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- [发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法-CN201680087741.5有效
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杨喜超;张臣雄
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华为技术有限公司
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2016-11-17
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2022-04-22
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H01L29/739
- 本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底上通过STI工艺定义有源区域，并在有源区域中间表面制作牺牲栅，在一侧进行离子注入形成线遂穿结的离子掺杂部分，然后再制作牺牲栅隔离墙以保护上述离子掺杂部分，然后制作其他的隔离墙以及再次进行离子注入形成源区和漏区，漏区的离子浓度低于或者等于离子掺杂部分的离子浓度，再移除牺牲栅，然后依次沉积栅介质层、功函数层和栅导电层，制作源电极和漏电极形成隧穿场效应晶体管，通过该种方式可以精确定义线遂穿结的面积，能够保证晶圆上器件性能一致，有效提高工艺稳定性。
- 场效应晶体管及其制造方法
- [发明专利]一种警示装置-CN201310541810.3无效
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林俊佑
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苏州天趣信息科技有限公司
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2013-11-06
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2014-09-24
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G01N33/00
- 本发明涉及一种警示装置及其方法，应用于瓦斯装置，包括：一设定单元用以设定一预设气体的标准浓度值，定义为M1；一气体传感器用以收集周遭的气体；一警示单元以及一计算单元；其特征在于：所述计算单元判断所述气体传感器收集到的所述周遭的气体是否包含所述预设气体，若是，所述计算单元计算所述预设气体的浓度值，定义为M0；接续，所述计算单元计算M1与M0之关系，若M1小于M0，则所述计算单元发出一警示讯号给所述警示单元，所述警示单元发出警示提醒。
- 一种警示装置
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