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[发明专利]包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件-CN201911353740.2在审
发明人：千志成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件。该三维闪存器件包括：下部字线堆叠和上部字线堆叠；单元沟道结构；以及虚设沟道结构，其中单元沟道结构包括：下部单元沟道结构；上部单元沟道结构；以及单元沟道扩大部分，其在下部单元沟道结构和上部单元沟道结构之间并具有比下部单元沟道结构的宽度大的宽度，其中虚设沟道结构包括：下部虚设沟道结构；上部虚设沟道结构；以及在下部虚设沟道结构和上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分，虚设沟道扩大部分具有比下部虚设沟道结构的宽度大的宽度，其中虚设沟道扩大部分的宽度和下部虚设沟道结构的宽度之间的差异大于单元沟道扩大部分的宽度和下部单元沟道结构的宽度之间的差异
包括具有扩大部分沟道结构三维闪存器件

[发明专利]一种低碳高合金钢制轴承外圈沟道磨削加工方法-CN202211467946.X在审
发明人：刘明;马欣新;周丽娜;王文雪;尹龙承;吴玉成;付中元;安敏;刘宇;马芳;安浩俊;张静静;迟杰;曹娜娜;童锐 -专利权人：中国航发哈尔滨轴承有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种低碳高合金钢制轴承外圈沟道磨削加工方法。它属于轴承加工制造领域。加工方法：取套圈；粗磨沟道水平支点；粗磨沟道垂直支点；粗磨沟道偏心量；粗磨沟道砂轮转速；粗磨沟道工件转速；粗磨沟道砂轮修整；细磨沟道水平支点；细磨沟道垂直支点；细磨沟道偏心量；细磨沟道砂轮转速；细磨沟道工件转速；细磨循环砂轮修整；终磨沟道水平支点；终磨沟道垂直支点；终磨沟道偏心量；终磨沟道砂轮转；终磨沟道工件转速；终磨沟道砂轮修正。本发明主要针对沟道表面强化钢制轴承外圈，解决了15Cr14Co12Mo5Ni2W类钢制套圈外径表面划伤问题，提升套圈磨削加工精度，保证产品质量稳定性。本发明适用于低碳高合金钢制轴承外圈沟道磨削加工。
一种低碳高合金钢制轴承外圈沟道磨削加工方法

[发明专利]用于CMOS的双轴向拉伸应变的Ge沟道-CN201380081249.3有效
发明人： P·马吉;N·慕克吉;R·皮拉里塞;W·拉赫马迪;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，该反相器包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及p沟道MOSFET，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。一种方法，包括：形成n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；形成p沟道MOSFET；以及连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的栅极电极，并且连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的漏极区，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。
用于 cmos 轴向拉伸应变 ge 沟道

[发明专利]半导体存储器装置-CN202310078180.4在审
发明人：金台原;金俞琳;李昇嬉;张胜愚;卓容奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：所述半导体存储器装置包括：位线；沟道图案，包括位线上的水平沟道部分和从水平沟道部分竖直突出的竖直沟道部分；字线，在水平沟道部分上，并且在竖直沟道部分的侧壁上；以及栅极绝缘图案，在字线与沟道图案之间。沟道图案包括氧化物半导体，并且包括顺序堆叠的第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层。第一沟道层至第三沟道层包括第一金属，并且第二沟道层还包括与第一金属不同的第二金属。第一沟道层的至少一部分接触位线。
半导体存储器装置

[发明专利]一种微流芯片及利用微流芯片制备聚合物微球的方法-CN200610019354.6有效
发明人：赵兴中;刘侃 -专利权人：武汉大学
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C12N11/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种微流芯片，包括合成沟道和两个流聚焦成球沟道，两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇，每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成，所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧，预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口，连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇。本发明还提供了利用上述微流芯片制备聚合物微球的方法：将两种连续相从两个流聚焦沟道的连续相沟道的输入口注入，将分散相分别从两个流聚焦沟道的分散相沟道注入，即从合成沟道出口得到聚合物微球。
一种芯片利用制备聚合物方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110287734.2在审
发明人：林宏升 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，包括NMOS区和PMOS区；在NMOS区和PMOS区的衬底上形成分立的沟道结构，沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，每个沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层，NMOS区中沟道层的高宽比小于PMOS区中沟道层的高宽比，沿沟道结构的延伸方向，沟道结构包括沟道区；去除沟道区的牺牲层；去除沟道区的牺牲层后，在沟道区中，形成环绕覆盖沟道层的栅介质层；形成横跨沟道层的栅极结构在NMOS区中，通过使沟道层的高宽比较小，以便于增大沟道层的宽度，从而有利于增大NMOS的工作电流，而在PMOS区中，通过使沟道层的高宽比较大，以便于增大沟道层的高度，从而有利于增大PMOS的工作电流。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种球笼同步万向联轴器-CN202021214468.8有效
发明人：冯卫国;魏巍;章俊杰 -专利权人：襄阳宇清传动科技有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： F16D3/221 文献下载
摘要：一种球笼同步万向联轴器，包括外套，内套，保持架，外套右端部的内球面上有N条沿圆周等距离分布的沟道一，沟道一包括由外套的右端面向内球面内部延伸的直槽沟道一、连接于直槽沟道一一端的弧槽沟道一，直槽沟道一外切于弧槽沟道一，且与弧槽沟道一平滑过渡；内套外球面上有N条沿圆周等距离分布的沟道二，沟道二与沟道一一一对应，沟道二包括由内套的左端面向中部内部延伸的直槽沟道二、连接于直槽沟道二一端的弧槽沟道二，直槽沟道二外切于弧槽沟道二，且与弧槽沟道二平滑过渡；保持架装于外套和内套之间；钢球装入对应的沟道一、沟道二以及保持架的窗口内；提高球笼联轴器的最大摆动角度，提升球笼联轴器的性能。
一种同步万向联轴器

[发明专利]半导体器件-CN202211649703.8在审
发明人：李炅奂;金容锡;金炫哲;朴种万;禹东秀;李玟浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B51/20 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，其包括：衬底；包括电极和沟道分离图案的堆叠，电极堆叠在衬底上并彼此间隔开，沟道分离图案在相邻电极之间；以及穿透堆叠的垂直结构，其中垂直结构包括导电柱、沟道结构以及在导电柱和沟道结构之间的插入层，沟道结构包括通过沟道分离图案彼此垂直间隔开的第一沟道层和第二沟道层，电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极连接到第一沟道层和第二沟道层，沟道分离图案在第一沟道层和第二沟道层之间，沟道分离图案在连接到第一沟道层的一个第二电极和连接到第二沟道层的一个第一电极之间
半导体器件

[发明专利]显示驱动电路和包括该显示驱动电路的显示装置-CN202210571793.7在审
发明人：严智衍;崔贞勋;张荣宸;文荣培;李友宁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：该显示驱动电路包括：多个源沟道，其被配置为将数据电压分别提供至显示面板的多条数据线；伪沟道，其位于多个源沟道中的至少一个源沟道的一侧上；以及控制逻辑，其被配置为控制多个源沟道和伪沟道的操作，其中，当确定多个源沟道中的第一源沟道的故障时，控制逻辑还被配置为通过利用第一源沟道与伪沟道之间的第二源沟道和伪沟道分别将数据电压提供至与第一源沟道和第二源沟道对应的数据线。
显示驱动电路包括显示装置

[发明专利]存储器的制作方法、存储器及存储器系统-CN202210622523.4在审
发明人：揭黎;孙矩;王健舻;曾明;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器的制作方法、存储器及存储器系统，该制作方法包括：在衬底上形成堆叠层和台阶填充结构，堆叠层包括核心区和台阶区，堆叠层在台阶区形成有台阶结构，台阶填充结构覆盖台阶结构，且核心区中形成有存储沟道孔，台阶区中形成有虚设沟道孔；在存储沟道孔中形成存储沟道结构，并在虚设沟道孔中形成虚设沟道结构，存储沟道结构和虚设沟道结构中均包括沟道层，且存储沟道结构中沟道层的厚度小于虚设沟道结构中沟道层的厚度，从而能制作高强度的虚设沟道结构，减少虚设沟道结构因台阶填充结构的收缩而发生的倾斜现象，确保了虚设沟道结构的良好支撑性能和存储沟道结构的良好存储性能。
存储器制作方法系统

[发明专利]柔性基板、柔性显示面板及显示装置-CN201811416562.9有效
发明人：景小红 -专利权人：惠州市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：所述玻璃基板上设置有复数条横向沟道和复数条纵向沟道，所述复数条横向沟道与所述复数条纵向沟道相交以形成多个矩形区域；并且，所述横向沟道与所述纵向沟道分别贯穿所述玻璃基板，其中，在所述横向沟道与所述纵向沟道内分别设置一填充体，以使所述填充体填充所述横向沟道及所述纵向沟道的部分，从而在所述横向沟道及所述纵向沟道内形成一沟槽。
柔性显示面板显示装置

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201480082144.4有效
发明人：金成吉;南泌旭;延国贤;李圣海;张佑赈;刘东哲;林宪亨;池正根;黄棋铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]一种内嵌偏置电路的太赫兹倍频器-CN201510149414.5有效
发明人：孟进;张德海;蒋长宏;赵鑫 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌偏置电路的太赫兹倍频器，所述倍频器包含上腔体和下腔体；所述上腔体内设置第一输入波导沟道、第一主沟道、第一偏置沟道、第二偏置沟道、第一放置电阻沟道以及第一输出波导沟道；所述上腔体中所有沟道为设置在腔体上的凹槽，第一输入波导的末端与第一主沟道连接，第一主沟道的另一端与第一输出波导连接；所述下腔体内设置第二输入波导沟道、第二主沟道、第三偏置沟道、第四偏置沟道、第二放置电阻沟道以及第二输出波导沟道；其中第一石英电路安装在第三偏置沟道内，第二石英电路安装在第二主沟道内，贴片电阻安装在第二放置电阻沟道内；其中，上腔体的表面与下腔体的表面密闭贴和。
一种偏置电路赫兹倍频器

[发明专利]一种TBU电路-CN202310634791.2在审
发明人：张少锋;赵兴杰;邓琪 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种TBU电路，包括N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET以及限流元件，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的源极连接P沟道耗尽型MOSFET的源极，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的漏极连接P沟道耗尽型MOSFET的栅极，限流元件的一端连接N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的栅极，限流元件的另一端连接P沟道耗尽型MOSFET的漏极。本发明采用P沟道耗尽型MOSFET作为高压器件，既能限流，也能够抑制高压。
一种 tbu 电路

[发明专利]多阈值电压晶体管结构以及形成、配置该结构的方法-CN201610162011.9有效
发明人：范淑贞;S·K·卡纳卡萨巴帕西;玉仁祚;山下典洪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在鳍上形成窄沟道和长沟道。在鳍上形成外延层，并且在外延层上形成层间电介质层。鳍上的间隔物限定窄沟道和长沟道。在窄沟道和长沟道中沉积高k电介质材料。在窄沟道和长沟道中的高k电介质材料上沉积金属层。使窄沟道中的高k电介质材料的高度凹陷。从窄沟道和长沟道去除金属层。在窄沟道和长沟道中沉积功函数金属。沉积栅极传导金属以填充窄沟道和长沟道。在结构的顶表面上沉积帽层。
替换金属栅极 cmos 器件稳定阈值电压

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