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[发明专利]一步法表面包覆和梯度掺杂一体化双修饰LNMO正极材料的方法-CN201910151125.7有效
发明人：白莹;赵慧玲;郁彩艳;赵瑞 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一步法表面包覆和梯度掺杂一体化双修饰LNMO正极材料的方法，将包覆材料金属前驱体溶液与锂离子电池正极材料溶液混合，充分干燥形成凝胶，凝胶在惰性气氛下煅烧，增加正极材料的表面氧缺陷位，促使包覆层中的金属阳离子扩散进入正极材料表面氧缺陷位本发明利用惰性气氛下煅烧增加高电压正极材料LNMO的表面氧缺陷，促使包覆过程中包覆层金属阳离子扩散进入正极材料表面缺陷位，起到钉扎作用，从而实现对锂离子电池高电压正极材料表面包覆和表面掺杂一体化双修饰改性
一步法表面梯度掺杂一体化修饰 lnmo 正极材料方法

[发明专利]一种TiO2-CN202010797955.X在审
发明人：吴飞 -专利权人：吴飞
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明涉及水污染处理领域，且公开了一种TiO2纳米管原位修饰丙烯酸基水凝胶光催化‑吸附材料，氧缺陷型TiO2纳米管产生缺陷能级，使TiO2的光吸收边发生红移，拓宽了TiO2的可见光吸收波段，在可见光下具有良好的光化学活性和光响应性，氧缺陷可以作为光生电子的捕获陷阱，有效抑制光生电子和空穴的复合，甲基丙烯酸原位修饰氧缺陷型TiO2纳米管，通过原位聚合法，修饰的甲基丙烯酸与丙烯酸、丙烯酰胺通过自由基共聚，原位聚合得到丙烯酸基水凝胶，丰富的羧基和氨基可以作为络合位点，对Cu2+、Cd2+等重金属离子，以及亚甲基蓝进行络合吸附，同时氧缺陷型TiO
一种 tio base sub

[发明专利]氧空位缺陷的SnO2-CN202210234274.1在审
发明人：杨静凯;任望为;张佳欣;崔延;孙宇;赵洪力;梁波 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧空位缺陷的SnO2纳米材料，及其制备、使用方法，本发明采用Sn2+为锡源，通过低温下的水热过程将其部分氧化为Sn4+，在SnO2晶格中引入氧空位缺陷。本发明获得的氧空位缺陷的SnO2在应用于吸附和光催化时展现出良好的性能，因氧空位的存在使其具有更宽的光响应范围、更强的光生电子和空穴分离效率、更多的表面吸附和氧化还原反应活性位点本发明的氧空位缺陷的SnO2纳米材料是一种集优异的吸附和光催化活性于一体的光催化剂，其具有优异的吸附和光催化性能，能够应用于多个场景。
空位缺陷 sno base sub

[发明专利]一种富氧缺陷型TiO2-CN202210301985.6在审
发明人：韩杰;孙思微;王钦超;王超;刘英伟;郭荣 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本案涉及一种富氧缺陷型TiO2碳复合材料、其制备方法及应用，首先将碳材料、钛酸四丁酯和乙醇超声混合，之后旋蒸，在氮气保护下通过分段升温经200‑400℃到400‑800℃煅烧，即得富氧缺陷型TiO2碳复合材料。本发明以多孔碳材料为模板，金属氧化物为前驱体，随后利用旋蒸溶剂挥发的方法，得到金属氧化物碳复合材料；在N2保护下，分段煅烧从室温到200℃‑400℃，再到400‑800℃形成富氧缺陷型采用以上方法制备了粒径可控、高比表面及表面富氧，其具有良好的电化学储能性能，是一种优异的锂离子电池负极材料。
一种缺陷 tio base sub

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN202111104116.6有效
发明人：曹功勋 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，该衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构，IGBT器件包括有源区、过渡区及终端区；氧离子缺陷层，形成于过渡区及终端区的第二主面内；集电极区，形成于衬底的第二主面；氢离子掺杂区，形成于衬底的第二主面内，氧离子缺陷层位于氢离子掺杂区内，其中，氧离子缺陷层的氧离子作为氢离子的吸附体从而增加氢离子掺杂区内的氢离子的掺杂浓度。
igbt 器件及其制作方法

[发明专利]富缺陷Mn-Co金属氧化物催化剂的制备方法-CN202210112488.1在审
发明人：李传强;刘项;王浩博;彭涛;柴倩倩;李世民;郭强 -专利权人：重庆交通大学
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明公开了一种富缺陷Mn‑Co金属氧化物催化剂的制备方法，包括以下步骤：在高能球磨的条件下合成出具有配位缺陷的Mn/Co双金属MOFs前驱体，然后通过煅烧制得富缺陷Mn‑Co金属氧化物；借助MOFs作为催化剂前驱体可抑制金属离子团聚的特点，以及机械化学法构造材料缺陷的思路，采用高能球磨制备的Mn/Co双金属MOFs前驱体，在空气中煅烧形成富缺陷Mn‑Co金属氧化物催化剂，具有大量配位缺陷的MOFs具有短程有序而长程无序的特殊结构，满足了金属离子分散性的同时细化了晶粒，为制备富缺陷Mn‑Co金属氧化物提供了可行性，所制得催化剂最高比表面积可达85.8m2/g，表面缺陷氧的比例约占氧物种的60％。
缺陷 mn co 金属氧化物催化剂制备方法

[发明专利]制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法-CN200810202084.1有效
发明人：欧欣;王曦;张苗 -专利权人：上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，以及位于缺陷空洞层表面的顶层硅；在缺陷空洞层表面的顶层硅中形成扩散通道本发明的优点在于，在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，缺陷空洞层作为氧化硅团聚体形核提供了高密度的形核中心，加速了氧化硅团聚体的形核和长大，减少或完全代替注氧隔离工艺(SIMOX)中形成连续二氧化硅绝缘埋层中氧的注入剂量。同时，缺陷空洞层中的空体积将吸收由于氧化硅团聚体形成而产生的体积膨胀效应，减少顶层硅与BOX层界面的应力，提高SOI材料的质量。
制备绝缘体材料内热氧化方法

[实用新型]一种GIS盆式绝缘子表面缺陷模型-CN201621000650.7有效
发明人：胡梦晨;李渊;李军浩;张亮;韩旭涛;康钧;廖鹏;彭洁 -专利权人：国家电网公司;国网青海省电力公司;国网青海省电力公司电力科学研究院;西安交通大学
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种GIS盆式绝缘子表面缺陷模型，其特征在于，所述表面缺陷模型包括高压电极和地电极，所述高压电极和地电极之间放置有圆台形环氧块，用以模拟盆式绝缘子材料和结构，所述高压电极、圆台形环氧块和地电极三者紧密接触本实用新型解决了现有技术无法针对盆式绝缘子表面存在污秽时进行试验的问题，满足了GIS表面缺陷放电特性研究的需要，为GIS盆式绝缘子表面缺陷放电特性研究开辟了一条崭新路径。
一种 gis 绝缘子表面缺陷模型

[发明专利]微胶囊自修复有机/无机聚硅氧烷涂料及加工方法-CN201511007303.7在审
发明人：甘志宏;邢新侠;王广超;王浩伟 -专利权人：中国特种飞行器研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C09D183/10 文献下载
摘要：微胶囊自修复有机/无机聚硅氧烷涂料，包括，有机-无机聚硅氧烷树脂、修复性微胶囊、颜料、填料、消泡剂、分散剂、流平剂、氨基硅烷、溶剂。本发明优点是：本发明不但可用于铝合金材料的保护，还可用于镁合金、钢铁保护的，同时能在出现划痕及刮伤等缺陷时实现对这些缺陷部位的修复，并在涂层使用过程中对出现防腐性能恶化的涂层及涂层下金属进行修复的具有腐蚀修复功能的聚硅氧烷涂料
微胶囊修复有机无机聚硅氧烷涂料加工方法

[发明专利]一种氧缺陷型三氧化钨纳米片吸附剂及其制备方法-CN201811305929.X有效
发明人：颜佳;宋志龙;许晖;袁寿其;李华明;蒲文杰 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B01J20/06 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种氧缺陷型三氧化钨纳米片吸附剂及其制备方法。所述的氧缺陷型三氧化钨纳米片吸附剂由WO3量子点在还原性气氛—氩气和氢气的混合气下煅烧而成。因为有还原性气体H2的存在，从WO3的晶格中夺取晶格氧，形成了富含氧缺陷的WO3
一种缺陷氧化钨纳米吸附剂及其制备方法

[发明专利]一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法-CN202010361862.2在审
发明人：李阳 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，所述方法包括：将单片晶圆分为四等份；获取第一份晶圆样品沿直径方向的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷及其分布区域；对第三份晶圆样品进行第一热处理，确定晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷及其分布区域；对第四份晶圆样品进行第二热处理，确定晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域根据本发明实施例的检测方法，可高效快速地检测出晶圆中可能存在的所有缺陷类型及分布区域，在确保检测准确性的前提下，极大节省了检测成本。
一种单晶晶圆缺陷类型分布区域检测方法

[实用新型]婴儿高压氧舱-CN200620023769.6无效
发明人：蒋金梅 -专利权人：蒋金梅
申请日： 2006-03-11 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： A61G10/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种婴儿高压氧舱，其属于一种医疗设备，它包括氧舱、氧舱对讲机、控制面板；控制面板上设有播放器。它解决了现有技术中婴儿高压氧舱缺少播放器的缺陷。本实用新型婴儿高压氧舱主要用于医院临床治疗。
婴儿高压

[发明专利]一种室温调控氧化物材料缺陷量的方法及其在水系电池中的应用-CN202010443599.1在审
发明人：王昕宇;都业弘;孙俊才 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温调控氧化物材料缺陷量的方法及其在水系电池中的应用，所述室温调控氧化物材料缺陷量的方法，包括以下步骤：在室温条件下，向氧化物材料中加入导电聚合物单体，搅拌5‑240小时后，经固液分离、洗涤、干燥，得到缺陷氧化物复合材料；所述应用缺陷氧化物复合材料制备水系电池的方法，包括以下步骤：将所得缺陷氧化物复合材料作为正极材料，金属箔片作为负极，与水系电解液组装成水系电池。本发明利用导电聚合物与氧化物在室温下反应来夺取氧化物中的氧，并且通过控制导电聚合物的量即可调控氧缺陷的量，具有简单、快速、高效、可控性强和适用范围广等优点。
一种室温调控氧化物材料缺陷方法及其水系电池中的应用

[发明专利]一种缺陷调控的镓氧氮化物@碳布工作电极及其用途-CN202110771973.5有效
发明人：盖利刚;王家钰;班青;李学林 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01G11/32 文献下载
摘要：本发明属于电化学储能技术领域，涉及一种缺陷调控的镓氧氮化物@碳布工作电极及其用途。镓氧氮化物@碳布工作电极，为镓氧氮化物纳米粒子通过涂布法负载于碳布上而形成的复合物，镓氧氮化物的担载量为4‑6mg cm‑2。本发明还提供所述缺陷调控的镓氧氮化物@碳布工作电极的制备方法和用于超级电容器工作电极的用途。工作电极的尺寸不受氨氮化处理设备的限制，制备方法简单，易于规模化工业生产；可以通过改变刻蚀电压、电解液浓度和/或刻蚀时间调控缺陷浓度，便于获得不同性能的工作电极。
一种缺陷调控氮化物工作电极及其用途

[发明专利]单晶硅晶片的缺陷区域判定方法-CN201880005708.2有效
发明人：齐藤久之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其判定单晶硅晶片的缺陷区域，其特征在于，不对所述单晶硅晶片进行热处理，利用LST按照大小测量所述单晶硅晶片表面的Void缺陷分布，并根据通过该测量获得的Void缺陷密度分布来判定缺陷区域。由此，提供一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其不依赖初始氧浓度，能够用容易的方法进行晶片的缺陷区域的判定。
单晶硅晶片缺陷区域判定方法