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[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200580032508.9有效
发明人：李昔宪 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二氮化物半导体层。另一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。再一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，和形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管-CN200980148577.4无效
发明人：按田义治;石田秀俊;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供低导通电阻的FET，本发明的FET包括：第一氮化物半导体层(103)；第二氮化物半导体层(104)，第二氮化物半导体层(104)被形成在第一氮化物半导体层(103)上，第二氮化物半导体层(104)的带隙能比第一氮化物半导体层(103)大；第三氮化物半导体层(105)，第三氮化物半导体层(105)被形成在第二氮化物半导体层(104)上；以及第四氮化物半导体层(106)，第四氮化物半导体层(106)被形成在第三氮化物半导体层(105)上，第四氮化物半导体层(106)的带隙能比第三氮化物半导体层(105)大，在第一氮化物半导体层(103)和第二氮化物半导体层(104)的异质结界面形成有沟道
场效应晶体管

[发明专利]半导体结构-CN202111512288.7在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体结构，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及栅极电极。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层依序堆叠于基板之上。源极电极以及漏极电极设置于第一氮化物半导体层之上。第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层、第三氮化物半导体层以及栅极电极依序堆叠于第二氮化物半导体层的顶面且位于源极电极以及漏极电极之间。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有P型掺杂。
半导体结构

[发明专利]半导体器件-CN202110123134.2有效
发明人：郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一p型掺杂氮化物半导体层、栅极结构、源极、漏极以及第二p型掺杂氮化物半导体层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层与栅极结构之间。源极以及漏极设置于第二氮化物半导体层上。第二p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上，其中漏极至第二氮化物半导体层的顶面的高度大于第二p型掺杂氮化物半导体层至第二氮化物半导体层的顶面的高度，且至少一部分的第二p型掺杂氮化物半导体层于第二氮化物半导体层的垂直投影落在漏极于第二氮化物半导体层的垂直投影内
半导体器件

[发明专利]氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体层叠体-CN201580048531.0在审
发明人：田尻雅之;伊藤伸之;小河淳;藤重阳介;冈崎舞;远崎学 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：氮化物半导体层叠体的制造方法包括：在反应炉内在衬底的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13)的第2氮化物半导体层形成工序；和在第2氮化物半导体层(13)的上表面形成与第2氮化物半导体层(13)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14)的第3氮化物半导体层形成工序。第2氮化物半导体层形成工序与第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，第3氮化物半导体层形成工序与第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。
氮化物半导体层叠制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110912104.X在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及第六氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第四氮化物半导体层之上，且具有高于第四氮化物半导体层的带隙。第六氮化物半导体层设置于第五氮化物半导体层之上且耦接至漏极电极，具有第二P型掺杂。本发明实施例提供的半导体结构，能有效的降低生产成本以及生产时间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111653603.8在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层以及第五氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第三氮化物半导体层之上，具有第二P型掺杂。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构及其制造方法-CN202080002651.8有效
发明人：张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供一种半导体装置结构及其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第一电极和第二电极。所述第一氮化物半导体层安置于所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置于所述第一氮化物半导体层上。所述第三氮化物半导体层安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第一电极安置于所述第二氮化物半导体层上，且与所述第三氮化物半导体层隔开。所述第二电极覆盖所述第三氮化物半导体层的上表面，且与所述第一氮化物半导体层直接接触。
半导体装置结构及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体元件和其制造方法-CN200480027878.9无效
发明人：川口靖利;岛本敏孝;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
氮化物半导体元件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180000640.0有效
发明人：周以伦;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和碳氮化物半导体层。第一氮化物半导体层在衬底上方。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。碳氮化物半导体层位于衬底和第一氮化物半导体层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201610064455.9在审
发明人：吉冈启;洪洪;矶部康裕 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据实施方式，半导体装置具备第一氮化物半导体层与第二氮化物半导体层交替积层而成的第一积层型氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、漏极电极、源极电极、及栅极电极。第一氮化物半导体层包含含有碳的氮化镓。第二氮化物半导体层包含氮化铝铟。第三氮化物半导体层设置在第一积层型氮化物半导体层之上，且包含氮化镓。第四氮化物半导体层设置在第三氮化物半导体层之上，且包含氮化铝镓。漏极电极与源极电极设置在第四氮化物半导体层之上。栅极电极隔在漏极电极与源极电极之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510013137.5在审
发明人：矶部康裕;杉山直治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：根据本发明的一种实施方式，半导体装置具有第一氮化物半导体层、本征氮化物半导体层、以及具有Al的第二氮化物半导体层。所述本征氮化物半导体层设置于所述第一氮化物半导体层的第一侧。所述第二氮化物半导体层设置于所述本征氮化物半导体层的与所述第一氮化物半导体层相对的一侧。所述第一氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层、所述本征氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层层叠的方向上具有第一浓度和低于所述第一浓度的第二浓度重复出现的碳分布。
半导体装置

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN202280004733.5在审
发明人：刘阳;杜卫星;游政昇;张铭宏 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂氮化物基半导体层、氮化物基绝缘层、栅电极和钝化层。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并具有第一宽度。氮化物基绝缘层设置在掺杂氮化物基半导体层上，并且具有小于第一宽度的第二宽度。栅电极设置在氮化物基绝缘层上方，并且具有大于第二宽度的第三宽度。钝化层设置在第二氮化物基半导体层上方，并且具有位于掺杂氮化物基半导体层和抵靠氮化物基绝缘层的栅电极。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光器件-CN200910149974.5无效
发明人：驹田聪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，所述器件包括衬底，以及形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层、发光层、第一p型氮化物半导体层、第二p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层和第二n型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成了隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝。
氮化物半导体发光器件

[发明专利]氮化物半导体发光器件-CN200710169305.5无效
发明人：驹田聪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，所述器件包括衬底，以及形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层、发光层、第一p型氮化物半导体层、第二p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层和第二n型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成了隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝。
氮化物半导体发光器件

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