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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构及监控方法-CN202010262822.2在审
发明人：汪鹏;徐建卫;徐艳 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构及监控方法，包括：单晶硅寸底以及若干个湿法腐蚀凹槽，若干个所述湿法腐蚀凹槽开设在单晶硅寸底上，所述湿法腐蚀凹槽顶面为矩形，湿法腐蚀凹槽与湿法腐蚀凹槽的错位距离设置为1um，2um，3um……,(n‑1)um，错位间距为所要监控的湿法腐蚀凹槽开口宽度的腐蚀偏差；本发明的巧妙利用了硅各向异性湿法腐蚀的特点，可以根据产品腐蚀槽开口宽度的要求，设计出相应的监控图形，在形成产品腐蚀槽的同吋形成监控结构，通过监视监控结构，从而直观、便捷地监控产品腐蚀槽的开口宽度。
一种湿法腐蚀尺寸开口宽度监控结构方法

[发明专利]降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法-CN200910057388.8无效
发明人：陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法，其在进行湿法腐蚀之前，先用离子束对薄膜表面进行轰击以在薄膜表面形成一损伤层，而后进行常规的湿法腐蚀。采用本发明的方法，通过湿法腐蚀液沿损伤层渗透，增强侧面的腐蚀速度，从而使湿法腐蚀后薄膜和衬底之间的接触角变小。
降低湿法腐蚀薄膜侧面接触角方法

[发明专利]一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法-CN201110413966.4在审
发明人：张新伟;夏长奉;范成建;苏巍 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及相关监控方法。该监控结构包括形成在单晶硅材料上的至少两个顶面为矩形的湿法腐蚀凹槽；且至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为Wu和Wl，Wu＝du/0.71，Wl＝dl/0.71，du为所要监控的湿法腐蚀深度最大值，dl为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。所述监控方法根据具有监控图形的版图对单晶硅片进行各向异性的湿法腐蚀，形成所需监控的腐蚀槽以及用于监控该腐蚀槽深度的监控结构，然后对所得监控结构进行监视，从而实现对湿法腐蚀深度的监控。本发明可以直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐蚀深度，成本较低，并可达到较高的监控精度。
一种湿法腐蚀深度监控结构方法

[实用新型]一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构-CN202020484870.1有效
发明人：汪鹏;徐建卫;徐艳 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，包括：单晶硅寸底以及若干个湿法腐蚀凹槽，若干个所述湿法腐蚀凹槽开设在单晶硅寸底上，所述湿法腐蚀凹槽顶面为矩形；本实用新型涉及硅湿法腐蚀监控技术领域,该硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，巧妙利用了硅各向异性湿法腐蚀的特点，可以根据产品腐蚀槽开口宽度的要求，设计出相应的监控图形，在形成产品腐蚀槽的同吋形成监控结构，通过监视监控结构，从而直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐开口宽度
一种湿法腐蚀尺寸开口宽度监控结构

[发明专利]湿法腐蚀装置、湿法腐蚀方法和晶圆芯片-CN201710204087.8在审
发明人：陆一峰;刘格;杨彦伟;刘胜宇;曾建武 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿法腐蚀装置、湿法腐蚀方法和晶圆芯片，其中，湿法腐蚀装置，包括壳体支架；旋转组件，设于壳体支架上，旋转组件包括可旋转的安装盘，安装盘的放置面与铅垂线平行，放置面用于放置待进行湿法腐蚀的晶圆片通过本发明的技术方案，增加了腐蚀液体的流动性，有效提高了湿法腐蚀工艺的均一性和可靠性。
湿法腐蚀装置方法芯片

[发明专利]减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法-CN201610957469.3在审
发明人：顾晶伟;陆益;李超;刘宗帅 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，依次包括底膜预处理、一次光刻、二次光刻和湿法腐蚀，使得基片进行湿法腐蚀前进行两次光刻胶保护。本发明的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，在通过不增加其它任何设备的情况下，在现有的生产条件下，提高湿法腐蚀质量。本发明在一次光刻后，湿法腐蚀前，进行第二次光刻，得到两次完全重合的光刻图形。通过两次光刻后，得到较厚的光刻胶膜，能有效阻挡腐蚀液穿透光刻胶膜，避免腐蚀液与衬底发生反应，减少钻蚀，在不降低图形分辨率的情况下，提高光刻胶膜厚度，减少湿法腐蚀后的钻蚀量。
减少光刻湿法腐蚀钻蚀工艺方法

[发明专利]一种单侧硅片湿法腐蚀设备-CN201010145227.7无效
发明人：高超群;景玉鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种单侧硅片湿法腐蚀设备，该设备包括供液装置(1)、腐蚀室(2)和余液处理装置(3)，其中，供液装置(1)将高温碱性腐蚀液喷到腐蚀室(2)中真空吸盘上旋转的硅片上，对硅片进行反应速率和表面光洁度可控的各向异性湿法腐蚀，同时硅片与腐蚀室(2)中的真空吸盘紧密贴合，将贴合面与腐蚀环境隔离，实现对单侧硅片的保护。本发明提供的单侧硅片湿法腐蚀设备，采用对真空吸盘上旋转的硅片喷淋高温碱性腐蚀液的方式进行单侧湿法腐蚀，利用真空将欲保护侧面与腐蚀环境有效隔离，解决了传统湿法腐蚀工艺中难以对硅片实施长时间单侧保护的问题。
一种硅片湿法腐蚀设备

[发明专利]碳化硅晶圆湿法腐蚀方法-CN201711444142.7有效
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，该湿法腐蚀方法包括：获取碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层，所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料；在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，所述耐腐蚀的保护膜用于在湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料；对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作。通过在与碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，可以在湿法腐蚀操作过程中保护该金属材料，使得该金属材料在湿法腐蚀过程不被破坏，从而使得腐蚀操作更便捷，并且覆盖于金属材料表面的保护膜不会对机械手臂造成污染
碳化硅湿法腐蚀方法

[发明专利]外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法-CN202211311574.1在审
发明人：庄望超;石强 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：所述外延层的去除方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有金属结构及外延层，所述金属结构位于所述外延层内；采用湿法腐蚀溶液去除所述外延层；相同条件下，所述湿法腐蚀溶液对所述外延层的去除速率大于所述湿法腐蚀溶液对所述金属结构的去除速率，且大于所述湿法腐蚀溶液对氧化物的去除速率。衬底上形成有金属结构及外延层，金属结构位于外延层内，相同条件下湿法腐蚀溶液对外延层的去除速率大于湿法腐蚀溶液对金属结构的去除速率，采用湿法腐蚀溶液去除外延层时，不会对金属结构造成严重破坏，可以改善衬底正面的外延层出现异常时
外延去除方法返工半导体工艺

[发明专利]砷化镓电池外延结构及其制备方法-CN201811425935.9在审
发明人：罗轶 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：该砷化镓电池外延结构包括衬底和设置在衬底上的牺牲层和电池层，牺牲层和电池层沿远离衬底的方向依次叠置，牺牲层包括叠层单元，叠层单元包括能被湿法腐蚀液腐蚀的膜层和夹设在膜层中的不能被湿法腐蚀液腐蚀的量子点层该砷化镓电池外延结构，通过设置中间夹层为不能被湿法腐蚀液腐蚀的砷化物量子点层的三明治结构的牺牲层，在湿法腐蚀剥离衬底时，砷化物量子点能通过搅拌腐蚀液整体剥离，以在原来量子点所在位置留下孔洞，孔洞能使腐蚀液与附近未腐蚀的砷化铝层接触面积增大，提高牺牲层在湿法腐蚀过程中的腐蚀速率。
砷化镓电池外延结构及其制备方法

[实用新型]砷化镓电池外延结构-CN201821965920.7有效
发明人：罗轶 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：该砷化镓电池外延结构包括衬底和设置在衬底上的牺牲层和电池层，牺牲层和电池层沿远离衬底的方向依次叠置，牺牲层包括叠层单元，叠层单元包括能被湿法腐蚀液腐蚀的膜层和夹设在膜层中的不能被湿法腐蚀液腐蚀的量子点层该砷化镓电池外延结构，通过设置中间夹层为不能被湿法腐蚀液腐蚀的砷化物量子点层的三明治结构的牺牲层，在湿法腐蚀剥离衬底时，砷化物量子点能通过搅拌腐蚀液整体剥离，以在原来量子点所在位置留下孔洞，孔洞能使腐蚀液与附近未腐蚀的砷化铝层接触面积增大，提高牺牲层在湿法腐蚀过程中的腐蚀速率。
湿法腐蚀牺牲层砷化镓电池外延结构腐蚀衬底孔洞量子点层电池层腐蚀液量子点砷化物叠层膜层本实用新型三明治结构面积增大砷化铝层中间夹层剥离衬叠置剥离

[发明专利]一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法-CN201810350030.3在审
发明人：杨芳;张大成;郭俊敏;姜博岩;李婷;罗葵;王玮;范泽新 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法，其步骤包括：准备待腐蚀的硅片；采用ALD技术在所述硅片表面上淀积一层硅湿法腐蚀掩膜；对所述掩膜进行减薄，直至露出下方的硅片表面；利用湿法腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀本发明利用ALD技术制备硅湿法腐蚀掩膜，淀积温度低，残余应力小，制备的掩膜材质致密，保形覆盖性好，抗腐蚀时间长，可以实现对带有金属、不能经受高温或应力敏感、有高深宽比结构或可动结构的硅片的腐蚀保护。
掩膜腐蚀硅湿法硅片硅片表面淀积制备致密保形覆盖残余应力腐蚀保护高深宽比可动结构湿法腐蚀抗腐蚀微结构减薄金属敏感

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201410720639.7有效
发明人：张先明;丁敬秀;金滕滕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体器件的制作方法，采用多次湿法腐蚀对金层进行图形化，湿法腐蚀溶液为包含KI与I2的水溶液，每次湿法腐蚀的时间小于2分钟，每次湿法腐蚀完之后采用去离子水冲洗。如此，每次腐蚀产生的副产物能得以及时剥离，避免一次长时间腐蚀金层产生的刻蚀副产物包覆该金层造成该金层的进一步的腐蚀速率减缓，同时避免了不同区域腐蚀速率不同造成金残留与形成的多个金图案块存在底切量均匀性不高问题
半导体器件制作方法

[发明专利]一种砷化镓HBT器件隔离台面及其制作方法-CN202211310679.5在审
发明人：陈岩;邱子阳 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓HBT器件隔离台面及其制作方法，其步骤如下：准备待进行隔离制作的晶圆结构；采用光刻胶包覆有源区；湿法腐蚀钝化介质层；利用去离子水洗净后，湿法腐蚀InGaP停止层外延；利用去离子水洗净后，湿法腐蚀亚集电极层外延，并在亚集电极层外延腐蚀完全后，进一步腐蚀部分衬底，同时继续腐蚀光刻胶下方的亚集电极层外延，使其边部形成斜坡；打胶处理后，湿法腐蚀位于光刻胶下方、斜坡上方的InGaP停止层外延；利用去离子水洗净后，湿法腐蚀位于光刻胶下方、斜坡上方的钝化介质层，完成隔离台面的制作。本发明可以形成沿着GaAs晶向的腐蚀斜坡，在台面上下实现良好的金属互联。
一种砷化镓 hbt 器件隔离台面及其制作方法

[发明专利]一种纳米图形底衬的制作方法-CN201410615131.0有效
发明人：周雅慧;郭明灿;郭文平;许南发 -专利权人：山东元旭光电有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米图形底衬的制作方法包括以下步骤在衬底上沉积一层SiO2膜；在SiO2膜上涂布一层光刻胶；采用晶格光栅相干光刻的方法，光刻胶在激光照射下得到均匀分布的光掩膜图形阵列；采用湿法腐蚀将所述光掩膜图形阵列阵转移到SiO2膜上，所述湿法腐蚀使所述光掩膜图形的棱角平滑；采用湿法腐蚀在Al2O3层腐蚀所述光掩膜图形，在湿法腐蚀过程中延晶相进行刻蚀，所述光掩膜图形表面的Al2O3结构保持原晶格结构；去除SiO2膜，再进行湿法腐蚀，经过2-5次湿法腐蚀后得到多层面Al2O3锥形结构。
一种纳米图形制作方法

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