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[实用新型]一种测试结构-CN201420226868.9有效
发明人：冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种测试结构，所述测试结构包括第一和第二梳状金属结构，所述梳状金属结构包括金属梳柄、多个金属梳齿及多个二极管。第一梳状金属结构中二极管的阳极连接金属梳柄，阴极连接金属梳齿。第二梳状金属结构中二极管的阴极连接金属梳柄，阳极连接金属梳齿。金属梳齿通过连接金属实现串联连接。第一和第二梳状金属结构通过第三二极管连接，第三二极管的阳极连接第二梳状金属结构，阴极连接第一梳状金属结构；所述两个金属梳齿相互交叉设置。本实用新型的测试结构能兼顾绝对击穿电压和TDDB的测试以及金属连线断接的测试，复用一个测试结构，完成不同测试目的，同时节省测试结构占用的版图面积，提高晶圆的利用率。
一种测试结构

[实用新型]电迁移测试结构-CN201621360987.9有效
发明人：单文光;宋永梁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电迁移测试结构，包括待测金属结构，具有第一金属端、第二金属端；测试端子，包括第一测试端、第二测试端、第三测试端、第四测试端；测试保护单元，包括第一串联结构，所述第一串联结构包括一个二极管以及一个与所述二极管串联的多晶硅熔线；其中，所述第一测试端经由所述测试保护单元与所述第一金属端相连接，所述第三测试端与所述第一金属端相连接，所述第二测试端、所述第四测试端均与所述第二金属端相连接。通过上述方案的实施，降低了电迁移测试的成本以及测试的复杂度，不影响测试结果的精确度，其测试结构制造工艺简单。
迁移测试结构

[实用新型]一种指针式测电器-CN201822256256.5有效
发明人：徐斌;吴秋麒 -专利权人：苏州立人听力器材有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G01R19/145 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种指针式测电器，包括壳体，壳体上设置有指针式的测试电表、电池测试区、电池存储区、测试压板，壳体内部设置有测试电路；电池测试区包括多个测试槽，测试槽内上下两侧分别设置有金属簧片和金属触点，金属簧片和金属触点分别与测试电路的测试端连接；壳体的顶部设置有测试压槽，且每个测试槽顶部与测试压槽连通，测试压槽顶部活动嵌接有测试压板，每个测试槽金属簧片或金属触点固定设置在所述测试压板底面；电池存储区包括设置在壳体上的存储仓
测试槽壳体测试压板电池存储金属触点金属簧片存储仓指针式压槽测试本实用新型测试电路电池测试测电器便于携带顶部设置多个电池固定设置活动嵌接壳体内部内部设置上下两侧外部设置测试端容纳槽盖板底面电表连通

[发明专利]测试结构和测试方法-CN201710620066.4有效
发明人：陈福刚;唐丽贤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试结构和测试方法，所述测试结构包括N层金属层，N为大于或等于2的整数，所述N层金属层包括至少一层具有第一金属线的第一类金属层和至少一层具有两条以上间隔排列的第二金属线的第二类金属层；位于相邻的两层金属层之间以及同层相邻的两条第二金属线之间的金属层间介质层；用于连接相邻的两层金属层的金属通孔；与所述第二类金属层下方的第一类金属层位于同一层，且所述测试焊垫位于所述第一金属线的两端并电连接的测试焊垫。所述测试方法通过监测所述测试焊垫连接的第一金属层的电性参数，便可有效判断所述金属层间介质层是否发生断裂的现象。所述测试结构简单，布局容易；所述测试方法操作简易，可控性高。
测试结构方法

[发明专利]用于检测金属连线隆起的WAT测试装置、制备方法及测试方法-CN201910057319.0有效
发明人：王卉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种用于检测金属连线隆起的WAT测试装置、制备方法及测量方法。所述用于检测金属连线隆起的WAT测试装置，包括：前金属层和后金属层，所述前金属层具有至少一预设线宽的金属线，并在所述前金属层和所述后金属层之间设置层间介质层，且所述前金属层之预设线宽的金属线与第一测试垫电连接，所述后金属层与第二测试垫电连接。本发明所述用于检测金属连线隆起的WAT测试装置可以有效监测金属连线隆起对金属线宽的依赖性，并获得关键的金属线宽，为版图规则提供依据。同时，所述用于检测金属连线隆起的WAT测试装置亦可监测层间介质层的可靠性，如TDDB等。
用于检测金属连线隆起 wat 测试装置制备方法

[实用新型]一种层间金属可靠性测试结构-CN201420799775.5有效
发明人：王明;许晓锋;张沥文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种层间金属可靠性测试结构，包括一对金属焊盘及设置于其之间的至少一条测试金属线；所述测试金属线包括下层、上层及顶层金属线；所述测试金属线为折线型，且包括至少两个拐角；上层、顶层金属线之间通过设置于所述拐角处的金属插塞连接，下层、上层金属线之间无金属插塞；下层、上层金属线分别与两个金属焊盘中的一个连接。本实用新型中，下层金属线与上层金属线之间无金属插塞，从而可以通过金属焊盘测试下层金属线与上层金属线之间的击穿电压，判断顶层金属插塞是否偏移；所述测试金属线为折线型，且包括至少两个拐角，金属插塞设置于拐角处，且底层金属线的线宽大于所述上层金属线的线宽，可以提高测试效率与精度。
一种金属可靠性测试结构

[发明专利]测量金属通孔电阻的集成电路测试器件及其制造方法-CN200910045824.X有效
发明人：廖淼 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量多层结构中的金属通孔电阻的集成电路测试器件，该测试器件为四端开尔文结构，包括源端正极、源端负极、测试端正极、测试端负极和待测金属通孔，源端正极包括N个依次堆叠的金属层，N为大于等于3的自然数，相邻金属层之间通过金属通孔连接；所述源端正极的最底层金属层延伸部分向上依次堆叠N-2个桥接金属层，所述最底层金属层与最接近底层金属层的桥接金属层通过金属通孔连接，相邻桥接金属层通过金属通孔连接，最上层桥接金属层与连接源端负极的金属层通过被测金属通孔连接；测试端正极连接所述最上层桥接金属层，测试端负极连接所述最下层桥接金属层。本发明还公开了上述测试器件的制造方法。
测量金属电阻集成电路测试器件及其制造方法

[发明专利]射频电路中电感的短路测试装置及短路测试方法-CN201010110791.5有效
发明人：何丹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：一种射频电路中电感的短路测试装置及短路测试方法：第一金属连线区本体包括第一本体、位于第一本体一侧中部的第一接地金属、及分别位于第一本体另一侧两端的两个第一金属测试衬垫；第二金属连线区本体与第一金属连线区本体结构对称，包括第二本体、第二接地金属、及两个第二金属测试衬垫；分别位于第一金属测试衬垫和第二金属测试衬垫之间的两个第三金属测试衬垫；连接结构对称连接第一金属连线区本体和第二金属连线区本体；两个第三金属测试衬垫和连接结构之间分别通过两条引线相连接；连接结构的长度和宽度使得连接结构的短路寄生电阻和短路寄生电感小于影响测试电感准确性的电特性参数值。本发明精确的测量测试装置的短路寄生电阻值和短路寄生电感值。
射频电路电感短路测试装置方法

[发明专利]硅通孔检测结构及检测方法-CN201110459415.1有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种硅通孔检测结构及检测方法，所述硅通孔检测结构包括：半导体基底，位于所述半导体基底内的第一硅通孔和与所述第一硅通孔相对设置的第二硅通孔；位于所述第一硅通孔和部分半导体基底上方的至少一层第一测试金属层，位于所述第二硅通孔和部分半导体基底上方的至少一层第二测试金属层，所述第一测试金属层和第二测试金属层位于不同层且间隔设置，位于相邻层的第一测试金属层和第二测试金属层之间具有部分重叠区域。通过测试所述第一测试金属层和第二测试金属层之间的击穿电压、电容，可以检测出硅通孔表面是否存在铜突起。
硅通孔检测结构方法

[发明专利]显示面板及其测试端子-CN202111057133.9有效
发明人：王立苗;李荣荣 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其测试端子，所述显示面板包括测试走线，所述测试端子连接于所述测试走线，所述测试端子包括：金属层、绝缘层和导电层，所述金属层包括第一金属衬垫、第二金属衬垫、第一连接线和第二第二连接线，所述第一金属衬垫与所述第二金属衬垫间隔设置，所述第一金属衬垫通过所述第一连接线连接所述测试走线，所述第二金属衬垫通过所述第二连接线连接所述测试走线，其中，所述第一连接线、第二连接线与所述测试走线的走线方向不同本申请通过上述方案以提高显示面板的测试端子的抗腐蚀性能。
显示面板及其测试端子

[实用新型]一种测试晶圆及其测试系统-CN202223520092.5有效
发明人：程冰;范勤良;龙欣江;梅万元 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种测试晶圆及其测试系统，该测试晶圆包括晶圆光片，在晶圆光片上溅射有钛金属层、铜金属层，铜金属层和钛金属层通过间隙隔离带分隔为若干等份，各间隙隔离带汇聚于一点，若干份铜金属层和钛金属层形成独立的测试区，铜金属层上涂有光刻胶层，各测试区上的光刻胶层设测量点，测量点处暴露出铜金属层；该测试系统包括电镀机、电阻测量仪、测试晶圆，测试晶圆安装于电镀机的晶圆夹具，测试区位于电镀空间内，金属密封导电环的导电触点与测试区所在面接触，电阻测量仪用于测量各测试区与导电块之间的电阻。本实用新型能快速有效识别异常的金属密封导电环，防止发生产品品质异常，大大简化异常排查流程，快速解决电镀高度异常问题。
一种测试及其系统

[发明专利]半导体器件的可靠性测试结构及其测试方法-CN201510746428.5有效
发明人：冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体器件的可靠性测试结构及其测试方法，包括：第一金属结构和第二金属结构；与第一金属结构相连的第一导电插塞和第二导电插塞，与第二金属结构相连的第三导电插塞；横跨第一金属结构和第二金属结构并与第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞相连的金属线；所述第一金属结构、第一导电插塞、第二导电插塞和金属线构成金属互连线电迁移测试结构，所述第二金属结构、第三导电插塞和金属线构成金属互连线应力迁移测试结构。本发明通过将金属互连线电迁移测试结构和金属互连线应力迁移测试结构整合成一个测试结构，从而可以评估电迁移及应力迁移对金属互连线相互作用下的失效时间，进而提高半导体器件的可靠性测试的效率。
半导体器件可靠性测试结构及其方法

[发明专利]一种半导体器件测试结构及其测试方法-CN202211027914.8在审
发明人：刘倩倩;宋永梁;焦岚清 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件测试结构及其测试方法，该测试结构包括介质层及位于介质层中且间隔排布的多个金属层，金属层包括自下而上设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层及第四金属层，并在不同金属层之间布设导线和开关，将不同区域的金属层之间相关联。通过在同一测试结构的不同位置施加测试电压，测试不同金属层之间的介质层电学性质，判断不同金属层之间的介质层是否存在漏电，进而判断出半导体器件结构中的介质层是否存在漏电，能够有效提高测试结构的灵活性和效率，
一种半导体器件测试结构及其方法

[发明专利]一种铜金属互连电迁移测试结构及其测试方法-CN201810316625.7有效
发明人：钱鹏飞;郑仲馗;陈雷刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜金属互连电迁移测试结构，包括一金属线，水平设置，包括；多个上层金属层，水平设置于所述金属线的上层；多个下层金属层，水平设置于所述金属线的下层；多个上层金属层连接通孔，分别连接所述上层金属层和金属线；多个下层金属层连接通孔，分别连接所述下层金属层和金属线；多个连接线，分别一端连接所述上层金属层或下层金属层；多个金属板。还公开了一种铜金属互连电迁移测试结构的测试方法。根据本发明的铜金属互连电迁移测试结构的测试结果设计出较符合工艺制程的测试结构，很好地监控金属线上端开通孔工艺对于后段金属互连结构的影响，从而改善阻挡层或者后段铜金属互连工艺，降低产品量产的风险。
一种金属互连迁移测试结构及其方法

[实用新型]一种芯片测试座-CN202122390911.8有效
发明人：张彤 -专利权人：江苏捷策创电子科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体测试技术领域，公开了一种芯片测试座，芯片测试座包括测试探针、金属基座和第一绝缘定位组件，测试探针用于连接芯片的引脚，测试探针包括接地探针和信号探针，金属基座上设置有接地针腔孔和信号针腔孔，第一绝缘定位组件设置于金属基座上。本实用新型提供的芯片测试座，将测试探针一一对应的插接于金属基座上的针腔孔内，以使测试探针隔开，避免测试探针之间的信号产生干扰，信号探针通过第一绝缘定位组件避免与金属基座接触，防止信号探针和金属基座之间导电，金属基座接地并与接地探针电连接，能有效屏蔽外界信号对芯片测试的干扰，适用于高频芯片的测试。
一种芯片测试