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[发明专利]IC2微米厚铝刻蚀工艺方法-CN201310185456.5有效
发明人：包琴凤;朱杰 -专利权人：扬州晶新微电子有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：IC2微米厚铝刻蚀工艺方法，属于半导体集成电路器件工艺制造的厚铝层刻蚀的技术领域。先采用高定向性的用干法等离子刻蚀机和刻蚀技术刻蚀厚铝层的大部分厚度，再采用后续的喷雾式湿法刻蚀以完成对厚铝层刻蚀的线条分辨率、彻底性、边缘的整齐性修饰。本发明工艺方法先进合理，使得厚铝层的刻蚀结果线条尺寸、清晰度和侧墙的整齐达到要求且完全没有残留物。
ic2 微米刻蚀工艺方法

[发明专利]一种刻蚀浆料及其制备方法和应用以及太阳能电池的制造方法-CN201910500983.8有效
发明人：蔡锦云;符维强;李步龙;许丹杰;陈泗实 -专利权人：厦门市豪尔新材料股份有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种刻蚀浆料及其制备方法和应用以及太阳能电池的制造方法。所述刻蚀浆料含有水性基体树脂、水性增稠树脂、填料和酸液，所述水性基体树脂在150～170℃下高温烘烤之后基本不会变稀且具有耐酸性。与激光刻蚀对比，本发明采用特定的刻蚀浆料进行刻蚀开槽的速度更快，不会损伤非晶硅基材；与光刻胶‑湿法刻蚀相比，本发明采用特定的刻蚀浆料进行刻蚀开槽能够以更低的成本实现相当的刻蚀效果；与遮蔽油墨‑湿法刻蚀相比，本发明采用特定的刻蚀浆料进行刻蚀开槽的工艺刻蚀浆料残留更少，工艺更为简单(工序减少了一半)、成本更低。
一种刻蚀浆料及其制备方法应用以及太阳能电池制造

[发明专利]阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板-CN202210508311.3在审
发明人：雍万飞;李宁宁;吴文兵;詹仁宏;卓恩宗;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板，涉及液晶显示技术领域，其中，该方法包括：先在衬底基板上依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层，然后在第二金属层上形成光刻胶层，对第二金属层、欧姆接触层和有源层依次进行第一次湿法刻蚀、第一次干法刻蚀、第二次湿法刻蚀和第二次干法刻蚀，形成沟道区，最后去除光刻胶层，在第二金属层上形成钝化层，在钝化层上形成像素电极层，其中，在进行目标干法刻蚀前，采用三氟化氮与氧气的混合气体对所述光刻胶层进行预处理，目标干法刻蚀包括第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀。本申请提供的技术方案能够减少阵列基板的铜工艺制作工程中产生的金属硫化物残留。
阵列制备方法显示面板

[实用新型]一种湿法刻蚀装置-CN201520564492.7有效
发明人：邹帅;王栩生;邢国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种湿法刻蚀装置，包括内刻蚀槽和外循环槽，所述外循环槽环设于所述内刻蚀槽的外周壁，所述内刻蚀槽中放置有硅片承载盒，所述内刻蚀槽的顶部低于所述外循环槽的顶部，所述外循环槽的顶部设有密封槽盖；湿法刻蚀装置还包括臭氧发生器，所述内刻蚀槽的底部入口连接所述臭氧发生器的溶液出口，所述外循环槽的底部出口连接所述臭氧发生器的溶液入口；其很好地与臭氧工艺匹配，避免臭氧泄露对人体造成伤害。
一种湿法刻蚀装置

[发明专利]一种基于ALD沉积Al2-CN202010384277.4在审
发明人：谢浩;胡淑红;林虹宇;黄田田;陈鑫;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ALD沉积Al2O3作掩膜的超声湿法刻蚀方法。本方法步骤如下：第一步，使用原子沉积技术(ALD)在Ⅲ‑Ⅴ族合金半导体器件样品表面沉积Al2O3薄膜；第二步，采用光刻:Sub>台面图案掩膜；第三步，在超声清洗机中边超声边进行湿法刻蚀，刻蚀出所需台面；第四步，使用BOE腐蚀液去除Al2O32O3替代光刻胶作掩膜，防止因湿法刻蚀时间过长或超声振动而发生脱胶的现象；另一方面，边超声边进行湿法腐蚀，可以防止导电残留物富集在台阶侧面、形成导电通道，有效地降低器件暗电流密度、提高器件性能。
一种基于 ald 沉积 al base sub

[发明专利]一种三维存储器的制造方法-CN201910857639.4有效
发明人：苏界;顾立勋;徐融;孙文斌;罗佳明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器的制造方法，具体包括：提供衬底，衬底上的堆叠层中具有沿衬底高度方向贯穿整个堆叠层的沟道通孔，沟道通孔的底部形成有硅外延结构，沟道通孔的侧壁和硅外延结构的上表面依次形成有第一氧化层、氮化层、第二氧化层和保护层；刻蚀硅外延结构上表面上的保护层，以形成暴露第二氧化层的缺口；经由缺口采用第一湿法工艺刻蚀第二氧化层；采用第二湿法工艺刻蚀氮化层；以及采用第三湿法工艺刻蚀第一氧化层，以暴露硅外延结构，其中第一湿法工艺和第三湿法工艺采用相同的腐蚀剂，不同于第二湿法工艺采用的腐蚀剂
一种三维存储器制造方法

[发明专利]一种带有等离子体清洗的湿法刻蚀装置-CN202210326399.7在审
发明人：刘丹;方亮;黄中浩;刘毅;林鸿涛;吴旭;张淑芳;吴芳 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有等离子体清洗的湿法刻蚀装置，所述湿法刻蚀装置包括等离子体清洗腔和刻蚀腔；所述湿法刻蚀装置还包括涡流管、冷却风刀Ⅰ、冷却风刀Ⅱ、加热风刀Ⅰ和加热风刀Ⅱ；所述涡流管的冷气管分别与冷却风刀本发明通过引入涡流管形成特殊的气路装置，该装置可以将气体分离成冷气体和热气体，冷气体对基板和等离子体清洗腔进行降温，避免高压等离子体对Al、Cu、ITO等膜层的损伤，又可以充分去除有机物避免刻蚀残留，还能抑制挥发出的刻蚀蒸汽对膜层的腐蚀同时，该装置分离出的热气体可以确保刻蚀腔室温度分布均匀，提升刻蚀均一性。
一种带有等离子体清洗湿法刻蚀装置

[发明专利]一种硅湿法刻蚀工艺-CN200510019052.4无效
发明人：史铁林;聂磊;廖广兰;林晓辉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅湿法刻蚀工艺。50nm～600nm；②在Cr掩膜上，利用光刻工艺制备图形；③在(NH₄)₂Ce(NO₃)₅溶液中对Cr掩模层进行刻蚀，(NH₄)₂Ce(NO₃)₅溶液的成分配比为：每100ml的刻蚀液中，硝酸铈铵为：5～20克，高氯酸为：1.5～8毫升，余量为水；④使用KOH溶液对刻蚀后的硅片进行湿法刻蚀；⑤使用(NH₄)₂Ce(NO₃)₅刻蚀液，去除硅片上的由于Cr与硅材料结合紧密，因此能在湿法刻蚀时保证足够的牢固性，并且Cr掩模在KOH刻蚀液中的选择性非常好。本发明具有毒性小，加工简单的特点。
一种湿法刻蚀工艺

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202111319604.9在审
发明人：杨天鑫 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括以下步骤：形成光阻层于绝缘层上并图形化；对绝缘层进行第一次湿法刻蚀以得到第一凹槽；对绝缘层及衬底进行干法刻蚀以得到第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽的交界处构成第一台阶；去除光阻层；对绝缘层进行第二次湿法刻蚀以使第二凹槽位于绝缘层中的部分的宽度大于位于衬底中的部分的宽度，在绝缘层与衬底的交界处构成第二台阶；形成扩散阻挡层于第一、第二凹槽的内壁。本发明通过第一次湿法刻蚀、干法刻蚀和第二次湿法刻蚀的组合刻蚀工艺形成侧壁呈阶梯状的接触孔形貌，使扩散阻挡层材料在接触孔的侧壁上更容易停留且更连续均匀。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]高速电吸收调制器的制作方法-CN03109215.2无效
发明人：胡小华;王宝军;王圩;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-04-03 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种高速率电吸收调制器的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)采用铟镓砷磷应变多量子阱结构作为调制器的吸收有源区；(2)采用干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的三步工艺同时腐蚀出脊波导结构和压焊电极沟；(3)通过区域选择湿法腐蚀方法刻蚀压焊电极深沟；(4)采用氦离注入压焊电极深沟的技术来增加高电阻层厚度；(5)压焊电极沟填埋厚层聚酰亚胺作为电极垫层；(6)通过两步曝光、显影技术和控制显影时间的方法制作自对准的脊波导电极条
高速吸收调制器制作方法

[发明专利]一种刻蚀方法-CN200510027554.1无效
发明人：吕煜坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法，包括如下步骤：首先进行干法刻蚀，用单色光斜射到硅片表面，利用氧化层上表面与下表面的反射光线产生干涉光程差，随时计算出氧化膜的厚度，当氧化层的厚度刚好使等离子轰击不到硅衬底时，停止干法刻蚀；然后进行湿法刻蚀，直到将剩余的氧化膜全部除去。本发明利用将干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的方式，有效的降低了这两种方法各自缺陷对刻蚀效果的影响，使刻蚀后的硅片既有精确的线宽，而且硅衬底也不受损伤，从而提高了刻蚀的质量。
一种刻蚀方法

[发明专利]湿法刻蚀装置及其刻蚀方法-CN201410351266.0有效
发明人：常建宇 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种湿法刻蚀装置，包括刻蚀槽(110)、设置在刻蚀槽(110)之内的多根滚轮(120)、浸泡槽(130)及升降器(140)，多根滚轮(120)用于承载待刻蚀的基板(150)，浸泡槽(130)设置在刻蚀槽(110)之内，并位于滚轮(120)之下，升降器(140)设置在浸泡槽(130)的底板(131)的下表面上，升降器(140)推动浸泡槽(130)上升或下降，以使浸泡槽(130)中的刻蚀液浸没或脱离待刻蚀的基板本发明在利用多根滚轮将基板传送至刻蚀槽中的同时，可向浸泡槽中注满新的刻蚀液，利于缩短浸泡刻蚀时间。此外，本发明将浸泡槽内已使用的刻蚀液完全排出，从而避免由于浸泡槽内的刻蚀液的置换能力不足，长时间积累使得刻蚀液变质的现象。
湿法刻蚀装置及其方法

[发明专利]湿法刻蚀装置及其刻蚀方法-CN201210496197.3有效
发明人：邓镭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种湿法刻蚀装置，包括：刻蚀槽；膜厚测试装置，采用光学测量模式，并可对位于所述刻蚀槽中的待刻蚀晶圆之指定待测位置进行定位，且对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置的膜厚在刻蚀过程中进行实时监控；刻蚀控制装置，具有预定设置的预设膜层厚度，并可将所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置进行监控的实际膜厚和所述预定设置的预设膜层厚度进行比较。本发明所述的湿法刻蚀装置克服了由于刻蚀溶液溶度变化带来的刻蚀速率变化的影响，以及前工艺带来的晶圆之间膜厚不一致的影响，使每批次晶圆的刻蚀后膜厚都与设定值一致，从而达到精确控制刻蚀量的目的并且可以改善不同批次的晶圆之间的刻蚀量的不稳定性
湿法刻蚀装置及其方法

[发明专利]一种真空低温湿法刻蚀方法-CN201410319809.0在审
发明人：兰育辉;陈宏 -专利权人：张家港市超声电气有限公司;兰育辉;陈宏
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光二极管(LD)及光电二极管(PD)和发光二极管（LED）芯片制造领域,尤其涉及一种真空低温湿法刻蚀设备及方法，该方法包括真空芯片表面形态预处理工艺、真空芯片表面溶剂浸透预处理工艺、真空低温化学湿法刻蚀工艺该方法解决目前由于控制参数的唯一性,虽然在线宽条件能够达到工艺要求下,产品坡度角在目前的刻蚀方法下仍无法达到产品工艺要求,从而降低了人工湿法刻蚀方法的工序控制能力,増加了产品出现不良品的概率。
一种真空低温湿法刻蚀方法

[发明专利]改善浅沟槽隔离顶部倒角圆滑性的湿法工艺方法-CN201010027217.3有效
发明人：杨华;陈昊瑜;黄奕仙;姚嫦娲 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善浅沟槽隔离顶部倒角圆滑性的湿法工艺方法，包括如下步骤：(1)浅沟槽刻蚀以及去除光刻胶；(2)氮化膜回刻以及氢氟酸清洗；(3)湿法APM药液处理调整浅沟槽隔离顶部倒角的形貌；(4)在浅沟槽内成长衬底氧化膜本发明在氮化膜回刻后增加一步湿法APM药液处理，通过对硅的微刻蚀来调整倒角的形貌，同时避免对衬底氧化膜的过度刻蚀。由于在倒角处从上面和侧面两个方向刻蚀，故可增加STI顶部倒角的圆滑性，避免器件使用可靠性受到影响。
改善沟槽隔离顶部倒角圆滑湿法工艺方法