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[发明专利]RF放大器装置和制造方法-CN202310883996.4在审
发明人： B·努里;M·玛贝尔;S·什帕德;林广模;A·克姆珀施;母千里 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本公开涉及RF放大器装置和制造方法。一种晶体管放大器包括半导体层结构，该半导体层结构包括第一主表面和第二主表面以及在第一主表面上并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管包括耦接到栅极歧管的栅极指、耦接到漏极歧管的漏极指、以及源极指。半导体层结构没有通向第二主表面上的源极指的通孔。
rf 放大器装置制造方法

[发明专利]RF晶体管放大器封装-CN202180062097.7在审
发明人： B·努里;M·玛贝尔;S·什帕德;林广模;A·克姆珀施;母千里 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：RF晶体管放大器包括：具有半导体层结构的RF晶体管放大器管芯；具有相对的第一侧和第二侧的互连结构，其中，互连结构的第一侧与RF晶体管放大器管芯的表面相邻，使得互连结构和RF晶体管放大器管芯处于堆叠布置中；以及在互连结构的第一侧和/或第二侧的一个或多个电路元件。
rf 晶体管放大器封装

[发明专利]多区射频晶体管放大器-CN202180045155.5在审
发明人：林广模;B·努里;母千里;M·玛贝尔;S·什帕德;A·克姆珀施 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：RF晶体管放大器包括具有基于III族氮化物的半导体层结构以及各自都在半导体层结构的上表面上的多个栅极端子、多个漏极端子和至少一个源极端子的的RF晶体管放大器管芯，在RF晶体管放大器管芯的上表面上的互连结构，以及在RF晶体管放大器管芯与互连结构之间将栅极端子、漏极端子和源极端子电连接到互连结构的耦合元件。
射频晶体管放大器

[发明专利]RF放大器封装-CN202180033068.8在审
发明人： B·努里;M·玛贝尔;林广模;母千里 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种集成电路装置封装，包括：基板；包括附接到基板的有源电子组件的第一管芯；以及被配置为在第一管芯与外部装置之间传导电信号的封装引线。至少一个集成互连结构与基板相反地设置在第一管芯上。至少一个集成互连结构从第一管芯延伸到附接至基板和/或至少一个封装引线的相邻管芯，并提供其间的电连接。还讨论了相关装置和功率放大器电路。
rf 放大器封装

[发明专利]具有被屏蔽传输线结构的RF放大器-CN202180039745.7在审
发明人：林广模;B·努里;母千里;M·玛贝尔;S·什帕德;A·克姆珀施 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：RF晶体管放大器包括：具有半导体层结构的RF晶体管放大器管芯；在半导体层结构的上表面上的耦合元件；以及互连结构，其在耦合元件的上表面上，使得RF晶体管放大器管芯和互连结构处于堆叠布置中。耦合元件包括第一被屏蔽传输线结构。
具有屏蔽传输线结构 rf 放大器

[发明专利]具有源极、栅极和/或漏极导电通孔的基于III族氮化物的射频晶体管放大器-CN202180025995.5在审
发明人： B·努里;M·玛贝尔;母千里;林广模;M·E·沃兹;M·博卡蒂斯;J·金 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：RF晶体管放大器包括基于III族氮化物的RF晶体管放大器管芯，该管芯包括半导体层结构、连接到基于III族氮化物的RF晶体管放大器管芯的源极区域的导电源极通孔以及延伸穿过半导体层结构的附加导电通孔，该导电源极通孔延伸穿过半导体层结构。附加导电通孔的第一端连接到第一外部电路并且附加导电通孔的与第一端相反的第二端连接到第一匹配电路。
有源栅极导电基于 iii 氮化物射频晶体管放大器

[发明专利]RF放大器装置和制造方法-CN202180036844.X在审
发明人： B·努里;M·玛贝尔;S·什帕德;林广模;A·克姆珀施;母千里 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种晶体管放大器包括半导体层结构，该半导体层结构包括第一主表面和第二主表面以及在第一主表面上并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管包括耦接到栅极歧管的栅极指、耦接到漏极歧管的漏极指、以及源极指。半导体层结构没有通向第二主表面上的源极指的通孔。
rf 放大器装置制造方法

[发明专利]使用在栅极和/或漏极上具有穿过碳化硅通孔的晶体管管芯的堆叠RF电路拓扑-CN202180033178.4在审
发明人： B·努里;M·玛贝尔;K·C·里姆;母千里 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：一种射频(RF)功率放大器装置封装包括：基板和第一管芯，该第一管芯在第一管芯的底表面处附接到基板。第一管芯包括在第一管芯的与底表面相反的顶表面上的顶部栅极接触件或顶部漏极接触件。顶部栅极接触件或顶部漏极接触件中的至少一个通过相应的导电通孔结构电连接到第一管芯的底表面上的相应的底部栅极接触件或底部漏极接触件。与基板相反地在第一管芯上的集成互连结构包括在第一管芯的顶部栅极接触件或顶部漏极接触件上的第一接触焊盘以及连接到封装引线、第二管芯的接触件、阻抗匹配电路系统和/或谐波终止电路系统的至少一个第二接触焊盘。
使用栅极漏极上具有穿过碳化硅晶体管管芯堆叠 rf 电路拓扑

[发明专利]计算机辅助构造方法及构造系统-CN202180038892.2在审
发明人： S·德佩韦;B·努里;V·斯特辛 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：对于技术产品（TP）的多个构造变体（KV），作为训练数据（TD）分别读入指定相应的构造变体（KV）的训练结构数据记录（SDT）以及量化预先给定的构造标准（K1、K2、K3）的训练质量值（QT1、QT2、QT3）。贝叶斯神经网络（BNN）根据训练数据（TD）被训练，以根据结构数据记录（SD、SSD）确定相关的质量值（Q）连同相关的不确定性说明（UC）。此外，生成多个合成结构数据记录（SSD）并将其馈入到经过训练的贝叶斯神经网络（BNN）中，所述经过训练的贝叶斯神经网络（BNN）为合成结构数据记录（SSD）分别生成具有相关的不确定性说明（UC）的质量值（Q）。将所生成的不确定性说明（UC）与预先给定的可靠性说明（REL）进行比较，并且据此选择合成结构数据记录（SD）之一。然后输出所选择的结构数据记录（SD）以用于生产技术产品（TP）。
计算机辅助构造方法系统

[发明专利]具有背侧源极、栅极和/或漏极端子的基于III族氮化物的射频放大器-CN202180025646.3在审
发明人： M·E·沃兹;M·博卡蒂斯;J·金;B·努里;母千里;K·C·里姆;M·玛贝尔 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：提供了RF放大器，该RF放大器包括互连结构(270)和安装在互连结构顶部的基于III族氮化物的RF放大器管芯(210)。基于III族氮化物的RF放大器管芯包括半导体层结构(230)。多个单位单元晶体管设置在半导体层结构的上部中，并且栅极端子(222)、漏极端子(224)和源极端子(226)设置在半导体层结构的与互连结构相邻的下表面上。
具有背侧源极栅极极端基于 iii 氮化物射频放大器

[实用新型]包括相控天线阵列的装置和电子设备-CN201720443264.3有效
发明人： B·努里;蔡明儒;邵伟本;M·A·莫;欧阳月辉;M·帕斯科里尼;R·卡巴雷罗 -专利权人：苹果公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了包括相控天线阵列的装置和电子设备。本实用新型题为“具有毫米波八木天线的电子设备”。本实用新型公开了可提供有无线电路的电子设备。该无线电路可包括一个或多个天线。该天线可包括相控天线阵列，相控天线阵列中的每个相控天线阵列包括多个天线元件。相控天线阵列可由印刷电路板八木天线或其他天线形成。毫米波收发器可使用该天线来发射和接收无线信号。该天线可安装在电子设备外壳的角部处或电子设备中的其他地方。电子设备外壳可由金属形成，并可具有由电介质填充的开口。该天线可与该电介质的部分对准。印刷电路板天线可具有反射器、辐射器和导向器。该反射器、辐射器和导向器可布置成使该天线的辐射图案与该塑料填充的狭槽或该金属外壳中的其他电介质区域对准。
包括天线阵列装置电子设备

[实用新型]电子设备-CN201621122875.X有效
发明人：欧阳月辉;蒋奕;M·A·莫;M·帕斯科里尼;R·卡巴勒罗;B·努里 -专利权人：苹果公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电子设备，该电子设备包括金属外壳、非毫米波天线和至少一个毫米波天线，其中非毫米波天线具有将导电非毫米波天线结构彼此分开的电介质间隙，非毫米波天线的该电介质间隙形成毫米波天线窗，其中该至少一个毫米波天线安装于金属外壳内并通过毫米波天线窗发射和接收天线信号。
电子设备

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