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[发明专利]一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法-CN201310673040.8有效
发明人：刘扬;倪毅强;贺致远;周德秋;张佰君 -专利权人：中山大学
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层，氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和新型基本氮化物复合夹层，氮化物半导体材料层位于应力缓冲层上方；新型基本氮化物复合夹层包括位于氮化物半导体材料层上方的第一氮化物夹层和位于第一氮化物夹层上方的第二氮化物夹层，第一氮化物夹层为p型，第二氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层，第二氮化物夹层包括铝和镓，并且氮化物材料层的总厚度至少2.0μm以上。本发明的半导体外延结构会在降低氮化物的位错密度、提高氮化物晶体质量的同时，大幅度降低外延层材料漏电流、提高外延层材料的击穿电压。
一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物材料-CN202010630174.1在审
发明人：梁智文;王琦;袁冶;王新强;汪青;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。工艺步骤简单，可操作性强，无需激光处理，不受功能材料的尺寸限制，利于在工业中应用。
氮化物材料制备方法

[发明专利]一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法-CN201410731135.5在审
发明人：刘扬;周德秋;倪毅强;贺致远 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层，所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个在具有界面粗化插入层结构上生长的基本氮化物夹层。所述氮化物半导体材料层包括具有粗化界面的氮化物插入层和位于所述具有粗化界面的氮化物插入层上方的氮化物夹层，所述氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层。所述弛豫氮化物夹层包括铝和镓，并且包括所述多个具有界面粗化结构和弛豫氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少2.0μm以上的总厚度。本发明的半导体外延层结构简单，通过插入具有粗化界面结构的氮化物夹层可以大幅度降低外延层材料漏电流、提高外延层材料的击穿电压。
一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜-CN201811462580.0有效
发明人：张宁;冯梁森;魏学成;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供一种提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜，该提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，利用外加机械力或材料本身失配应力作用于p型氮化物薄膜的掺杂表面。本公开提供的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜，利用外加机械力或材料本身失配应力增大p型掺杂氮化物的晶格常数，降低p型掺杂杂质在氮化物薄膜中的热激活能，提高杂质原子的激活率，从而能够制备出具有高空穴浓度的氮化物p型材料，提高氮化物光电子材料及光电子器件中的空穴注入效率。
提升氮化物材料掺杂效率方法薄膜

[发明专利]一种氮化硼纤维增强氮化物复合材料及其制备方法-CN201811276123.2有效
发明人：程之强;韦其红;王洪升;邵长涛;栾强;王重海;朱保鑫;张铭霞;李茹 -专利权人：山东工业陶瓷研究设计院有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硼纤维增强氮化物复合材料及其制备方法。氮化硼纤维预制体浸渍氮化物复合浆料制备氮化硼纤维增强氮化物复合材料坯体,所述氮化硼纤维增强氮化物复合材料坯体反复经硅硼氮前驱体浸渍、裂解制备所述氮化硼纤维增强氮化物复合材料，所述制备方法为本领域首创，具有开拓性的意义，通过该独创制备方法的设计，提高了氮化硼纤维增强氮化物复合材料的致密性，通过氮化物复合浆料的选择及用量的设计，提高了氮化硼纤维增强氮化物复合材料的抗烧蚀性及耐高温性，满足2500℃以上的使用要求。
一种氮化纤维增强氮化物复合材料及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯上利用氮化硅作为掩膜层外延氮化物材料的方法-CN202310515409.6在审
发明人：杨乾坤;李忠辉;彭大青;张东国;李传皓;徐轩 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯上利用氮化硅作为掩膜层外延氮化物材料的方法，属于单晶生长的技术领域。该方法，包含如下步骤：选择一单晶衬底，在单晶衬底上转移或者生长多层石墨烯，在石墨烯上形成多孔的氮化硅掩膜层，在氮化硅掩膜层的孔隙处漏出的石墨烯上外延氮化物材料。由于氮化物材料在氮化硅上无法生长，仅在氮化硅孔隙中的石墨烯上进行生长，因此可实现氮化物材料在石墨烯上的横向外延生长模式，有助于提升石墨烯上范德华外延氮化物材料的晶体质量，且氮化物材料与石墨烯通过范德华力结合，没有失配应力，可实现低应力的氮化物材料，有助于提升氮化物材料性能和可靠性。
一种石墨利用氮化作为掩膜层外延氮化物材料方法

[发明专利]表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法-CN200810134896.7无效
发明人：黄世晟;涂博闵;叶颖超;林文禹;吴芃逸;徐智鹏;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法，其可包括衬底、缓冲层、n型三族氮化物半导体材料层、三族氮化物半导体发光层、第一p型三族氮化物半导体材料层、p型重掺杂三族氮化物半导体材料层、以及第二p型三族氮化物半导体粗化层上述第一p型三族氮化物半导体材料层，成长于上述三族氮化物半导体发光层上。上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层，成长于上述第一p型三族氮化物半导体材料层上。上述第二p型三族氮化物半导体粗化层，成长于上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层上。本发明提供的发光元件不仅具有表面粗化的特性，可以确保亮度。
表面氮化发光元件及其制造方法

[发明专利]包含嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落-CN201410699689.1在审
发明人： C·巴伊拉姆;S·W·比德尔;K·E·福格尔;J·A·奥特;D·K·萨达那 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。本发明提供包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。形成嵌入在Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面。与提供所述Ⅲ族氮化物材料层并且嵌入所述剥落释放平面的所述Ⅲ族氮化物材料部相比，剥落释放平面包括具有不同的应变、不同的结构和不同的组成的材料。剥落释放平面在Ⅲ族氮化物材料层之内提供削弱的材料平面区域，其在随后进行的剥落工艺期间可被用于将Ⅲ族氮化物材料的一部分从初始Ⅲ族氮化物材料层释放。特别地，在剥落工艺期间，在嵌入在初始Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面内发生裂缝萌生和传播。
包含嵌入剥落释放平面氮化物受控

[发明专利]一种晶体管及其制备方法-CN202211032435.5在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;南继澳;刘爽;宋秀峰;王中旭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体管，包括本体，所述本体包括氮化物材料层，所述氮化物材料层包括相互连接的N型氮化物材料层和P型氮化物材料层，所述N型氮化物材料层设置于所述P型氮化物材料层上，所述P型氮化物材料层一侧、第一钝化层与源极依次连接，所述P型氮化物材料层另一侧、第二钝化层与漏极依次连接，所述N型氮化物材料层与所述漏极相向设置。
一种晶体管及其制备方法

[发明专利]具有夹层结构的厚氮化物半导体结构和制作厚氮化物半导体结构的方法-CN200880007785.8有效
发明人： A·W·萨克斯勒;A·A·小伯克 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的组分渐变层以及组分渐变层上的氮化物半导体材料层。所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个基本弛豫的氮化物夹层。所述基本弛豫的氮化物夹层包括铝和镓并且利用n型掺杂剂进行导电掺杂，并且包括所述多个氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少大约2.0μm的总厚度。
具有夹层结构氮化物半导体制作方法

[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件-CN202110672724.0在审
发明人：郭艳敏;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，所述方法包括以下步骤：在衬底上低温生长含In的氮化物形核层；高温退火刻蚀，含In的氮化物形核层中In脱附，形成均匀分布的氮化物形核层岛；在氮化物形核层岛上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN基材料；在GaN基材料上生长功能层。本发明提供的氮化物材料的制备方法，可以获得均匀分布的氮化物形核层，有利于提高材料晶体质量，此外制备的均匀性更好的氮化物材料，可以提高器件成品率及均一性，该发明尤其适用于4英寸及更大尺寸外延材料制备。
氮化物材料制备方法半导体器件

[发明专利]具有夹层结构的厚氮化物半导体结构及其制作方法-CN201110133723.5有效
发明人： A.W.萨克斯勒;A.A.小伯克 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有夹层结构的厚氮化物半导体结构及其制作方法。一种半导体结构，包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的组分渐变层以及组分渐变层上的氮化物半导体材料层。所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个基本弛豫的氮化物夹层。所述基本弛豫的氮化物夹层包括铝和镓并且利用n型掺杂剂进行导电掺杂，并且包括所述多个氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少大约2.0µm的总厚度。
具有夹层结构氮化物半导体及其制作方法

[发明专利]氮化铝单晶材料制备方法-CN201210332652.6有效
发明人：杨少延;魏鸿源;焦春美;刘祥林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化铝单晶材料制备方法，包含：在衬底上制备一III族氮化物成核层；在III族氮化物成核层上制备一III族氮化物结晶层；在III族氮化物结晶层上制备一应力协变层；在应力协变层上制备一III族氮化物自分解解耦合层；在III族氮化物自分解解耦合层上制备一第一III族氮化物模板层；在第一III族氮化物模板层上制备一第二III族氮化物模板层；在第二III族氮化物模板层上制备一氮化铝厚膜单晶材料层；通过中间工艺制备得到氮化铝单晶片衬底材料本发明能为研制生产紫外和深紫外半导体光电器件提供低成本大尺寸氮化铝单晶片衬底材料，具有非常好的实用价值和市场推广前景。
氮化铝单晶材料制备方法

[发明专利]具有夹层结构的氮化物半导体结构和制作具有夹层结构的氮化物半导体结构的方法-CN200880007601.8有效
发明人： A·W·萨克斯勒;A·A·小伯克 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括第一层氮化物半导体材料、在所述第一层氮化物半导体材料上的基本未应变的氮化物夹层、以及在所述氮化物夹层上的第二层氮化物半导体材料。所述氮化物夹层具有第一晶格常数并且可以包括铝和镓并且可以利用n型掺杂剂进行导电掺杂。所述第一层和所述第二层一起具有至少大约0.5μm的厚度。所述氮化物半导体材料可以具有第二晶格常数，使得所述第一层在所述氮化物夹层的一侧可以比所述第二层在所述氮化物夹层的另一侧更多地拉伸应变。
具有夹层结构氮化物半导体制作方法

[发明专利]一种氮化物横向极性结及其制备方法、深紫外发光二极管-CN202111139496.7在审
发明人：孙晓娟;陈洋;黎大兵;蒋科;贲建伟;张山丽 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物横向极性结及其制备方法、深紫外发光二极管，该氮化物横向极性结，包括：衬底；二维材料微纳图形层；氮化物材料层。本发明的氮化物横向极性结，二维材料微纳图形层的材料能够实现氮化物材料层的均匀极性反转，有效地抑制了传统极性调控方法存在的非均匀极性材料共存的难题；过渡金属二硫属化合物层间弱的范德华作用力，能够有效的消除衬底和氮化物材料层之间的晶格失配作用，提高N极性氮化物材料的晶体质量，同时降低内部的残余应力。本发明的深紫外发光二极管，包括氮化物横向极性结，配合氮化物横向极性结实现电子和空穴的高效复合发光，能够实现载流子横向输运特性的调控，提高深紫外发光效率。
一种氮化物横向极性及其制备方法深紫发光二极管

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