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[发明专利]薄膜沉积方法-CN201711293365.8在审
发明人：赵炳哲;李相镇;李仁焕;陈光善 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明一实施例的薄膜沉积方法包括：提供形成图案的基板的步骤；表面处理步骤，利用沉积抑制气体形成沉积抑制层，所述沉积抑制气体用于抑制在所述图案上端的薄膜沉积；薄膜沉积步骤，利用工艺气体在包括所述表面处理的所述图案上沉积所述薄膜；其中，所述沉积抑制气体为包括氟的气体。
薄膜沉积沉积抑制图案薄膜沉积步骤表面处理步骤沉积抑制层工艺气体气体形成上端基板沉积薄膜

[发明专利]无机材料的选择区域沉积法-CN200880109120.8有效
发明人： C·杨;L·M·欧文;D·H·莱维;P·J·考德里-科尔万;D·C·弗里曼 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：用于形成图案化薄膜的原子层沉积方法包括：提供基材；在基材上施加沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料是有机化合物或聚合物；和在步骤(b)之后或者在施加沉积抑制剂材料的同时使沉积抑制剂材料形成图案，以提供实际上不含沉积抑制剂材料的基材选定区域无机薄膜材料基本上只沉积在不含沉积抑制剂材料的基材的选定区域中。
无机材料选择区域沉积

[发明专利]一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法-CN202011348432.3有效
发明人：董红;罗锋;王一同 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。
一种用于选区原子沉积加工方法

[发明专利]用于无机材料的选择区域沉积的有机硅氧烷材料-CN200880109095.3有效
发明人： C·杨;L·M·欧文;D·H·莱维;P·J·考德里-科尔万;D·C·弗里曼 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
用于无机材料选择区域沉积有机硅

[发明专利]通过使用聚合物掩模的选择性沉积-CN201280059809.0无效
发明人： M.S.伯贝里;D.H.莱维 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：氰基丙烯酸酯聚合物用作沉积抑制剂材料并首先作为沉积抑制剂材料施加。该沉积抑制剂材料可以图案化以便在接收基底上提供其中不存在沉积抑制剂的选定区域。随后使用化学气象沉积技术仅在其中不存在该沉积抑制剂材料的那些区域中在接收基底上沉积无机薄膜。该氰基丙烯酸酯聚合物沉积抑制剂材料可以在形成图案化薄膜之前通过热转印从供体元件施加到接收基底上。
通过使用聚合物选择性沉积

[发明专利]含硅氧烷的可光图案化沉积抑制剂-CN200880116804.0有效
发明人： L·M·欧文;D·H·莱维;D·C·弗里曼;C·杨;P·J·考德里-科万 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
含硅氧烷图案沉积抑制剂

[发明专利]在织物染整加工中防止染料沉积的方法和织物染整组合物-CN94108260.1无效
发明人： T·C·柯克;C·施娃茨;B·温斯坦 -专利权人：罗姆和哈斯公司
申请日： 1994-07-12 - 公布日： 1995-08-30 - 主分类号： D06M15/19 文献下载
摘要：本发明涉及防止染料沉积到织物上的方法和用于本发明染料沉积抑制方法的织物染整组合物。具体地说，该方法包括1)形成含a)水，b)染色织物，c)染料沉积抑制剂的水浴，2)在水浴中处理染色织物，从织物中释放部分染料进入浴中，3)在处理步中染料沉积抑制剂保持与染色织物接触。染料沉积抑制剂作为含至少0.1％(按重量计)染料沉积抑制剂的织物染整组合物加到该方法中。
织物染整加工防止染料沉积方法组合

[发明专利]使用抑制剂的拓扑选择性气相沉积-CN202111476212.3在审
发明人： A.伊利贝里;V.沙尔玛;M.吉文斯;M.图米恩;邓少任 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：具体而言，本公开涉及在包括凹部的衬底上沉积层的方法。该方法包括：在反应室中提供包括凹部的衬底，在衬底上沉积抑制材料以用抑制材料填充凹部，从衬底上去除抑制材料以暴露沉积区域，以及通过气相沉积过程在沉积区域上沉积层。还公开了用于执行该方法的气相沉积组件。
使用抑制剂拓扑选择性气沉积

[发明专利]间隙结构制造方法-CN03814208.2有效
发明人： H·图斯 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用以制造间隙结构的方法，其包含步骤：形成一具有一栅极沉积抑制层(2A)的栅极绝缘层(2)、一栅极层(3)与一覆盖沉积抑制层(4)于一半导体基板(1)上，并图形化该栅极层(3)与该覆盖沉积抑制层(4)，以形成栅极堆栈(G)；利用该等沉积抑制层(2A，4)而选择性地沉积一绝缘层(6)以便高度准确地形成一间隙结构。
间隙结构制造方法

[发明专利]区域选择性原子层沉积方法及工具-CN202080078814.0在审
发明人：阿尔费雷多·马梅利;艾哈迈徳·法兹;弗雷迪·罗泽博姆;保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积装置，用于将目标材料层区域选择性地沉积在衬底表面的沉积区域上，该衬底表面还包括非沉积区域。在使用中，衬底沿着多个沉积空间和隔离剂空间传送，所述多个沉积空间和隔离剂空间包括至少两个气体隔离剂空间，所述气体隔离剂空间至少提供有隔离剂气体入口和隔离剂排放部，用于在使用中使衬底暴露于隔离剂气流。其中所述气体隔离剂空间中的至少一个形成组合的隔离剂‑抑制剂气流，所述组合的隔离剂‑抑制剂气流包括隔离剂气体和抑制剂成分。所述抑制剂成分选择性地粘附到所述非沉积区域以形成抑制层，减少前体成分的吸附。在优选的实施方式中，该装置包括回蚀刻空间，以增加沉积工艺的选择性。
区域选择性原子沉积方法工具

[发明专利]无空隙低应力填充-CN201980081000.X在审
发明人：阿南德·查德拉什卡;杨宗翰 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本文提供了在深特征和相关装置中沉积低应力且无空隙金属膜的方法。所述方法的实施方案包括处理孔的侧壁以抑制金属沉积，同时留下未处理的特征底部。在随后的沉积操作中，金属前体分子扩散到特征底部以进行沉积。该工艺重复对剩余暴露侧壁进行处理的后续抑制操作。通过重复抑制和沉积操作，可以实现高质量的无空隙填充。这使得能执行高温、低应力沉积。
空隙应力填充

[发明专利]织物洗涤组合物和抑制染料沉积的方法-CN96110617.4无效
发明人：Ｔ·Ｃ·柯克;Ｃ·施瓦茨;Ｒ·Ｊ·塔伦特;Ｔ·Ｌ·派特卢斯基 -专利权人：罗姆和哈斯公司
申请日： 1996-07-10 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： C11D3/37 文献下载
摘要：本发明提出了一种织物洗涤组合物和含水的处理溶液，可用于在织物洗涤过程中，抑制染料从一件织物到同一件织物或不同的织物的传递。织物洗涤组合物和含水的处理溶液含有至少一种抑制染料沉积的聚合物。抑制染料沉积的聚合物由，就聚合单元而言，5％到100％的至少一种乙烯酰胺单体和0至95％的一种或多种乙烯酯单体构成。本发明亦提出一种抑制染料沉积的方法，该方法通过在析出染料的织物洗涤过程中加入至少一种本发明中的抑制染料沉积的聚合物来抑制染料沉积。
织物洗涤组合抑制染料沉积方法

[发明专利]悬浮物质的沉积抑制方法、树脂障碍的抑制方法和悬浮物质的沉积检测方法-CN202080063472.5在审
发明人：桂仁树 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C02F1/50 文献下载
摘要：提供：连续运行抄纸设备时通过适当地控制含氧气体、粘泥控制剂或树脂控制剂而可以减少由储存罐产生的沉积物、树脂引起的残次品的产生的、新的悬浮物质的沉积抑制方法、树脂障碍的抑制方法和能用于这些方法的悬浮物质的沉积检测方法本发明的悬浮物质的沉积抑制方法为用于抑制水中的悬浮物质沉积在抄纸设备的水系中所配置的槽的底部的情况的方法，所述悬浮物质的沉积抑制方法具备如下工序：向水吹入含氧气体进行搅拌和曝气的工序；检测因搅拌和曝气引起的槽内悬浮物质的存在状态的经时变化的工序；和，基于检测结果，向槽内供给含氧气体和粘泥控制剂中的至少任一者来抑制槽内的悬浮物质的沉积的控制工序。
悬浮物质沉积抑制方法树脂障碍检测

[发明专利]用于沉积含硅材料的沉积方法和设备-CN202111149992.0在审
发明人：刘泽铖;V.波雷;T.P.蒂内尔;Y.徐;M.罗霍 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开涉及在包括间隙的衬底上沉积含硅材料的方法，其中该方法包括在反应室中提供衬底并在衬底上沉积含碳抑制层，以及在衬底上沉积含硅材料。沉积抑制层包括在反应室中供应包含碳的碳前体，并在反应室中供应第一等离子体，以由碳前体形成第一反应物质，用于在衬底上形成抑制层。抑制层优先沉积在间隙顶部附近。
用于沉积材料方法设备

[发明专利]汽油机油高温氧化沉积物抑制剂及其制备方法和汽油机油-CN202110505247.9在审
发明人：韩伟;冯弦;杜宗罡;吴玉秀;史雪梅;赵利华;巨璐 -专利权人：西安航天动力试验技术研究所
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：本发明提供一种汽油机油高温氧化沉积物抑制剂及其制备方法和汽油机油，主要解决汽油机油在使用过程中，随着车辆行驶里程增加而氧化沉积在发动机内部件表面的问题。该汽油机油高温氧化沉积物抑制剂，按质量计包括：10～30％的高碱值磺酸钙，5～15％的烷基水杨酸镁盐，10～20％的烷基化二苯胺，10～30％的异丙基萘，5～10％的硼化丁二酰亚胺，3～8％的杯芳烃，5本发明还提供了汽油机油高温氧化沉积物抑制剂的制备方法及添加了所述汽油机油高温氧化沉积物抑制剂的汽油机油产品。所述汽油机油高温氧化沉积物抑制剂能抑制高温氧化沉积物的沉积，具有优异的清净性和抗氧化性，并能延长汽油机油的使用寿命。
汽油机油高温氧化沉积物抑制剂及其制备方法

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