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[实用新型]一种P型沟道氮化镓器件-CN202221668450.4有效
发明人：李波;杨红;张禹晨;王凯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型沟道氮化镓器件，包括氮化镓衬底，所述氮化镓衬底的表面固定有氮化镓铝缓冲层，氮化镓铝缓冲层远离氮化镓衬底的一面固定有P型氮化镓层，在P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面两端固定有两个电极，所述电极采用引线与引脚连接；氮化镓衬底远离氮化镓铝缓冲层的表面与散热基岛固定连接，部分所述散热基岛的表面裸露于氮化镓器件的外部。所述氮化镓衬底、氮化镓铝缓冲层、P型氮化镓层、电极、引线、引脚以及散热基岛的外部通过塑封材料封装成一个整体结构。本实用新型通过在氮化镓衬底的背部增加散热基岛，能够增加器件整体的热辐射面积，提高散热效果。
一种沟道氮化器件

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管结构-CN200710122478.1有效
发明人：王晓亮;唐健;肖红领;王翠梅;冉学军;胡国新;李晋敏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温成核层制作在衬底的上面；一氮化镓高阻层制作在低温成核层的上面；一铟镓氮插入层制作在氮化镓高阻层的上面；一低温氮化镓隔离层制作在铟镓氮插入层的上面；一高迁移率氮化镓层制作在低温氮化镓隔离层的上面；一氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓层的上面；一铝镓氮势垒层制作在氮化铝插入层的上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在铝镓氮势垒层的上面，该氮化镓帽层有效抑制了电流崩塌效应
氮化镓基高电子迁移率晶体管结构

[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202010782423.9在审
发明人：韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法，其中，该氮化镓高电子迁移率晶体管，包括基板。氮化镓层设置在该基板上。氮化铝镓层设置在该氮化镓层上，其中该氮化铝镓层有一平坦表面。栅极层包含第一P导电型氮化镓层，设置在该平坦表面上与该氮化铝镓层接触。源极层设置在该氮化铝镓层上，位于该栅极层的第一边。第二P导电型氮化镓层埋入在该氮化镓层中。漏极层设置在该栅极层的第二边，穿过该氮化铝镓层与该第二P导电型氮化镓层接触。
氮化电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制作方法-CN202310093363.3在审
发明人：韩杰;银发友;徐佳敏;邹松 -专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓功率器件领域，特别涉及一种氮化镓功率器件及其制作方法。所述器件包括多颗氮化镓芯片、框架基岛和引线框架，多颗氮化镓芯片通过银浆与框架基岛贴合，多颗氮化镓芯片之间相互平行，且多颗氮化镓芯片的源极和栅极的朝向相同，多颗氮化镓芯片的漏极的朝向相同，多颗氮化镓芯片的源极、漏极和栅极分别与引线框架电连接，使得多颗氮化镓芯片之间形成并联结构。多颗氮化镓芯片通过并联结构，得到总电阻低于单个氮化镓芯片电阻的氮化镓功率器件，从而提升氮化镓功率器件的良率，使得应用端得到更大的应用提升。
一种氮化功率器件及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710803403.3有效
发明人：邱建维;林鑫成;林永豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包含设置于半导体基底上的第一氮化镓层，其中第一氮化镓层具有第一导电类型，设置于第一氮化镓层上的第二氮化镓层，其中第二氮化镓层具有第一导电类型，且第一氮化镓层的掺质浓度高于第二氮化镓层的掺质浓度，设置于第二氮化镓层上的阳极电极，设置于第一氮化镓层上且直接接触第一氮化镓层的阴极电极，以及设置于第一氮化镓层上且直接接触第一氮化镓层的绝缘区，其中绝缘区位于阴极电极与第二氮化镓层之间。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种氮化镓功率器件-CN202320192682.5有效
发明人：韩杰;银发友;徐佳敏;邹松 -专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮化镓功率器件领域，特别涉及一种氮化镓功率器件。所述器件包括多颗氮化镓芯片、框架基岛和引线框架，多颗氮化镓芯片通过银浆与框架基岛贴合，多颗氮化镓芯片之间相互平行，且多颗氮化镓芯片的源极和栅极的朝向相同，多颗氮化镓芯片的漏极的朝向相同，多颗氮化镓芯片的源极、漏极和栅极分别与引线框架电连接，使得多颗氮化镓芯片之间形成并联结构。多颗氮化镓芯片通过并联结构，得到总电阻低于单个氮化镓芯片电阻的氮化镓功率器件，从而提升氮化镓功率器件的良率，使得应用端得到更大的应用提升。
一种氮化功率器件

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202011368164.1有效
发明人：张富钦;张紫淇 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上生长氮化镓铝/氮化镓异质结结构层，然后在氮化镓铝/氮化镓异质结结构层上不间断的生长氮化镓牺牲层，在形成氮化硅层时，可以使得硅氢化物会将腐蚀性作用于氮化镓牺牲层，从而达到通过氮化镓牺牲层保护氮化镓铝/氮化镓异质结结构层的目的，有效的改善了因氮化镓铝/氮化镓异质结结构层损伤导致漏电流的增加。同时，在氮化镓牺牲层生长氮化硅层时，还可以改善氮化硅和氮化镓牺牲层界面的锐利度，提升氮化硅层致密性及生长质量，从而显著提升钝化效果。
一种电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种测量氮化镓材料的镓空位浓度的方法及系统-CN202010641596.9有效
发明人：顾泓;刘宗亮;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量氮化镓材料的镓空位浓度的方法，该方法包括：在相同条件下，对待测氮化镓材料和标准氮化镓材料分别进行拉曼光谱测试，以获取待测氮化镓材料的拉曼强度和标准氮化镓材料的拉曼强度；根据待测氮化镓材料的拉曼强度、标准氮化镓材料的拉曼强度以及拉曼强度和氮化镓材料的镓空位浓度的正相关关系，计算出待测氮化镓材料的镓空位浓度。本发明还公开了一种测量氮化镓材料的镓空位浓度的系统。本发明解决了现有技术中存在的氮化镓材料的镓空位浓度的测量时间较长，测量成本较高的问题。
一种测量氮化材料空位浓度方法系统

[实用新型]一种新型氮化镓基发光二极管-CN201020198245.7无效
发明人：李刚;刘慰华;丁成;张义颖 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种新型氮化镓基发光二极管，这种氮化镓基发光二极管具有结构：在衬底上依次形成本征氮化镓层、n型氮化镓层、n型氮化镓铟层、发光层、p型氮化镓铝层和第一p型氮化镓层，该氮化镓基发光二极管还包括新颖的结构：在第一p型氮化镓层上形成异质预处理层；和在异质预处理层上形成第二p型氮化镓层。
一种新型氮化发光二极管

[发明专利]氮化镓基板的生成方法-CN201610819653.1在审
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：提供氮化镓基板的生成方法，不浪费地从氮化镓(GaN)锭生成大量的氮化镓基板。该氮化镓锭具有第1面和处于第1面的相反侧的第2面，该氮化镓基板的生成方法包含如下的工序界面形成工序，从第1面将对于氮化镓具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在氮化镓锭的内部而进行照射，形成将氮化镓破坏而使镓(Ga)和氮(N)析出的界面；保持部件粘接工序，将第1保持部件粘接在氮化镓锭的第1面上，并且将第2保持部件粘接在第2面上；和氮化镓基板生成工序，将氮化镓锭加热到使镓发生熔融的温度，并且使第1保持部件与第2保持部件向互相远离的方向移动，由此从该界面将氮化镓锭分离而生成氮化镓基板。
氮化镓基板生成方法

[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法-CN201310118493.4无效
发明人：吴礼清;杨奎;蒋利民;郭丽彬 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生长方法；所述结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p型氮化镓层、p型铝镓氮层层、高温p型氮化镓层，本发明还涉及前述结构的生长方法，所述方法包括如下步骤，首先净化处理衬底，然后依次生长低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p型氮化镓层、p型铝镓氮层层、高温p型氮化镓层。本发明高阻隔离层电阻率高、漏电很小、夹断特性好，从而提高氮化镓基LED的发光效率，延长器件寿命。
一种提高氮化发光二极管电子迁移率结构及其生产方法

[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法-CN200910062768.0有效
发明人：刘玉萍;魏世祯 -专利权人：武汉华灿光电有限公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层，氮化铝镓/氮化镓超晶格结构，未掺杂的氮化镓高温缓冲层、N型接触层、N型氮化镓导电层、发光层多量子阱结构MQW、P型氮化铝镓电子阻挡层、P型氮化镓导电层、P型接触层，本发明在未掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构。氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构的插入能有效改善材料的晶体质量，从而提高氮化镓基发光二极管抗静电能力，提高器件的可靠性和稳定性。
一种提高氮化发光二极管抗静电能力方法

[发明专利]一种增强型氮化镓异质结场效应晶体管-CN202211247265.2在审
发明人：刘勇;罗鹏 -专利权人：深圳氮芯科技有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种增强型氮化镓异质结场效应晶体管，栅极与势垒层之间设置有连接单元，连接单元包括第一氮化镓层、第二氮化镓层、第三氮化镓层和第四氮化镓层，第一氮化镓层至第四氮化镓层从上至下依次设置，第一氮化镓层与栅极连接，第四氮化镓层与势垒层连接。器件正向栅极耐压时，第一氮化镓层、第二氮化镓层和第三氮化镓层组成的n‑i‑p二极管反偏，此时电场峰值分布在第二氮化镓层内。由于第三氮化镓层、第四氮化镓层和势垒层组成的p‑i‑n二极管的耐压能力也高于PN结二极管，因此该器件结构同时具有更高的反向栅极击穿电压。
一种增强氮化镓异质结场效应晶体管

[发明专利]一种LED外延片及其制备方法-CN201110433441.7有效
发明人：陈飞 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片，包括衬底以及在所述衬底上顺序生长的n型氮化镓层、发光层和p型氮化铟镓/氮化镓结构层，所述p型氮化铟镓/氮化镓结构层包括顺序生长的本征氮化镓层、Mg掺杂量逐渐增加的p型氮化铟镓层、p型氮化镓层和Mg掺杂量逐渐减少的p型氮化铟镓层，所述本征氮化镓层与发光层邻接。本发明提供的LED外延片及其制备方法中，利用Mg掺杂量渐变的氮化铟镓/氮化镓结构作为p型层替换传统的p型氮化镓层，提高了光电器件的外量子效率；利用铟原子的催化作用，使得Mg原子替换Ga原子形成受主；利用Mg掺杂量渐变的氮化铟镓/氮化镓结构能很好的平衡空穴的分布，提高了光电器件的寿命。
一种 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法-CN201110136242.X无效
发明人：李志聪;姚然;王兵;梁萌;李鸿渐;李盼盼;李璟;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。
一种提高氮化发光二极管抗静电能力方法