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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]沉积间隙填充流体的方法及相关系统和装置-CN202211743271.7在审
发明人： R.H.J.沃乌尔特;T.布兰夸特;V.波雷 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：用间隙填充流体填充包含在衬底中的间隙的方法和系统。该间隙填充流体在具有第一前体和第二前体的等离子体中形成。
沉积间隙填充流体方法相关系统装置

[发明专利]用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备-CN202010095851.4有效
发明人：刘泽铖;V.波雷 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：提供一种用于填充一个或多个凹部的方法，其通过在反应室中提供衬底；在第一脉冲时间内，将第一反应物引入衬底以形成第一活性物质；在第二脉冲时间内，将第二反应物引入衬底；以及在第三脉冲时间内，将第三反应物引入衬底以形成第二活性物质。还公开一种用于填充凹部的设备，以及公开一种使用所述方法和/或设备形成的结构。
用于填充衬底表面形成循环沉积方法设备

[发明专利]形成SiOC和SiOCN低k间隔物的方法-CN202211456765.7在审
发明人：刘泽铖;V.波雷 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了用于沉积SiOC和SiOCN膜的方法。示例性方法利用包含碘和醇盐的前体，并且可以用于使用无氧PEALD形成低k间隔物。
形成 sioc siocn 间隔方法

[发明专利]蚀刻过程和处理组件-CN202211454368.6在审
发明人： C.德泽拉;V.波雷;V.沙尔玛 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本公开涉及一种从半导体衬底蚀刻可蚀刻材料的方法。该方法包括将包含可蚀刻材料的衬底提供到反应室中，并将卤代烷基胺以气相提供到反应室中，用于蚀刻可蚀刻材料。本公开还涉及半导体处理组件，以及清洁反应室的方法。
蚀刻过程处理组件

[发明专利]用于填充间隙的方法和系统-CN202211183332.9在审
发明人： C.德泽拉;T.布兰夸特;R.H.J.沃乌尔特;V.波雷 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：公开了用于填充间隙的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供衬底。衬底包括间隙。该方法还包括在衬底上形成可转化层，并将衬底暴露于转化反应物。因此，可转化层的至少一部分被转化成间隙填充流体。间隙填充流体至少部分地填充间隙。该方法和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。
用于填充间隙方法系统

[发明专利]用于在间隙内形成材料的多层方法和系统-CN202211184214.X在审
发明人： H.霍塔里;V.波雷;T.布兰夸特;R.H.J.沃乌尔特;C.德泽拉;G.A.沃尼;R-J.张;M.吉文斯;E.J.希罗 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种用于在衬底表面上的间隙内形成材料的多层方法。示例性方法包括形成覆盖衬底的第一材料层，并在第一材料区域内形成第二(例如初始可流动的)材料层，从而以无缝和/或无空隙的方式用材料至少部分填充间隙。
用于间隙形成材料多层方法系统

[发明专利]用于填充间隙的方法和系统-CN202211181375.3在审
发明人： T.布兰夸特;R.H.J.沃乌尔特;G.A.沃尼;R-J.张;C.德泽拉;谢琦;V.波雷 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：公开了用于填充间隙的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供衬底。衬底包括间隙。该方法还包括通过等离子体增强沉积过程形成间隙填充过程。间隙填充流体至少部分地填充间隙。该方法和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。
用于填充间隙方法系统

[发明专利]用于填充间隙的方法和系统-CN202210328667.9在审
发明人： R.H.J.沃乌尔特;T.布兰夸特;V.波雷;Y.徐 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了用于填充间隙的方法和系统。该方法和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。
用于填充间隙方法系统

[发明专利]用于填充间隙的方法和系统-CN202210176462.3在审
发明人： R.H.J.沃乌尔特;T.布兰夸特;V.波雷;G.A.沃尼;谢琦;R-J.张;E.J.希罗 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：公开了用于填充间隙的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供衬底。衬底包括间隙。该方法还包括用间隙填充流体至少部分地填充间隙。然后，该方法包括使间隙填充流体经受转变处理，从而在间隙中形成转变的材料。该方法和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。
用于填充间隙方法系统

[发明专利]用于填充间隙的方法和系统-CN202210176471.2在审
发明人： E.费尔姆;岩下信哉;C.德泽拉;J.W.梅斯;T.布兰夸特;R.H.J.沃乌尔特;V.波雷;G.A.沃尼;谢琦;R-J.张;E.J.希罗 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了用于填充间隙的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供衬底。衬底包括间隙。该方法还包括用间隙填充流体至少部分地填充间隙。该方法和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。
用于填充间隙方法系统

[发明专利]用于沉积层的方法和系统-CN202210041285.8在审
发明人： M.图米恩;V.波雷 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：描述了用于沉积材料的系统和相关方法。该系统允许在衬底上冷凝或沉积前体，然后固化冷凝或沉积的前体以形成层。
用于沉积方法系统

[发明专利]用于氮化硅沉积的硅前体-CN202111464475.2在审
发明人： C.德泽拉;福田秀明;V.波雷 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及通过等离子体增强循环沉积过程在衬底上沉积氮化硅的气相沉积组件。本公开还涉及通过等离子体增强循环沉积过程在衬底上沉积氮化硅的方法。该方法包括在反应室中提供衬底，将根据式SiH3X的气相硅前体提供到反应室中，其中X是碘或溴，从反应室中去除过量的硅前体和可能的反应副产物，以及将由含氮等离子体产生的反应性物种提供到反应室中，以在衬底上形成氮化硅。本公开还涉及由该方法形成的结构和器件。
用于氮化沉积硅前体

[发明专利]用于填充间隙的方法以及相关的系统和装置-CN202111374375.0在审
发明人：刘泽铖;V.波雷;J.L.姚;R.H.J.沃乌尔特 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了用于填充包含在衬底中的间隙特征的方法和相关系统。该方法包括将包含一个或多个间隙特征的衬底提供到反应室中的步骤。一个或多个间隙特征包括具有上表面的上部和具有下表面的下部。该方法还包括使衬底经受第一等离子体处理和使衬底经受第二等离子体处理的步骤。因此，上表面受到抑制，而下表面基本不受影响。然后，该方法包括在下表面上选择性地沉积材料的步骤。
用于填充间隙方法以及相关系统装置

[发明专利]用于填充间隙的方法以及相关的系统和装置-CN202111375818.8在审
发明人：刘泽铖;金仙子;V.波雷;J.L.姚;R.博鲁德;B.穆克吉;R.H.J.沃乌尔特;堤隆嘉;小林伸好;堀胜 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了用于填充包括在衬底中的间隙特征的方法和相关系统。该方法包括将具有一个或多个间隙特征的衬底提供到反应室中的步骤。一个或多个间隙特征包括具有上表面的上部和具有下表面的下部。该方法还包括使衬底经受等离子体处理的步骤。因此，上表面受到抑制，而下表面基本不受影响。然后，该方法包括在下表面上选择性地沉积含硅材料的步骤。
用于填充间隙方法以及相关系统装置

[发明专利]用于沉积含硅材料的沉积方法和设备-CN202111149992.0在审
发明人：刘泽铖;V.波雷;T.P.蒂内尔;Y.徐;M.罗霍 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开涉及在包括间隙的衬底上沉积含硅材料的方法，其中该方法包括在反应室中提供衬底并在衬底上沉积含碳抑制层，以及在衬底上沉积含硅材料。沉积抑制层包括在反应室中供应包含碳的碳前体，并在反应室中供应第一等离子体，以由碳前体形成第一反应物质，用于在衬底上形成抑制层。抑制层优先沉积在间隙顶部附近。本公开还涉及形成结构的方法、制造器件的方法以及半导体处理设备。
用于沉积材料方法设备

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