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[发明专利]电子器件、形成电子器件的方法和电路-CN201910305279.7有效
发明人： J·R-吉塔特;奥罗拉·康斯坦特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子器件、一种形成电子器件的方法以及一种电路。在一方面，电路包括漏极端子和源极端子；HEMT，具有漏极和源极，其中漏极耦接到漏极端子；以及可变电阻器，具有第一和第二电极。第一电极可耦接到HEMT的源极，并且第二电极可耦接到源极端子。在另一方面，电子器件包括源极端子；沟道层和阻挡层之间的异质结；HEMT的源极电极，源极电极覆盖在沟道层上面；第一电阻器电极，第一电阻器电极覆盖在沟道层上面并与源极电极间隔开，第一电阻器电极耦接到源极端子；以及可变电阻器，其中从俯视图看，可变电阻器在源极电极和第一电阻器电极之间沿着异质结设置。当切换包括HEMT的电子器件或电路时，可变电阻器可帮助减少在瞬态期间的过压或过流情况。
电子器件形成方法电路

[发明专利]一种电路和一种电子器件-CN201910756653.5在审
发明人： J·R-吉塔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路和一种电子器件。在一方面，所述电路可包括第一HEMT、第二HEMT和可变电容器。所述第一HEMT的漏极可耦接到所述第二HEMT的源极。所述可变电容器的电极可耦接到所述第一HEMT的源极，并且所述可变电容器的另一电极可耦接到所述第二HEMT的栅极。在另一方面，所述电子器件可包括管芯，所述管芯包括HEMT和可变电容器。所述可变电容器的电极可耦接到所述HEMT的源极或栅极，并且所述可变电容器的另一电极可耦接到所述管芯的外部端子。在又一方面，所述电子器件包括管芯，其中所述管芯包括可变电容器、第一二极管和第二二极管。
一种电路电子器件

[实用新型]包括温度传感器的电子器件-CN201820374897.8有效
发明人： J·R-吉塔特;赫伯特·德维利斯古威尔;戈登·M·格里芙尼亚 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括温度传感器的电子器件。所述温度传感器可包括漏极电极，所述漏极电极包括与源极指状物间隔开的漏极指状物；源极电极，所述源极电极包括与所述漏极指状物间隔开的源极指状物；以及栅极电极，所述栅极电极包括流道、栅极指状物和导电桥。在一个实施方案中，所述流道包括第一部分以及与所述第一部分间隔开的第二部分，所述栅极指状物耦接到所述流道，并且每个栅极指状物设置在一对所述源极指状物和所述漏极指状物之间。所述导电桥连接至少两个栅极指状物，其中所述导电桥沿着所述流道的所述第一部分和所述第二部分之间的导电路径。所述温度传感器的设计可提供反映所述电子器件内的晶体管的更准确的温度测量。
温度传感器栅极指状物流道漏极指状物电子器件导电桥源极指状物漏极电极源极电极栅极电极导电路径温度测量晶体管

[实用新型]半导体器件-CN201820112542.1有效
发明人： J·R-吉塔特;F·鲍温斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件，其包括具有源极和栅极的第一表面；具有漏极的第二表面；第一类型的衬底，其与漏极接触；与器件的衬底和第一表面接触的第一列，其包含介电材料；和镜像轴线，其中第一列的中心线沿镜像轴线设置，从而形成镜像的第一器件侧面和第二器件侧面。第一器件侧面包括第二类型的列，其与器件的第一列、衬底和第一表面接触；第一类型的第二列，其与衬底和第一列接触；第一类型的第三列，其与衬底和第二列接触；第一类型的第一区域，其设置成与第三列接触；第一类型的第二区域，其设置成与源极并与第一类型的第三区域接触；以及第一沟槽，其包括第二类型的第一区域，其中第二类型的第一区域与栅极区接触。
衬底第一表面第一区域半导体器件侧面源极本实用新型第二表面第二区域介电材料漏极接触区域接触轴线设置栅极区漏极