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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非晶硅薄膜成膜方法-CN202011202115.0在审
发明人：王剑敏;葛哲玮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，在非晶硅薄膜成膜之前，先淀积一层采用低淀积速率形成的一层等离子增强氧化膜层，然后再淀积非晶硅薄膜层，此方法形成的非晶硅薄膜表面粗糙度低，平整度好，大幅改善非晶硅成膜质量
非晶硅薄膜方法

[发明专利]一种用于晶硅太阳电池的复合钝化减反膜及其制备方法-CN200810223718.1无效
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所;欧贝黎新能源科技股份有限公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：一种用于晶硅太阳电池的复合钝化减反膜，其特征在于所述复合钝化减反膜由一层非晶硅层(2)和一层二氧化钛层(3)构成，所述非晶硅层(2)直接淀积在太阳电池(1)的迎光面上起到表面钝化作用，所述二氧化钛层(3)淀积在所述非晶硅层(2)上，起到减少电池光反射的作用。制备本发明钝化减反膜的方法，首先在太阳电池(1)上采用化学气相淀积(PECVD)工艺淀积制备非晶硅层(2)，然后在所述非晶硅层(2)上采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺淀积二氧化钛层，或者在所述非晶硅层(2)上采用热喷涂工艺淀积二氧化钛层(3)。
一种用于太阳电池复合钝化减反膜及其制备方法

[发明专利]一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅-CN201210510352.2有效
发明人：李春龙;李俊峰;闫江;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和一种后栅工艺假栅，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层，对所述硬掩膜层进行微缩，使微缩后的硬掩膜层宽度小于等于22nm；以所述微缩后的硬掩膜层为标准，对所述顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述硬掩膜层和顶层非晶硅。
一种工艺制造方法

[发明专利]一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅-CN201210509428.X有效
发明人：李春龙;李俊峰;闫江;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶线条，并对所形成的光刻胶线条进行微缩，使微缩后的光刻胶线条宽度小于等于22nm；以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。
一种工艺制造方法

[发明专利]一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅-CN201210510130.0有效
发明人：李春龙;李俊峰;闫江;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成宽度为32nm~45nm的光刻胶线条；以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。
一种工艺制造方法

[发明专利]半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法-CN02121628.2有效
发明人：高山彻;秋元健吾 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：就涉及用于在衬底上具有使用薄膜晶体管的集成电路的半导体器件的制造方法的技术来说,问题是提供形成具有畸变的非晶硅的条件。在使用溅射法对非晶硅膜的淀积过程中,给出了15－25kHz的频率和0.5－3kW的淀积功率的条件。这可以充足地在非晶硅膜中包含10×1020/cm3或更多的Ar,这样就使得形成具有畸变的非晶硅膜成为可能。
半导体半导体器件用于制造方法

[发明专利]深槽隔离非晶硅的制备方法-CN200710094108.1有效
发明人：王剑敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深槽隔离非晶硅的制备方法，包括在淀积设备中连续进行如下步骤：在深槽上淀积第一层非晶硅；用氮气吹扫清洗气体管路和所述淀积设备，后在所述设备内通入氧气和氩气的混合气体吹扫，使第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅；在二氧化硅上淀积第二层非晶硅，完成所述深槽的填充。本发明的方法通过在第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅，缓解第二层非晶硅淀积时所带来的应力，且整个过程在同一淀积设备中连续进行，故整个处理时间相对较短，提高深槽隔离非晶硅工艺的生产能力。本发明的方法适用于半导体制备中深槽隔离非晶硅填充工艺中。
隔离非晶硅制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510073963.5无效
发明人：小松宪代;相宗史记;广田俊幸 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成硅晶核、淀积第一非晶硅、淀积第二非晶硅、以及通过使晶核以固相方式生长而使第一和第二非晶硅晶化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于SON结构的压阻式加速度传感器的制作方法-CN201910427434.2有效
发明人：汪祖民 -专利权人：龙微科技无锡有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：该方法包括在硅衬底上淀积外延硅锗层；在硅锗层制作空腔范围图形和腐蚀阻挡沟槽；在腐蚀阻挡沟槽内形成SiO2氧化层；淀积非晶硅层得到敏感膜；在非晶硅层制作腐蚀通孔；淀积形成二氧化硅层和氮化硅层；在硅锗层形成矩形腐蚀空腔；去除非晶硅层的二氧化硅层和氮化硅层；向非晶硅层注入P+离子和P‑离子形成力敏电阻；淀积氧化硅介质层；在氧化硅介质层表面形成金属导线和金属PAD点；对应矩形腐蚀孔腔的两个长边的内侧形成敏感膜释放结构；可以明显降低压阻式加速度传感器在测量过程中的阻尼效应；达到了提高压阻式加速度传感器的测量精度的效果。
基于 son 结构压阻式加速度传感器制作方法

[发明专利]制作半导体存贮器件的电容器下电极的方法-CN97118523.9无效
发明人：南升熙;金荣善;朴泳旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-09-12 - 公布日： 1999-03-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：在衬底上形成绝缘膜图形,具有将衬底的预定区域暴露的接触孔。在所形成膜的全表面淀积掺杂非晶硅膜。下电极图形通过光刻成形非晶硅膜而形成。通过清洗从所形成膜去除沾污和表面氧化膜。非晶硅薄层通过将清洗过的所形成膜装入保持高真空的处理室并以预定时间向处理室提供预定气体而淀积到下电极图形的表面上。在非晶硅薄层上许多硅单晶核形成并生长,进而形成具有粗糙表面的下电极。
制作半导体存贮器件电容器电极方法

[发明专利]等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构-CN200710018519.2有效
发明人：吴振宇;杨银堂;汪家友;李跃进 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜，利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体，并在衬底上形成介电常数低、热稳定性好的氟化非晶碳薄膜，具体过程为：衬底清洗并放入工艺室；对工艺室抽真空；通入混合气体；在衬底上淀积氟化非晶碳薄膜；净化工艺室。其中，在淀积氟化非晶碳膜前后，可在同一设备中选择淀积碳化硅膜粘附薄层和氮化硅膜覆盖薄层形成多层低介电常数介质结构。本发明具有热稳定性好、介电常数较低、淀积速率高的优点，可用于集成电路互连或者某些光学器件的制造。
等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜方法结构

[发明专利]非晶硅热敏薄膜及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法-CN201010572668.5无效
发明人：姚日英;王祝山 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中，PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷，提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法一种非晶硅热敏薄膜的制备方法，该方法包括：将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中，对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积；对淀积后的本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。
非晶硅热敏薄膜制冷非晶硅微测辐射热制备方法

[发明专利]制造非晶金属氧化物膜的方法以及制造具有非晶金属氧化物膜的电容元件和半导体器件的方法-CN03138457.9无效
发明人：足立研;堀内悟志;幸本彻哉 -专利权人：索尼公司;CVR株式会社
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：进行一种用于淀积非晶金属氧化膜，例如非晶氧化钽膜的膜淀积工艺以及一种用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理工艺，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非晶金属氧化物膜的非晶状态另外，由于可以淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜，非晶金属氧化膜可以有很高的可靠性并能低廉地生产。通过低温处理可低廉地制造膜特性极好的非晶氧化钽膜。同样，当制造具有非晶金属氧化膜的电容元件和半导体器件时，可以通过低温处理淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜并且可制造高可靠性的电容元件和半导体器件。
制造金属氧化物方法以及具有电容元件半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN95108531.X无效
发明人：牧田直树;船井尚;高山彻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普公司
申请日： 1995-06-15 - 公布日： 2002-01-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括衬底，其上面具有由减压化学汽相淀积制备的非晶硅膜，其特征在于利用结晶硅膜来设置薄膜晶体管，而该结晶硅膜是通过在含有选择地引入的金属元素的区域周围，平行于衬底表面进行晶体生长而获得的，通过选择地引入金属元素而获得的区域能够加速非晶硅膜的晶化，以后对该区域加热。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种金属纳米晶存储器栅叠层的制备方法-CN201010242584.5无效
发明人：陈红兵;丁士进 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种金属纳米晶存储器栅叠层的制备方法。具体步骤包括：在单晶硅衬底上淀积一层隧穿层；在隧穿层上旋涂一层聚酰亚胺膜；将阳极氧化铝模板放置在聚酰亚胺膜上，作为刻蚀掩膜；对聚酰亚胺膜进行反应离子刻蚀，形成聚酰亚胺掩膜；去除阳极氧化铝模板；在聚酰亚胺掩膜中淀积一层超薄金属；采用lift-off技术去除聚酰亚胺掩膜；淀积一层阻挡层；淀积栅电极。本发明以阳极氧化铝作为非光刻掩模板，所形成的纳米晶阵列具有很高的密度，而且大小分布均匀。
一种金属纳米存储器栅叠层制备方法

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