻锡;李镐年;柳明官;朴宰彻;金億洙;李俊昊;权世烈 -专利权人：京东方显示器科技公司
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅(poly－Si)膜的形成方法，本发明的多晶硅膜形成方法是一种通过激光照射使非晶硅(a－Si)膜结晶化以形成多晶硅膜的方法，其包括以下步骤：在玻璃基板上依次蒸镀隔离膜及非晶硅膜；在上述玻璃基板的后面蒸镀具有激光反射功能的金属膜；从上述非晶硅膜的前面照射激光，同时使由上述金属膜反射的激光被该非晶硅膜再吸收，由此使该非晶硅膜二次结晶。本发明的特征在于使非晶硅膜二次结晶，故能形成具有非常大的晶粒的多晶硅膜。
多晶形成方法

[发明专利]连续涂覆设备、生产晶态薄膜和太阳电池的方法-CN200880006315.X有效
发明人：阿文德·沙;霍斯特·谢德;霍尔格·明兹;马丁·沃尔克;迈克尔·沙尔;马赛厄斯·克兰茨 -专利权人：卡尔蔡司激光器材有限责任公司;卡尔蔡司SMT股份公司
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及连续涂覆设备(100)，其包括真空室(110)、物理气相沉积装置(112)和激光结晶系统(122)，真空室(110)具有供给被涂覆的基板(106)的供给开口(102)和卸出被涂覆的基板(106)的卸载开口(104)，物理气相沉积装置(112)涂覆所述基板(106)的表面(126)，激光结晶系统(122)用至少一激光束(124)同时照射所述基板(106)的表面(126)的当前被涂覆的部分区域(130)的至少一子部分区域(132)，激光结晶系统(122)包括运输装置(108)，其在送进方向(136)从所述供给开口(102)至所述卸载开口(104)运输所述基板(106)并且连续地或者非连续地在所述基板的涂覆期间在所述送进方向
连续设备生产晶态薄膜太阳电池方法

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