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[实用新型]一种应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路-CN202321204050.2有效
发明人：魏涛;陈必江;汪洋 -专利权人：上海萍生微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：的超低功耗三态输入检测电路，包括：Vin端、电阻R1、电阻R2、VDD端、晶体管P1、晶体管P2、电阻R3、与非门N1；Vin端连接与非门N1的B输入端；Vin端还通过电阻R1连接VDD端，通过电阻R2连接晶体管P1的漏极，晶体管P1的源极连接VDD端，晶体管P1的栅极连接晶体管P2的栅极，且晶体管P1的栅极与漏极短接；晶体管P2的源极连接VDD端，晶体管P2的漏极通过电阻R3接地，且电平输出端X连接晶体管P2的漏极，与非门N1的A输入端连接晶体管P2的漏极，与非门N1的输出端连接电平输出端Y。
一种应用于 wifi fem 功耗三态输入检测电路

[实用新型]N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管-CN200920283463.8无效
发明人：孙伟锋;杨淼;夏晓娟;钱钦松;陈越政;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。
型超结横向扩散半导体金属氧化物晶体管

[实用新型]P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管-CN200920283462.3无效
发明人：孙伟锋;孙大鹰;徐申;钱钦松;陈越政;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。
型超结横向扩散半导体金属氧化物晶体管

[实用新型]烟草育苗播种器-CN201020159252.6无效
发明人：陈德鑫 -专利权人：陈德鑫
申请日： 2010-04-11 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： A01C7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种烟草育苗播种器，它包括一个布种箱和储种箱，所述布种箱的箱底有三层，上层为储种板，中层为一个抽拉式隔板，下层为漏种板；储种板的中段布有储种孔，两侧为不设孔的光面，储种孔的直径满足漏下一粒种子的直径；漏种板上布有与储种板的储种孔相对应的漏种孔，在漏种板的底面每个漏种孔上都连接一个下种管，每个下种管的底端各对应在育苗盘的一个穴坑上；所述储种箱是一个长方形无底箱体，储种箱安置在布种箱内，其箱体底面与储种板紧密接触
烟草育苗播种

[实用新型]一种壁挂式男性小便器防返味漏水装置-CN200920107273.0无效
发明人：任海军 -专利权人：任海军
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： E03D13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种壁挂式男性小便器防返味漏水装置，包括水漏上模、水漏下模和浮球；在水漏上模内侧水平方向上设有至少两条上模肋；在上模肋上开设至少两个通孔；从小便器出水口内侧向水漏上模打销钉；该销钉穿述通孔，以使漏水上模与小便器相固定；水漏下模为中段是一锥形段其两端为两个圆柱筒的筒体，其与水漏上模固联，浮球装设于该水漏下模内，其直径小于水漏下模锥形段的上端较大口的口径，大于锥形段下端较小口的口径；水漏下模的出水口与落水管相连通本漏水装置通过销钉实现小便器与水漏上模连接固定，避免了因胶水长期使用后失效而造成的不便。漏水装置通过在水漏下模内设浮球实现防止异味上返功能，避免了其自身散发异味的可能。
一种壁挂式男性小便器防返味漏水装置

[实用新型]模块化智能节能卫生调料盒-CN200720099928.5无效
发明人：管啸天;张明路;张建政;张建辉;张润利 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2007-10-16 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： A47J47/02 文献下载
摘要：它包括上盒箱13，分别安装在上盒箱13上部的密封盖1、对射光电传感器43、漏斗支撑板14以及下部底座7；上盒箱13内的漏斗支撑板14上安装着盛料漏斗2，盛料漏斗2下端的漏管内安装防酸碱电磁阀11；漏管的正下方，出料孔与漏管底部之间装有电动挡板9；上盒箱13的底板上固定有智能控制卡4；所述的底座7上安装有电池盒5；正对盛料漏斗2下端的漏管位置有凹坑，凹坑上置有盛漏碗6；所述智能控制卡4为电子模块，它通过电线分别与电磁阀
模块化智能节能卫生调料

[实用新型]提高低频电源抑制比的辅助电路、电压调节器和电路装置-CN200420116651.9无效
发明人：丁齐兵;管慧;施浩 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2004-12-20 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：其多个放大器级中第一级是双端输入放大器，每一级的输出连接下一级的输入，最后一级的输出作为第一级的反馈输入，辅助电路包括：第一PMOS管，源极连接于电源，栅极连接于偏置电压；第一NMOS管，源极接地，栅极和漏极连接于第一PMOS管的漏极；第二NMOS管，源极接地，栅极连接于第一PMOS管的漏极，漏极连接于除最后一级以外的任一放大器级的输出，其中，第二NMOS管的漏极所连接的放大器级输出的电压极性与最后一级输出的电压极性相同
提高低频电源抑制辅助电路电压调节器装置

[发明专利]具有防静电放电保护的集成电路-CN200480027623.2无效
发明人： H·菲舍尔;J·林多尔夫;M·B·索默 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有防静电放电保护的集成电路，包括具有源极接线端(S1)、漏极接线端(D1)和栅极接线端(G1)的第一晶体管(T1)。该集成电路还包括具有源极接线端(S2)、漏极接线端(D2)和栅极接线端(G2)的第二晶体管(T2)。在第一晶体管(T1)和第二晶体管(T2)中，栅极接线端各自与漏极接线端连接。第一晶体管(T1)与第二晶体管(T2)串联，方法是第一晶体管的漏极和源极接线端与第二晶体管的漏极和源极接线端连接。
具有静电放电保护集成电路

[发明专利]艾蒿牙膏-CN201610350964.8在审
发明人：陈丽华 -专利权人：陈丽华
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： A61K8/9789 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能有预防牙槽浓漏疾患有特殊疗效、口中异味等疾病的牙膏。由艾蒿提取液、甘油、碳酸钙、十二烷基硫酸钠、蒸馏水组成。本发明的优点是能预防口中异味、牙槽浓漏疾患的发生。
艾蒿牙膏

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201911265505.X在审
发明人：郑在景;金兑圭;柳培根 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管，其包括源极、漏极，以及连接所述源极和所述漏极的沟道层。所述沟道层包括由SnMO表示的锡基氧化物，其中M包括非金属硫族元素或卤族元素中的至少一种。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]结晶器上的热电偶呈W型设计方式预报粘结、纵裂及异物卷入漏钢-CN202010142150.1在审
发明人：秦梦泽;孙江飞;秦旭 -专利权人：秦梦泽;孙江飞;秦旭
申请日： 2020-03-01 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B22D2/00 文献下载
摘要：通过大数据分析得出连铸机在拉钢过程中发生粘结、纵裂及异物卷入漏钢坯壳的特征及尺寸范围，从而发明结晶器铜板上的热电偶呈“W”型设计布置方式，并且准确预报粘结、纵裂及异物卷入漏钢。
结晶器热电偶设计方式预报粘结异物卷入

[发明专利]用于环绕式栅极晶体管的选择性硅蚀刻-CN202180047207.2在审
发明人：迈克尔·斯托尔菲;金明宣;本杰明·科伦坡;桑杰·纳塔拉扬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：hGAA器件包含此器件的源极区与漏极区之间的经修整半导体材料。此方法包括选择性各向同性蚀刻电子器件的源极区与漏极区之间的半导体材料层。
用于环绕栅极晶体管选择性蚀刻

[发明专利]像素结构及显示面板-CN201410197216.1有效
发明人：张吉和;李锡烈 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构与显示面板，其使用绝缘凸块搭配漏极的延伸部或单层导电凸块作为像素电极与漏极的电性连接结构，而不需于钝化层形成接触洞，因此可以大幅提高开口率与解析度。
像素结构显示面板

[发明专利]用于晶体管温度感测的方法和设备-CN201680053405.9有效
发明人：刘彦翔;杨海宁;K·雷姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：一种器件包括源极接触件、漏极接触件、栅极接触件和体接触件。体接触件电耦合到温度感测电路。源极接触件、漏极接触件、栅极接触件和体接触件被包括在鳍式场效应晶体管(finFET)中。
用于晶体管温度方法设备

[发明专利]半导体器件和方法-CN201710379063.6有效
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：靠近间隔件形成源极/漏极区，间隔件邻近栅电极。通过注入掩模向源极/漏极区和第一间隔件内实施注入，在间隔件内形成注入区域。本发明实施例涉及半导体器件和方法。
半导体器件方法