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[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制作方法-CN202310093363.3在审
发明人：韩杰;银发友;徐佳敏;邹松 -专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓功率器件领域，特别涉及一种氮化镓功率器件及其制作方法。所述器件包括多颗氮化镓芯片、框架基岛和引线框架，多颗氮化镓芯片通过银浆与框架基岛贴合，多颗氮化镓芯片之间相互平行，且多颗氮化镓芯片的源极和栅极的朝向相同，多颗氮化镓芯片的漏极的朝向相同，多颗氮化镓芯片的源极、漏极和栅极分别与引线框架电连接，使得多颗氮化镓芯片之间形成并联结构。多颗氮化镓芯片通过并联结构，得到总电阻低于单个氮化镓芯片电阻的氮化镓功率器件，从而提升氮化镓功率器件的良率，使得应用端得到更大的应用提升。
一种氮化功率器件及其制作方法

[实用新型]一种氮化镓功率器件-CN202320192682.5有效
发明人：韩杰;银发友;徐佳敏;邹松 -专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮化镓功率器件领域，特别涉及一种氮化镓功率器件。所述器件包括多颗氮化镓芯片、框架基岛和引线框架，多颗氮化镓芯片通过银浆与框架基岛贴合，多颗氮化镓芯片之间相互平行，且多颗氮化镓芯片的源极和栅极的朝向相同，多颗氮化镓芯片的漏极的朝向相同，多颗氮化镓芯片的源极、漏极和栅极分别与引线框架电连接，使得多颗氮化镓芯片之间形成并联结构。多颗氮化镓芯片通过并联结构，得到总电阻低于单个氮化镓芯片电阻的氮化镓功率器件，从而提升氮化镓功率器件的良率，使得应用端得到更大的应用提升。
一种氮化功率器件

[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法-CN201811356512.6在审
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本发明能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
一种氮化器件封装方法

[实用新型]一种基于氮化镓的新型功率芯片结构-CN202121491649.X有效
发明人：仇亮 -专利权人：广东仁懋电子有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氮化镓的新型功率芯片结构，涉及到芯片领域，包括芯片安装块，所述芯片安装块的上方设有氮化镓芯片本体，氮化镓芯片本体的一侧设有引脚，所述芯片安装块的顶侧开设有多个散热孔，多个散热孔位于氮化镓芯片本体的底侧，芯片安装块的顶侧安装有固定壳和活动壳。本实用新型中，氮化镓芯片本体上设有引脚和连接块，将氮化镓芯片本体安装在芯片安装块上，氮化镓芯片本体与芯片安装块之间有较大的空间，在安装后，不会与芯片安装块接触，从而能够很好的散热，同时芯片安装块上设有多个散热孔，便于气流的流通，更有利于氮化镓芯片本体进行散热，避免氮化镓芯片本体温度过高，影响其使用寿命。
一种基于氮化新型功率芯片结构

[实用新型]一种氮化镓功率器件-CN202221790359.X有效
发明人：傅玥;周叶凡;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓功率器件，包括氮化镓芯片、二极管、金属柱、散热板、基板和PCB板，其中基板嵌于PCB板中，氮化镓芯片和二极管置于散热板和PCB板之间，氮化镓芯片衬底层及二极管阳极与散热板相连，氮化镓芯片的电极及二极管阴极通过焊球与基板连接，二极管阴极与氮化镓芯片漏极通过焊球实现电气连接，散热板通过金属柱与氮化镓芯片源极相连，二极管阳极通过金属柱与氮化镓芯片源极相连。将氮化镓芯片和二极管集成在一个器件里形成电气并联，降低了氮化镓器件反向导通时的功耗，保护氮化镓器件，氮化镓芯片采用倒装方式，缩短了氮化镓器件与二极管之间的导线长度，降低了导线产生的寄生效应，提高了电路的可靠性
一种氮化功率器件

[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法-CN201711366939.X在审
发明人：李孟;罗广豪;李幸辉 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法，所述氮化镓器件包括：设计好走线的覆铜PCB板(陶瓷或铝基的覆铜PCB板)和焊接在覆铜PCB板上的硅芯片和氮化镓芯片，硅芯片和氮化镓芯片之间采用Cascode的方式连接，其中，所述硅芯片正装在覆铜PCB板上，氮化镓芯片倒装在覆铜PCB板上。氮化镓器件主要使用覆铜PCB板上的走线实现所述氮化镓芯片和所述硅芯片之间的电气连接；其中，所述硅芯片的漏极直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接；所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极位于朝向覆铜PCB板的面上，且所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极均直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接。上述氮化镓器件的制备工艺简单，散热效果好。
覆铜氮化镓器件氮化镓芯片硅芯片漏极焊接内走线焊盘源极封装电气连接散热效果制备工艺倒装铝基正装走线陶瓷

[实用新型]一种氮化镓器件-CN201821877443.9有效
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓器件，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本实用新型能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
氮化镓裸芯片氮化镓器件基岛引脚本实用新型贴片封装电流通过顶部安装封装材料功率器件能力问题散热效果引线框架功率管散热片电极散热外露热阻背面

[实用新型]一种氮化镓半桥模块-CN202121609903.1有效
发明人：傅玥;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓半桥模块，包括封装体，其内部封装有第一氮化镓芯片和第二氮化镓芯片；所述第一氮化镓芯片和第二氮化镓芯片并行设置在同一平面上，所述第一氮化镓芯片和第二氮化镓芯片相互连接形成半桥架构；其能够将两颗氮化镓器件集成在同一个封装中，减少所占用的PCB板的面积；同时通过散热板为氮化镓半桥模块提供有效散热。
一种氮化镓半桥模块

[实用新型]一种氮化镓器件-CN201721770787.5有效
发明人：李孟;罗广豪;李幸辉 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓器件，所述氮化镓器件包括：设计好走线的覆铜PCB板(陶瓷或铝基的覆铜PCB板)和焊接在覆铜PCB板上的硅芯片和氮化镓芯片，硅芯片和氮化镓芯片之间采用Cascode的方式连接，其中，所述硅芯片正装在覆铜PCB板上，氮化镓芯片倒装在覆铜PCB板上。氮化镓器件主要使用覆铜PCB板上的走线实现所述氮化镓芯片和所述硅芯片之间的电气连接；其中，所述硅芯片的漏极直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接；所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极位于朝向覆铜PCB板的面上，且所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极均直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接。上述氮化镓器件的制备工艺简单，散热效果好。
覆铜氮化镓芯片硅芯片氮化镓器件漏极焊接内走线焊盘源极本实用新型电气连接散热效果制备工艺倒装铝基正装走线陶瓷

[发明专利]氮化镓芯片及其制备方法-CN201610301799.7在审
发明人：裴风丽 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓芯片及其制备方法，所述氮化镓芯片包括氮化物半导体层、散热衬底、保护层，所述氮化物半导体层位于所述散热衬底和所述保护层之间，所述氮化物半导体层与所述保护层之间设置有欧姆电极和肖特基电极本发明提供的氮化镓芯片及其制备方法通过将高质量的氮化物半导体层转移到热导率较高的散热衬底上，使得氮化镓芯片内部的热量通过散热衬底快速散发出去，保证了氮化镓芯片性能的正常发挥，提高了氮化镓芯片的稳定性和可靠性，以此解决氮化镓芯片自热的问题。同时在转移的过程中，将缺陷与位错较高的部位去除掉，进一步提高了氮化镓芯片的性能，提高了氮化镓芯片的寿命和可靠性。
氮化芯片及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓器件的封装方法-CN202210811704.1有效
发明人：李伟;高苗苗 -专利权人：深圳市冠禹半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓器件的封装方法，包括：步骤1：获取基座，并在所述基座的表面设置按照预设位置分布的焊点，得到基座层；步骤2：将氮化镓芯片利用第一结合材焊接在所述基座层，将散热片利用第二结合材焊接在所述氮化镓芯片上方，且将所述散热片的下端贴附在所述基座层；步骤3：对所述散热片和氮化镓芯片进行塑封，得到塑封层，得到氮化镓器件；步骤4：对所述氮化镓器件进行质检，得到满足质检要求的氮化镓器件；通过在氮化镓芯片的上方焊接散热片，避免了热量在所述氮化镓芯片的聚集，同时，通过对氮化镓器件进行质检，保证得到氮化镓器件的质量，保证了氮化镓器件在实际使用过程中的使用寿命。
一种氮化器件封装方法

[实用新型]一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器-CN202221046251.X有效
发明人：吴健;王亚锋;陈耀;吴矗;张周平;蔡慧 -专利权人：深圳市万和科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本实用新型公开一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器，包括设置于PCB板上的两个砷化镓HEMT管芯芯片、两个氮化镓FET管芯芯片、直流偏置及控制补偿模块、射频匹配模块、巴伦，所述PCB板设置有钼铜载体，两个所述砷化镓HEMT管芯芯片和两个所述氮化镓FET管芯芯片设置于于所述钼铜载体上。本实用新型采用钼铜载体作为砷化镓HEMT管芯芯片和氮化镓FET管芯芯片的载体，提高散热能力和接地性能，减少成本，采用砷化镓和氮化镓芯片以替代现有技术中的纯氮化镓技术，由于砷化镓PHEMT管芯芯片的成本远低于氮化镓芯片
一种单片集成氮化功率倍增功率放大器

[发明专利]内匹配氮化镓多芯片集成功率放大模块-CN201910174926.5在审
发明人：陈晨 -专利权人：成都嘉晨科技有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及微波功率器件领域，针对管壳外的匹配方法无法得到大功率输出的问题，提出一种内匹配氮化嫁多芯片集成功率放大模块，包括输入微带线、氮化镓管芯芯片一、功率分配微带线、氮化镓管芯芯片二、氮化镓管芯芯片三、输出微带线、直流偏置电路、阻抗补偿电路和底板；输入信号依次经输入微带线、氮化镓管芯芯片一和功率分配微带线到达氮化镓管芯芯片二和氮化镓管芯芯片三，最后经输出微带线输出，三个芯片的电源管脚均通过直流偏置电路连接外部电源，输入到输出的线路上设置有阻抗补偿电路；氮化镓管芯芯片一、氮化镓管芯芯片二、氮化镓管芯芯片三、输入微带线、功率分配微带线和输出微带线均设置在底板上。
氮化镓管芯芯片输出微带线输入微带线功率分配微带线成功率匹配底板直流偏置电路阻抗补偿电路放大模块多芯片输出微波功率器件电源管脚外部电源氮化管壳放大芯片

[发明专利]一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法-CN202110903905.X在审
发明人：谢文华;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：涉及一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法，结构依照封装工序依序包括散热载片、氮化镓HEMT芯片、第一封装胶层、扇出线路层、MOSFET芯片、第二封装胶层及金属岛层。扇出线路层的源极内岛形成于偏离氮化镓HEMT芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,柵极线路位于源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的源极外岛导通互连MOSFET芯片的第二源极垫与柵极线路,使MOSFET芯片的源极短路径连接氮化镓HEMT芯片的柵极，MOSFET芯片位于不同于氮化镓HEMT芯片的封装胶层中氮化镓HEMT芯片整合封装结构具有减少在氮化镓HEMT芯片内接柵极与内接源极处产生寄生电感与提高MOSFET芯片反应灵敏的效果。
一种氮化 hemt 芯片整合封装结构及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓功率芯片散热结构-CN202210781961.5在审
发明人：庄伟东;李鑫杰 -专利权人：南京银茂微电子制造有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氮化镓功率芯片散热结构，包括多个氮化镓芯片、多个氮化镓芯片上均设置有的芯片栅极、芯片源极、芯片漏极和芯片衬底，位于多个氮化镓芯片的两侧的散热模块，位于散热模块内的多个母线驱动电容，利用散热模块实现多个氮化镓芯片的双面散热，相比于氮化镓的单面散热，在正常工作与散热条件下，氮化镓芯片内部最高温度可以减小，同时，利用散热模块之间的电气连接来优化功率回路以及采用双绝缘三导体结构的结构设计
一种氮化功率芯片散热结构

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